[发明专利]再分布结构及其制作方法和再分布凸点及其制作方法

权利要求书

1.一种用于晶片级封装的再分布凸点，其特征在于，包括：提供表面具有第一钝化层的晶片；第一开口，位于第一钝化层内并暴露出晶片上的布线层；再分布金属层，位于第一钝化层上并填充第一开口；第二钝化层，覆盖再分布金属层；第二开口，位于第二钝化层内，并暴露出再分布金属层，第一开口和第二开口错开分布；凸点下金属层，位于第二开口内并覆盖再分布金属层；凸点，位于凸点下金属层上。

2.根据权利要求1所述的用于晶片级封装的再分布凸点，其特征在于，所述再分布金属层材料为铝。

3.根据权利要求1所述的用于晶片级封装的再分布凸点，其特征在于，所述第二钝化层为苯并环丁烯树脂或者聚酰亚胺。

4.根据权利要求1所述的用于晶片级封装的再分布凸点，其特征在于，所述第一钝化层为氮化硅或者氧化硅。

5.一种用于晶片级封装的再分布凸点的形成方法，其特征在于，包括：提供表面具有第一钝化层的晶片，第一钝化层具有第一开口，所述第一开口，位于第一钝化层内并暴露出晶片上的布线层；在晶片的第一钝化层表面形成再分布金属层，填充第一开口并覆盖第一钝化层；在再分布金属层表面形成第二钝化层；在第二钝化层上形成与第一开口错开分布的第二开口，暴露出再分布金属层；在第二开口内形成覆盖再分布金属层的凸点下金属层；在凸点下金属层上形成再分布凸点。

6.根据权利要求5所述的用于晶片级封装的再分布凸点的形成方法，其特征在于，所述再分布金属层材料为铝。

7.根据权利要求5所述的用于晶片级封装的再分布凸点的形成方法，其特征在于，所述第二钝化层为苯并环丁烯树脂或者聚酰亚胺。

8.根据权利要求5所述的用于晶片级封装的再分布凸点的形成方法，其特征在于，所述第一钝化层为氮化硅或者氧化硅。

9.根据权利要求5所述的用于晶片级封装的再分布凸点的形成方法，其特征在于，在凸点下金属层上形成再分布凸点的工艺包括：在凸点下金属层上形成光刻胶层、并通过曝光和显影形成光刻胶开口，光刻胶开口位置与第二开口对应；在光刻胶开口位置的凸点下金属层上形成焊料；去除光刻胶和凸点下金属层；回流焊料形成再分布凸点。