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[发明专利]一种降低关断损耗的IGBT芯片及其制作方法-CN202311158576.6在审
发明人：彭贤春;刘坤;滕渊;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2023-09-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低关断损耗的IGBT芯片及其制作方法，该IGBT芯片包括顶层金属层、P+发射极、N+发射极、P型体区、CS层、栅极多晶硅、栅极氧化层、N‑Sub、N型场终止区以及P+集电极；其中，所述由栅极多晶硅和栅极氧化层构成的沟槽栅极结构间增加有耗尽栅结构。本发明通过引入耗尽栅结构，当IGBT导通时，耗尽栅中间包围的区域表现为高阻态，在IGBT导通时不提供电流路径；当IGBT关断时，电流路径打开，快速提取器件的空穴，降低IGBT的关断损耗。
一种降低损耗 igbt 芯片及其制作方法

[发明专利]一种可降低VF的IGBT芯片及其制作方法-CN202311158549.9在审
发明人：彭贤春;刘坤;滕渊;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2023-09-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种可降低VF的IGBT芯片及其制作方法，该IGBT芯片包括顶层金属层、N+发射极、P型体区、CS层、P型掺杂区、N‑Sub、N型场终止区以及P+集电极；其中，通过调节P型掺杂区和CS层浓度以降低芯片正向导通压降VF。本发明在栅极沟槽底部引入P型掺杂区，通过调节P型掺杂区浓度，不影响器件击穿电压下增加CS层浓度，减小器件VF，降低静态导通损耗，减小沟槽底部电场强度，提升了栅氧可靠性。
一种降低 vf igbt 芯片及其制作方法

[发明专利]一种IGBT及其制作方法-CN201510784090.2有效
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种IGBT及其制作方法，该IGBT包括：半导体衬底、位于半导体衬底第一表面的正面结构和终端结构、位于半导体衬底第二表面的背面结构，和位于半导体衬底侧面的隔离层，隔离层覆盖半导体衬底的侧面、终端结构的侧面和背面结构的侧面，使得本发明实施例所提供的IGBT中，其PN结不会出现在IGBT的侧面，从而避免了IGBT在其背面的PN结反偏时，其载流子从PN结侧面边缘流出，产生的漏电现象，提高了IGBT的反向阻断能力。而且，本发明实施例所提供的IGBT制作方法，不需要长时间的热扩散，加工时间较短，对IGBT的生产效率影响不大。
一种 igbt 及其制作方法

[发明专利]IGBT器件及其制作方法-CN201510776865.1有效
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种IGBT器件及其制作方法，包括：基底，所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区；位于所述基底正面的第一介质层以及位于所述第一介质层表面的栅极，所述栅极和所述本体层之间的第一介质层的厚度范围为1nm～100nm；位于所述栅极表面的第二介质层以及位于所述第二介质层和所述基底正面的发射极。由于栅极和本体层之间的第一介质层的厚度限定在1nm～100nm的范围内，因此，减小了栅极与基底背面集电极之间的密勒电容的间距，增大了密勒电容，进而降低了IGBT器件在开通和关断的过程中所承受的电压的变化率，提高了IGBT器件的抗闩锁能力。
igbt 器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件的集电极结构及TI-IGBT-CN201410133404.8有效
发明人：张文亮;朱阳军;滕渊 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2014-04-03 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的集电极结构及TI‑IGBT，其中集电极结构包括：与漂移区的掺杂类型相反的集电区；与漂移区的掺杂类型相同的短路区，短路区与集电区相互隔离；形成于集电区与短路区背离漂移区一侧的集电极；覆盖集电区与短路区之间的集电极的绝缘体，绝缘体背离漂移区一侧的表面与集电区和短路区之间的集电极的表面相接触，朝向漂移区一侧的表面与漂移区的表面相接触，且与集电区和短路区均相接触。由于上述背面结构中从集电区上方传输至短路区的电子电流的传导路径为集电极上方→绝缘体上方→短路区上方，因此电子传导路径的电阻较大，从而用更小尺寸的集电区就可以完全抑制回跳现象，最终提高了器件的抗短路和功率循环能力。
半导体器件集电极结构 ti igbt

