[发明专利]半导体封装打线用的导线结构及其结合构造有效
| 申请号： | 201010187490.2 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101894821A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 王德峻 | 申请（专利权）人： | 日月光封装测试(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L21/603 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 打线用 导线 结构 及其 结合 构造 | ||
1.一种半导体封装打线用的导线结构，其用于半导体封装打线工艺，其特征在于：所述导线结构包含：一导线芯材；及一同质镀层，包覆于所述导线芯材的外表面，其中所述同质镀层的材质与所述导线芯材的材质相同，且所述同质镀层的晶粒粒径小于1微米。
2.如权利要求1所述的半导体封装打线用的导线结构，其特征在于：所述导线芯材是一单晶的导线芯材。
3.如权利要求1所述的半导体封装打线用的导线结构，其特征在于：所述导线芯材是一多晶的导线芯材，且所述同质镀层的晶粒粒径小于所述导线芯材的晶粒粒径。
4.如权利要求3所述的半导体封装打线用的导线结构，其特征在于：所述同质镀层的晶粒粒径小于所述导线芯材的晶粒粒径至少10倍。
5.如权利要求1所述的半导体封装打线用的导线结构，其特征在于：所述同质镀层的厚度小于或等于1微米。
6.如权利要求1所述的半导体封装打线用的导线结构，其特征在于：所述导线芯材的材质选自铜、铝、银或金，所述同质镀层的材质与所述导线芯材的材质相同。
7.一种半导体封装导线结合构造，其形成于半导体封装打线工艺，其特征在于：所述导线结构包含：一导线芯材；及一同质镀层，包覆于所述导线芯材的外表面，其中所述导线结构具有一结球端及一截切端，所述截切端结合于一打线接合表面，所述同质镀层的材质与所述导线芯材的材质相同，且所述同质镀层的晶粒小于1微米，其中所述导线芯材及所述打线接合表面之间存在由所述同质镀层形成的一接触面微结构。
8.如权利要求7所述的半导体封装导线结合构造，其特征在于：所述导线芯材是一单晶的导线芯材。
9.如权利要求7所述的半导体封装导线结合构造，其特征在于：所述导线芯材是一多晶的导线芯材，且所述同质镀层的晶粒粒径小于所述导线芯材的晶粒粒径。
10.如权利要求7所述的半导体封装导线结合构造，其特征在于：所述导线芯材的材质选自铜、铝、银或金，所述同质镀层的材质与所述导线芯材的材质相同。
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