[发明专利]封装组合与应用此封装组合的集成电路装置

权利要求书

1.一种覆晶封装组合，其特征在于，包含：

一第一基材；

一第二基材；以及

多个连接结构，设置于该第一基材和该第二基材之间，其中每两相邻的该些连接结构之间的距离以一间隙来定义；

其中每一该些连接结构包含位于该第一基材与该第二基材间的一内连接柱体以及位于该内连接柱体与该第二基材间的一连接焊料；

其中该内连接柱体具有一宽度和一第一高度；

其中该第一高度与该间隙彼此之间的关系以下列关系式来表示：

该第一高度＜0.5×该间隙。

2.根据权利要求1所述的覆晶封装组合，其特征在于，该宽度与该间隙彼此之间的关系是以下列关系式来表示：

该宽度＞0.6×该间隙。

3.根据权利要求2所述的覆晶封装组合，其特征在于，该第一高度与该间隙彼此之间的关系式是以下列关系式来表示：

0.21×该间隙＜该第一高度＜0.24×该间隙。

4.根据权利要求1所述的覆晶封装组合，其特征在于，该连接结构具有一第二高度，而该连接焊料具有一第三高度，其中该第二高度和该第三高度的一比值是以下式来表示：

该第三高度/该第二高度＞0.44。

5.一种集成电路，其特征在于，包含：

一半导体基材，包含多个接合垫；以及

多个凸块结构，形成于该半导体基材上方并电性连接至该些接合垫，其中每两相邻的该些凸块结构之间的距离是以一间隙来定义；

其中，每一该些凸块结构包含一铜柱，该铜柱具有一宽度和一高度，且该高度小于该间隙的一半。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，该宽度与该间隙的比值大于0.6。

7.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，该高度与该间隙的比值介于0.24和0.21之间。

8.一种封装组合，其特征在于，包含：

一第一基材和一第二基材；以及

多个连接结构，耦接于该第一基材和该第二基材之间，该些连接结构包含一内连接柱体和一连接焊料，其中每两相邻的该些连接结构之间的距离是以一间隙来定义；

其中，该连接结构具有一第一高度，该内连接柱体具有一第二高度，而该焊料具有一第三高度，该第二高度小于该间隙的一半。

9.根据权利要求8所述的封装组合，其特征在于，该第三高度和该第一高度的比值大于0.44。

10.根据权利要求8所述的封装组合，其特征在于，该第一高度和该间隙的比值的范围介于0.21至0.24之间。