[实用新型]一种化学实验用试管摆放装置-CN201822019963.2有效
发明人：滕渊 -专利权人：滕渊
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： B01L9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化学实验用试管摆放装置，涉及实验器械技术领域，该化学实验用试管摆放装置，包括接水盘，所述接水盘的一侧设置有把手固定孔，所述把手固定孔的内部安装有把手固定螺丝，所述接水盘靠近把手固定孔的一侧安装有把手，所述接水盘的内部安装有吸水海绵，所述吸水海绵的顶部安装有海绵拉手，所述接水盘的中心处安装有支撑柱。该化学实验用试管摆放装置，通过设置吸水海绵和海绵拉手，晾干杆外表面套接的试管中的水直接掉落到吸水海绵上进行吸收，海绵拉手可以将吸水海绵取出进行排水，通过设置晾干杆和橡皮块，清洗后的试管可以套接于晾干杆上，橡皮块的作用是保护玻璃材质的试管不被损坏。
试管吸水海绵接水盘摆放装置化学实验把手固定孔晾干海绵拉手内部安装橡皮块套接把手器械技术领域本实用新型玻璃材质顶部安装杆外表面固定螺丝支撑柱中心处掉落清洗排水取出吸收

[发明专利]一种逆阻型绝缘栅型双极晶体管的制作方法-CN201310590102.9有效
发明人：张文亮;朱阳军;卢烁今;田晓丽;滕渊 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆阻型绝缘栅型双极晶体管的制作方法，在制作逆阻型绝缘栅型双极晶体管的过程中，采用键合工艺将第一半导体基片和第二半导体基片键合到一起，提高了键合后的半导体基片的机械强度，降低了键合后的半导体基片在制作过程中碎片的概率，进而提高了成品率。
一种逆阻型绝缘双极晶体管制作方法

[发明专利]一种Trench‑RB‑IGBT的制备方法-CN201310616655.7有效
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种Trench‑RB‑IGBT的制备方法，包含制作IGBT的正面结构；在所述IGBT的背面刻蚀形成沟槽；对所述沟槽的槽壁进行B离子注入；向所述沟槽填充SiO2，得到所述Trench‑RB‑IGBT。本发明提供的Trench‑RB‑IGBT的制备方法，在IGBT的背面刻蚀形成沟槽，芯片之间划片后的断面为垂直面，不会出现脆弱的尖角，因此相对现有方案更加坚固。
一种 trench rb igbt 制备方法

[发明专利]IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法及测量系统-CN201510684821.6在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽;高君宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法及测量系统，通过第一电源在IGBT芯片的栅极和发射极之间施加一第一预设电压，使得IGBT芯片内部的沟道产生反型层，反型层将发射极与漂移区连接起来，在测量时，将第二电源提供的第二电压施加在发射极和集电极上，相当于施加在了漂移区和集电极上，进而通过测量集电极和发射极之间的电流达到预设电流时，此时施加在集电极和发射极之间的第二电压即为IGBT芯片背面PN结击穿电压，本发明提供的技术方案不仅保证了测量结果的准确度高，而且测量方法简单易实现。
igbt 芯片背面 pn 击穿电压测量方法测量系统

[发明专利]高压IGBT芯片及其制作方法-CN201510675657.2在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽;高君宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压IGBT芯片及其制作方法，包括提供基底，所述基底包括多个IGBT单元；在所述基底的划片区形成沟槽，以便通过所述沟槽对所述基底进行分割，其中，所述划片区位于所述IGBT单元之间。从而可以将具有IGBT单元的芯片划透，即背面不再具有连接部分，避免了由于背面崩裂而影响PN结性能的问题。
高压 igbt 芯片及其制作方法

