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[发明专利]功率模块以及电力变换装置-CN201910107599.1有效
发明人：中原贤太;山口义弘;河原史伦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够实现功率模块的可靠性和散热性的提高的技术。功率模块(202)具备：凹状的基座板(1)，其具有谷部(9)；至少1个绝缘基板(4)，其配置于基座板(1)的谷部(9)；至少1个半导体芯片(5)，其搭载于至少1个绝缘基板(4)之上；以及封装树脂(7)，其对基座板(1)的谷部(9)侧的面、至少1个绝缘基板(4)以及至少1个半导体芯片(5)进行封装。
功率模块以及电力变换装置

[发明专利]半导体装置以及电力变换装置-CN201780056129.6有效
发明人：原田启行;原田耕三;盐田裕基;山口义弘;山田浩司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘基板(52)，在上表面和下表面具有导体层(51、53)，在上表面的导体层(51)搭载有半导体元件(4)；底板(1)，与下表面的导体层(53)接合；壳体部件(2)，包围绝缘基板(52)，被粘接于底板(1)的接合有下表面的导体层(53)的面；作为硅组合物的第一填充材料(9)，被填充于由底板(1)和壳体部件(2)包围的区域；以及作为比第一填充材料(9)硬的硅组合物的第二填充材料(10)，在区域内的第一填充材料(9)的下部包围绝缘基板(52)的周缘部，该第二填充材料被填充于从底板(1)起的高度比上表面高且比上表面的导体层(51)的与半导体元件(4)的接合面低的区域。
半导体装置以及电力变换

[发明专利]软钎料合金、软钎料粉末、焊膏和钎焊接头-CN202210228779.7在审
发明人：立花芳惠;佐佐木智挥;境纪和;山口义弘 -专利权人：千住金属工业株式会社
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明提供由于液相线温度低且固相线温度不过低因而安装性优异、显示出高强度、进而耐热疲劳特性优异的软钎料合金、软钎料粉末、焊膏和钎焊接头。软钎料合金具有如下的合金组成：以质量％计Ag：0.5～4.0％、Cu：超过0.5％且为1.0％以下、Bi：超过3.0％且为8.0％以下且余量由Sn组成。合金组成优选满足下述(1)式～(3)式。下述(1)式～(3)式中，Sn、Bi、Cu和Ag表示各合金组成的含量(质量％)。10.9≤Sn/Bi≤22.4(1)式，46.9≤Sn×Cu≤72.1(2)式，45.50≤Sn×Ag≤365(3)式。
软钎料合金粉末钎焊接头

[发明专利]功率模块和电力变换装置-CN202080092647.5在审
发明人：原田耕三;坂本健;山口义弘 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：功率模块(101)具有绝缘基板(21)、壳体构件(6)、功率半导体元件(3)、底座构件(1)、密封构件(8)以及粘接构件(12)。绝缘基板(21)具有第一面(51)以及与第一面(51)相反侧的第二面(52)。壳体构件(6)在从与第一面(51)垂直的方向看时包围绝缘基板(21)。功率半导体元件(3)面对第一面(51)。底座构件(1)面对第二面(52)。密封构件(8)将功率半导体元件(3)和绝缘基板(21)进行密封，且与壳体构件(6)相接。粘接构件(12)将底座构件(1)与壳体构件(6)进行固定，且在从与第一面(51)垂直的方向看时包围绝缘基板(21)。底座构件(1)具有与粘接构件(12)相接的第三面(53)、与第三面(53)相连且与密封构件(8)相接的第四面(54)以及面对第二面(52)的第五面(55)。在从与第五面(55)垂直的方向上，第三面(53)的内侧端部(35)位于与第五面(55)不同的高度。第三面(53)相对于第四面(54)倾斜。
功率模块电力变换装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201980100046.1在审
发明人： 山口义弘;大宅大介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：目的在于提供对由热应力造成的金属图案的变形进行抑制而使相对于热循环的可靠性提高的半导体装置。半导体装置包含绝缘基板、金属图案、微小化区域及半导体芯片。金属图案设置于绝缘基板的上表面。微小化区域设置于金属图案的表面的至少一部分区域。该微小化区域包含比该表面的至少一部分区域之外的金属图案所包含的金属的晶粒小的晶粒。半导体芯片安装于金属图案的微小化区域。
半导体装置制造方法

[发明专利]电力用半导体装置及电力用半导体核心模块-CN201680082881.3有效
发明人：玉田美子;山口义弘;冈诚次;本宫哲男 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：目的在于提供能够适当地实现小型化的压力接触型的电力用半导体装置及电力用半导体核心模块。各电力用半导体核心模块具有：多个电力用半导体芯片，它们包含在俯视观察时相邻的多个自消弧型半导体元件及多个二极管；以及多个第1弹簧，它们配置于上侧金属板与导电性覆盖板之间。各电力用半导体核心模块的多个自消弧型半导体元件在俯视观察时沿L字型、十字型以及T字型中的任一种线排列。
电力半导体装置核心模块

