[发明专利]一种互补型金属氧化物半导体的对准装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体的对准装置，尤其涉及一种贴合互补型金属氧化物半导体器件于面板上的对准装置。

背景技术

互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，缩写为CMOS)，即互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。互补型金属氧化物半导体(CMOS)由PMOS管和NMOS管共同构成，它的特点是低功耗。由于互补型金属氧化物半导体(CMOS)中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截至，比线性的三极管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。互补型金属氧化物半导体(CMOS)作为感测元件已广泛使用于许多应用领域，尤其是应用于液晶显示器中。

现有技术中，都以手动的方式利用AB胶将互补型金属氧化物半导体(CMOS)粘贴于素玻璃上，再将TFT-LCD进行压合。目前，对互补型金属氧化物半导体(CMOS)的贴附精度要求为±50μm，角度为±1.5度，此种方法所面临的问题是，生产人员在贴附互补型金属氧化物半导体(CMOS)于素玻璃上时，不容易辨识角度的偏移。

有鉴于此，如何设计出一种新型的互补型金属氧化物半导体器件的对准装置，以方便产业人员在贴合互补型金属氧化物半导体于面板上时进行角度偏移的判断，是业内技术人员亟需解决的一项课题。

发明内容

针对现有技术中存在的互补型金属氧化物半导体贴合于面板上不易进行角度偏移的判断的缺陷，本发明提供了一种互补型金属氧化物半导体的对准装置。

根据本发明提供一种互补型金属氧化物半导体的对准装置，用于将互补型金属氧化物半导体对准贴合于素玻璃的周围区域，素玻璃的中间区域用来压合面板，包括：两个栅状标记，相互对齐并平行于素玻璃的边缘，且设置于素玻璃上侧周围区域的角落位置，每一栅状标记具有多个刻度。

优选地，两个栅状标记可以设置于互补型金属氧化物半导体于面板贴合的位置。

优选地，面板为液晶面板。

优选地，两个栅状标记之间相距770μm。

优选地，两相邻刻度之间相距10μm。

采用本发明可以帮助生产人员在将互补型金属氧化物半导体贴合于面板时进行角度偏移的判断。

附图说明

读者在参照附图阅读了本发明的具体实施方式以后，将会更清楚地了解本发明的各个方面。其中，

图1示出了依据本发明互补型金属氧化物半导体的对准装置；

图2示出了依据本发明栅状标记的放大图。

具体实施方式

下面参照附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细描述。

图1示出了依据本发明互补型金属氧化物半导体的对准装置。参照图1，两个栅状标记130位于素玻璃100的周围区域110的角落位置，两个栅状标记130相互对齐，并且平行于素玻璃100的边缘111，每一栅状标记130上具有多个刻度，相邻刻度之间代表10μm。本实施例中，两个栅状标记130之间相距770μm，相邻两刻度之间的间距为10μm。液晶面板(未标示)压合于素玻璃100的中间区域120处。

图2示出了依据本发明栅状标记的放大图。参照图2，可以利用栅状标记130判断互补型金属氧化物半导体140的偏移角度。因为互补型金属氧化物半导体140的偏移角度为1.5度，两个栅状标记130之间相距770μm，因此，根据770μm×tan1.5＝20μm，可以得出互补型金属氧化物半导体140相对于两个栅状标记130的偏移需小于两格刻度。生产人员在贴附互补型金属氧化物半导体140于素玻璃上时，只要互补型金属氧化物半导体140相对于两个栅状标记130的偏移需小于两格刻度就为合格。

采用本发明，可以方便产业人员在贴合互补型金属氧化物半导体于素玻璃上时进行角度偏移的判断。

上文中，参照附图描述了本发明的具体实施方式。但是，本领域中的普通技术人员能够理解，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，还可以对本发明的具体实施方式作各种变更和替换。这些变更和替换都落在本发明权利要求书限定的范围内。