[发明专利]压接式IGBT器件-CN201510683900.5在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种压接式IGBT器件，其包括IGBT芯片和第一金属电极，其中，第一金属电极和IGBT芯片的发射极的压接区域与第一阱区相对的边缘之间具有第一预设距离，以及，第一金属电极和发射极的压接区域与第二阱区相对的边缘之间具有第二预设距离，可以根据具体的IGBT器件设定第一预设距离和第二预设距离，以使第一金属电极和发射极在压接时产生的压力不影响IGBT芯片的第一阱区和第二阱区，避免第一阱区和第二阱区产生电特性的变化。因此，相对于现有的IGBT器件，本发明提供的技术方案无需在IGBT芯片上设计特殊的压接区域，避免了IGBT芯片的浪费，节约了资源，降低了成本，且减小了IGBT器件的体积。
压接式 igbt 器件

[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201510550928.1在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该制作方法包括提供一衬底，所述衬底具有漂移区；在所述衬底上表面内形成阱区；在所述阱区内形成源区；在所述衬底下表面内形成集电区；形成正面电极结构以及背面电极结构；对所述漂移区进行载流子寿命控制，降低所述漂移区的载流子寿命。所述制作方法通过对漂移区进行载流子寿命控制，降低漂移区的载流子寿命，FRD从正偏转换为反偏时，注入到漂移区11的载流子可以快速的被复合掉，提高了关断速度，进而提高了开关速度。
一种逆导型绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN201510550931.3在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT及其制作方法，该制作方法包括提供一衬底；所述衬底具有漂移区，所述漂移区包括元胞区以及包围所述元胞区的终端区；在所述漂移区对应所述终端区的上表面内形成主结以及场限环；在漂移区对应所述元胞区的上表面内形成多个IGBT元胞；在所述漂移区的下表面内形成集电区；在所述漂移区内形成载流子低寿命薄层；其中，所述载流子低寿命薄层与所述终端区相对设置；所述载流子低寿命薄层用于降低集电区注入漂移区的空穴电流。该制作方法形成的IGBT具有载流子低寿命薄层，可以降低漂移区注入主结的电流，进而降低主结的电流密度，避免了主结发生动态雪崩击穿的问题。
一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]一种快恢复二极管及其制作方法-CN201510548524.9在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种FRD及其制作方法，该FRD包括衬底，所述衬底具有漂移区；设置在衬底上表面内的主结；设置在衬底上表内的场限环以及截止环，场限环包围所述主结，截止环包围所述场限环；设置在衬底下表面内的阴极区；设置在漂移区内的载流子低寿命薄层；其中，所述漂移区包括主结区以及终端区；主结设置在所述主结区内，所述场限环以及截止环设置在所述终端区内；所述载流子低寿命薄层位于所述场限环以及截止环的下方，且位于所述阴极区的上方。所述FRD通过所述载流子低寿命薄层可以降低主结边缘处的电流密度，便于FRD的反向恢复，防止了主结发生动态雪崩击穿，提高了FRD的安全工作区范围。所述FRD制作方法简单，制作成本低。
一种恢复二极管及其制作方法

[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201510548390.0在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该RC-IGBT包括衬底，所述衬底具有漂移区；设置在衬底上表面内的阱区；设置在阱区内的源区；设置在所述衬底下表面内的集电区；设置在所述漂移区内的载流子低寿命薄层；其中，所述衬底上表面包括中间区以及包围所述中间区的边缘区；所述阱区设置在所述衬底对应所述边缘区的上表面内；所述载流子低寿命薄层位于所述阱区下方；所述载流子低寿命薄层与阱区的距离小于与所述集电区的距离。所述RC-IGBT在阱区下方设置有载流子低寿命薄层，可以加快载流子复合速度，降低阱区对漂移区的空穴注入，进而降低FRD反向恢复电流，进而降低反向恢复时间，从而提高RC-IGBT的开关速度。
一种逆导型绝缘双极晶体管及其制作方法

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