[发明专利]具有凹部的半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基板，具有一凹部、一上表面、一底面、一下表面及一第一侧面且包括一接地部，该基板的该下表面位于该上表面与该底面之间，该凹部从该基板的该下表面延伸至该底面，该第一侧面延伸于该上表面与该下表面之间；

一电性组件，设置于邻近该基板的该上表面；

一封装体，包覆该电性组件；以及

一电磁干扰屏蔽组件，覆盖该封装体、该接地部及该基板的该第一侧面。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该基板更具有一第二侧面，该凹部从该第一侧面延伸至该第二侧面，该下表面与该第二侧面之间的夹角大于或实质上等于90度。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该接地部的至少一部分延伸于该基板的该上表面与该下表面之间。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该接地部设置于邻近该基板的该上表面，该封装体更包覆该接地部。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该接地部线路层、导电块、焊料凸块、导电柱或导电通孔。

6.如权利要求1所述的半导体结构，更包括：

数个电性接点，设置于邻近该基板的该底面。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该些电性接点包括一第一电性接点与一第二电性接点，其中该第一电性接点具有一第一面积，该第二电性接点具有一第二面积，且该第一面积大于该第二面积。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该电磁干扰屏蔽组件的一下表面与该基板的该下表面实质上齐平。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该电磁干扰屏蔽组件包括：

一内层，包覆该封装体；以及

一外层，包覆该内层，且该外层的材质包括不锈钢。

10.一种半导体结构，包括：

一基板，具有一凹部、一上表面、一底面、一下表面及一第一侧面，该基板的该下表面位于该上表面与该底面之间，该凹部从该基板的该下表面延伸至该底面，该第一侧面延伸于该上表面与该下表面之间；

一电性组件，设置于邻近该基板的该上表面；

一封装体，包覆该电性组件；以及

一电磁干扰屏蔽镀层，覆盖该封装体及该基板的该第一侧面。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其中该基板更具有一第二侧面，该凹部从该第一侧面延伸至该第二侧面，该下表面与该第二侧面之间的夹角大于或实质上等于90度。

12.如权利要求10所述的半导体结构，更包括：

数个电性接点，设置于邻近该基板的该底面。

13.如权利要求10所述的半导体结构，其中该电磁干扰屏蔽镀层的一下表面与该基板的该下表面实质上齐平。

14.如权利要求10所述的半导体结构，其中该电磁干扰屏蔽镀层包括：

一内层，包覆该封装体；以及

一外层，包覆该内层，且该外层的材质包括不锈钢。

15.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一基板，其中该基板具有一上表面及一底面且包括一接地部；

设置一电性组件于邻近该基板的该上表面；

形成一封装体包覆该电性组件；

形成一第一切割狭缝，其中该第一切割狭缝经过该封装体及该基板的该上表面，该接地部及该基板的一第一侧面于切割后露出；

形成一电磁干扰屏蔽组件覆盖该封装体、该接地部及该基板的该第一侧面；以及

形成一第二切割狭缝，其中该第二切割狭缝经过该基板的该底面及该电磁干扰屏蔽组件的一部分，以于该基板形成一凹部，该基板的一下表面从该凹部露出，而该下表面位于该上表面与该底面之间。

16.如权利要求15所述的制造方法，其中该第二切割狭缝形成后，该基板的一第二侧面及一导角从该凹部露出，该导角连接该第二侧面与该下表面，且该下表面与该第二侧面之间的夹角大于或实质上等于90度。

17.如权利要求15所述的制造方法，其中该第二切割狭缝的宽度大于第一切割狭缝的宽度。

18.如权利要求15所述的制造方法，更包括：

形成数个电性接点于该基板的底面上。