[发明专利]一种互补型金属氧化物半导体的对准装置无效
| 申请号： | 201110253857.0 | 申请日： | 2011-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102412234A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 王志豪;黄柏辅 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 曾红 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 互补 金属 氧化物 半导体 对准 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种互补型金属氧化物半导体的对准装置，用于将所述互补型金属氧化物半导体对准贴合于素玻璃的周围区域，所述素玻璃的中间区域用来压合面板，其特征在于，包括：
两个栅状标记，相互对齐并平行于所述素玻璃的边缘，且设置于所述素玻璃上侧周围区域的角落位置，每一所述栅状标记具有多个刻度。
2.如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体的对准装置，其特征在于，所述两个栅状标记可以设置于所述互补型金属氧化物半导体于所述面板贴合的位置。
3.如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体的对准装置，其特征在于，所述面板为液晶面板。
4.如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体的对准装置，其特征在于，所述两个栅状标记之间相距770μm。
5.如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体的对准装置，其特征在于，相邻两所述刻度之间相距10μm。
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