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410045198.5有效
发明人：石桥秀俊;山口义弘;吉松直树;古贺英浩 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-02-07 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种接合部的可靠性高的直接引线接合构造的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具有：多个半导体芯片（5）；板电极（7），其配置在多个半导体芯片（5）上，对多个半导体芯片（5）进行连接；以及电极（17），其配置在板电极（7）上。电极（17）具有凸出部和间断的多个接合部（17a），其中，该多个接合部（17a）与板电极（7）接合，该凸出部以立起状从多个接合部（17a）凸出。凸出部具有与接合部（17a）平行且与外部电极超声波接合的超声波接合部（17b）。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410045315.8有效
发明人： 山口义弘 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-02-07 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够实现大容量化并且能够容易地制造的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明具有板状的电极部件即板电极（5）；在板电极（5）上设置的作为一体化绝缘片的环氧片（3）；以及在环氧片（3）上设置的作为控制基板的双面印刷基板（1），本发明具有将板电极（5）和双面印刷基板（1）通过环氧片（3）形成为一体的基板一体型电极（10）。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]电力用半导体装置-CN201510085084.8在审
发明人： 山口义弘;柳本辰则;石桥秀俊 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高电气接合可靠性的电力用半导体装置。安装电力用半导体元件(8)的电路基板具有绝缘板(5A)、接合图案(4A)、电路图案(6A)以及焊盘板(1C)。绝缘板(5A)由氮化铝陶瓷制作，具有第1面以及第2面(S1、S2)。接合图案(4A)接合在绝缘板(5A)的第1面(S1)上，由铝或铝合金制作。电路图案(6A)接合在绝缘板(5A)的第2面(S2)上，由铝或铝合金制作。焊盘板(1C)与电路图案(6A)接合，仅局部地覆盖电路图案(6A)，由铜或铜合金制作。
电力半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201380060012.7在审
发明人：盐田裕基;山竹厚;菅健一;山口义弘;上田哲也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：得到散热性提高并且绝缘性提高的半导体器件。半导体器件具备：半导体元件(2)；引线框(4)，半导体元件(2)与该引线框的一个面接合；第1绝缘层(5)，配置于引线框(4)的另一个面；以及金属基体板(6)，隔着所述第1绝缘层(5)而与引线框(4)连接，其中，所述第1绝缘层的外周部比所述金属基体板的外周部靠内部，包括引线框(4)的外周部的电场集中部位的所述第1绝缘层(5)的外周部被具有比所述第1绝缘层(5)更高耐湿性和更高绝缘性的第2绝缘层(7)覆盖。
半导体器件

[发明专利]图像公开装置、图像公开方法以及图像公开系统-CN201310061764.7在审
发明人：山路启;三野一学;后藤田祐己太;山口义弘 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：本发明公开了图像公开装置、图像公开方法以及图像公开系统。图像公开装置包括：图像存储器，用于存储用户拥有的图像；图像分析器，用于对存储在所述图像存储器中的每张图像进行分析；以及公开/不公开决定单元，用于根据对每张图像进行的图像分析的结果对每张图像做出公开/不公开决定。
图像公开装置方法以及系统

[发明专利]半导体装置-CN201180058644.0有效
发明人：盐田裕基;冈诚次;山口义弘 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于得到一种散热性提高、并且绝缘性提高的半导体装置。具备半导体元件（1a）、与半导体元件（1a）连接的引线框架（4a）、隔着第1绝缘层（5）配置于引线框架（4a）的金属基体板（6）、以及在金属基体板（6）中的与配置了第1绝缘层（5）的面相反的一侧设置的第2绝缘层（7），第1绝缘层（5）是散热性比第2绝缘层（7）高的绝缘层，第2绝缘层（7）是其绝缘性与第1绝缘层（5）的绝缘性相同或者比第1绝缘层（5）的绝缘性高的绝缘层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201210081415.7有效
发明人：上田哲也;山口义弘 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供能防止翘曲、裂纹等缺陷并实现安装的适当化及容易化等的半导体装置。半导体装置(100)具有：基座板(120)，具有与搭载了半导体芯片等的绝缘基板接合的一个主面；传递模塑树脂(140)，以覆盖基座板(120)的一个主面、绝缘基板、半导体芯片等且使基座板（120）的另一个主面露出的方式设置。基座板（120）的线膨胀系数低于铜的线膨胀系数，传递模塑树脂（140）的线膨胀系数为16ppm/℃以下。传递模塑树脂（140）具有以基座板（120）的相对的短边中央部附近分别露出的方式被挖去的形状（142）。基座板（120）在利用传递模塑树脂（140）的被挖去的形状（142）而露出的各部分具有安装孔（122）。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201110198380.0有效
发明人： 山口义弘;大开美子 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体装置，能够以低成本制造且具有高热循环性，并且，具有与多个芯片对应的板电极。本发明的半导体装置具有在基板上形成的多个半导体芯片（5）和将多个半导体芯片（5）的电极间连接的板电极（1）。板电极（1）具有利用半冲压加工所形成的半切部（1a），半切部（1a）的凸部侧与半导体芯片的电极接合。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201110108351.0有效
发明人： 山口义弘 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置（1）具有：基板（2），具有导电体（2a）；半导体芯片（3），配置在基板（2）上并且与导电体（2a）电连接；管状电极（4），一端部与导电体（2a）电连接；密封树脂（5），对基板（2）、半导体芯片（3）以及电极（4）进行密封。电极（4）以如下方式构成：在利用密封树脂（5）进行密封之前的状态下，能够在基板（2）与半导体芯片（3）层叠的层叠方向上伸缩，电极（4）的另一端部（42）的前端部（42a）从密封树脂（5）中露出，电极（4）具有在另一端部（42）的前端部（42a）开口的中空空间（6）。由此，能够得到小型化的半导体装置及其制造方法。
半导体装置以及制造方法

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