[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号: | 201110108351.0 | 申请日: | 2011-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN102237332A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
| 发明(设计)人: | 山口义弘 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L21/60 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1. 一种半导体装置,具有:
基板,具有导电体;
半导体芯片,配置在所述基板上,并且,与所述导电体电连接;
管状电极,一端部与所述导电体电连接;以及
密封树脂,密封所述基板、所述半导体芯片以及所述电极,
所述电极以如下方式构成:在利用所述密封树脂进行密封之前的状态下,能够在所述基板与所述半导体芯片层叠的层叠方向上伸缩,
所述电极的另一端部的前端部从所述密封树脂中露出,
所述电极具有在所述另一端部的前端部开口的中空空间。
2. 如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述电极在所述密封树脂所接触的部分具有曲线的外形部。
3. 如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述电极的所述一端部利用焊接与所述导电体电连接,并且,朝向所述导电体,所述一端部的直径变小,直至所述一端部的前端部。
4. 如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
朝向所述中空空间的开口,所述电极的所述另一端部的直径变大,直至所述另一端部的所述前端部。
5. 如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述电极以如下方式构成:在利用所述密封树脂进行密封之前的状态下,能够以比所述基板的抗折强度小的力在所述层叠方向上伸缩。
6. 如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述电极以如下方式构成:所述密封树脂不会由于所述密封树脂的密封时的射出压力而从所述开口流入到所述中空空间。
7. 如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
以所述电极成为在所述层叠方向上在弹性范围内被压缩的状态的方式,进行所述密封树脂的密封。
8. 一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具有如下工序:
在具有导电体的基板上,以与所述导电体电连接的方式配置半导体芯片,并且,将能够在所述基板和所述半导体芯片层叠的层叠方向上伸缩的管状电极以所述电极的一端部与所述导电体电连接的方式配置;
在一对模具内从所述层叠方向的两侧夹持所述基板、所述半导体芯片以及所述电极,由此,利用所述一对模具中的一个按压所述电极的另一端部,使所述电极在所述层叠方向上压缩;
在所述一对模具内注入密封树脂,利用所述密封树脂对所述基板、所述半导体芯片以及所述电极进行密封。
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