[发明专利]再分布结构及其制作方法和再分布凸点及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种再分布结构及其制作方法和再分布凸点及其制作方法。

背景技术

晶片级封装(Wafer Level Chip Scale Package，WLCSP)是一种可以使集成电路(IC)面向下贴装到印刷电路板上的CSP封装技术，晶片的焊点通过独立的锡球焊接到印刷电路板的焊盘上，不需要任何填充材料。这种技术的第一个优点是集成电路到印刷电路板之间的电感很小，第二个优点是缩小了封装尺寸和生产周期并提高了热传导性能。

在集成电路晶片尺寸逐步缩小，集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装技术提出了越来越高的要求，凸点的尺寸不仅越做越小，而且分布也越来越密集。申请号为03140656的中国专利申请文件提供了一种微细间距倒装焊凸点电镀制备技术，能够满足焊球边间距50um以上，焊球直径在50至300um的要求，但是，在晶片级封装中，连接点的分布更加密集，因此，需要对用于形成凸点的连接点进行再分布，避免过多的凸点互相接触导致凸点之间短路。所谓的凸点再分布就是将晶片上做好的需要形成连接点的开口重新进行分布，转移至晶片的其它位置，并形成凸点，以实现凸点的合理分布。

现有技术中凸点制作之前的结构参考附图1所示，晶片10在进入凸点制作工艺之前，晶片10上已经完成钝化层11和焊盘12的形成工艺，其中，钝化层11形成有开口，焊盘12位于钝化层11的开口处，凸点就形成在焊盘12之上。为了将连接点进行再分布，需要将连接点下的焊盘以及钝化层的开口进行再分布，本发明中，将进行再分布的焊盘和钝化层以及钝化层开口称为再分布结构。

参考附图2所示，在焊盘12以及钝化层11上形成第一绝缘层13，所述第一绝缘层13的材料为苯并环丁烯树脂(Benzocyclobutene，BCB)，之后，在所述第一绝缘层13上形成第二开口16，第二开口16的位置与焊盘12的位置相对应。

参考附图3所示，在第一绝缘层13上以及第二开口16内形成金属层14，所述金属层14为铜，金属层14要求完全覆盖第二开口16并在第一绝缘层13上延伸至再分布凸点的位置，之后，参考附图4所示，在金属层14以及第一绝缘层13上形成第二绝缘层15，并在第二绝缘层15上形成第三开口17，第三开口17的位置即为需要形成再分布凸点的位置。最后，按照现有技术，在第三开口17以及第二绝缘层15上形成凸点下金属层(Under-Bump Metallurgy；UBM)，并沉积凸点焊料，回流焊料形成凸点。

上述再分布凸点的结构复杂，形成步骤较多，工艺复杂，而且再分布路线即金属层14采用铜，而铜在空气中比较容易发生氧化，导致金属铜表面变得粗糙。

发明内容

本发明解决的问题是现有技术凸点再分布凸点的结构复杂，工艺步骤较多，并且再分布路线采用的金属比较容易被腐蚀的缺陷。

为解决上述问题，本发明提供一种再分布结构，包括：表面具有第一钝化层的晶片；第一开口，位于第一钝化层内并暴露出晶片表面；再分布金属层，位于第一钝化层上并填充第一开口；第二钝化层，覆盖再分布金属层；第二开口，位于第二钝化层内，并暴露出再分布金属层，第一开口和第二开口错开分布。

本发明还提供一种再分布结构的形成方法，包括：提供表面具有第一钝化层的晶片，第一钝化层具有第一开口；在晶片的第一钝化层表面形成再分布金属层，填充第一开口并覆盖第一钝化层；在再分布金属层表面形成第二钝化层；在第二钝化层上形成与第一开口错开分布的第二开口，暴露出再分布金属层。

进一步，本发明提供一种再分布凸点，包括：提供表面具有第一钝化层的晶片；第一开口，位于第一钝化层内并暴露出晶片表面；再分布金属层，位于第一钝化层上并填充第一开口；第二钝化层，覆盖再分布金属层；第二开口，位于第二钝化层内，并暴露出再分布金属层，第一开口和第二开口错开分布；凸点下金属层，位于第二开口内并覆盖再分布金属层；凸点，位于凸点下金属层上。

本发明还提供一种再分布凸点的形成方法，包括：提供表面具有第一钝化层的晶片，第一钝化层具有第一开口；在晶片的第一钝化层表面形成再分布金属层，填充第一开口并覆盖第一钝化层；在再分布金属层表面形成第二钝化层；在第二钝化层上形成与第一开口错开分布的第二开口，暴露出再分布金属层；在第二开口内形成覆盖再分布金属层的凸点下金属层；在凸点下金属层上形成再分布凸点。