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[发明专利]一种屏蔽栅沟槽型MOS器件结构及其制备方法-CN202310897820.4在审
发明人： 陈开宇;胡磊 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种屏蔽栅沟槽型MOS器件结构及其制备方法，MOS器件包括：外延层、沟槽栅结构、体区、源区、层间介质层及源极金属层，其中沟槽栅结构包括屏蔽栅极层、栅介质层和至少一个多晶硅栅极以及金属硅化物层，至少一个多晶硅栅极位于屏蔽栅极层的上方，金属硅化物层覆盖多晶硅栅极的上表面；层间介质层位于源区上且其中设置有显露体区的接触孔；源极金属层填充接触孔，本发明通过对沟槽栅结构改进，于多晶硅栅极层上设置金属硅化物层，并调控金属硅化物层的厚度，保证了优良的接触界面特性，降低了器件的栅极电阻，提升器件的开关速度和截止频率，还能减小器件的静态损耗，其制备工艺简单，可与常规的MOS工艺相兼容，降低生产成本，提高生产效率。
一种屏蔽沟槽 mos 器件结构及其制备方法

[发明专利]碳化硅基MOSFET器件及制作方法-CN202211644184.6有效
发明人： 陈开宇;王小文 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅基MOSFET器件及制作方法，通过优化版图设计在保留原有的JFET区的情况下于JFET区内设置屏蔽区，最大程度上保留了正向电压下JFET区内的通流区域，屏蔽区形成为与阱区相接合且自该阱区沿元胞阵列的对角线方向延伸进入JFET区，有效屏蔽反向偏压下的高电场区，达到实现器件可靠性提升的目的。本发明的碳化硅基MOSFET的制作方法中通过在形成阱区的同时于JFFT区内形成屏蔽区，没有引入额外工艺，不会增加器件的制作难度和制作成本，实现低导通电阻，同时避免栅氧化层底部的电场强度超过临界击穿场强所导致的可靠性降低。
碳化硅 mosfet 器件制作方法

[发明专利]逆导型IGBT器件及其制备方法-CN202310892475.5在审
发明人： 陈开宇 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种逆导型IGBT器件及其制备方法，包括缓冲层、漂移区、体区、源区、栅极结构、第二导电类型集电区、第一导电类型集电区、发射电极、栅极引出端及集电极，其中，相邻的第一导电类型集电区和第二导电类型集电区之间构成台阶，第二导电类型集电区的底面不低于第一导电类型集电区的顶面。本发明通过于第一导电类型集电区与第二导电类型集电区之间形成为台阶，提高缓冲层的扩展电阻，使得第二导电类型集电区和第一导电类型集电区之间的电压降增大，从而使器件尽快进入双极导通模式，降低了器件的电压折回效应。本发明的制备方法，具有制作工艺简单可控，与现有工艺兼容性强。
逆导型 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种温室大棚移动加湿机器人-CN202310295784.4有效
发明人：张慧珍;陈开宇;王盼盼 -专利权人：四川水利职业技术学院
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： A01G9/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种温室大棚移动加湿机器人，属于智能机器人技术领域，其包括移动座、储水罐、加湿装置、无线湿度传感器以及加水罐。移动座移动时，无线湿度传感器能够实时检测空气湿度，当检测到移动座当前位置的湿度低于无线湿度传感器的内置预设值时，无线湿度传感器控制加湿装置工作。储水罐用于对加湿装置进行供水，加水罐用于对储水罐进行补水，从而保证加湿装置能够正常工作。本发明公开的温室大棚移动加湿机器人可以带动加湿装置在大棚内进行移动，且在大棚内湿度不够的位置控制加湿器工作并对该区域进行加湿，这样可以保证大棚内各个位置的湿度较为均匀，且不易出现局部湿度过大而局部湿度过小的状况。
一种温室大棚移动加湿机器人

[发明专利]改性活性焦材料及其在高浓度有机污染物降解中的应用-CN202310235401.4在审
发明人：武利园;陈开宇;陈旭丹;朱齐;李海燕;李昂臻 -专利权人：北京建筑大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B01J27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性活性焦材料及其在高浓度有机污染物降解中的应用，所述改性活性焦材料的制备方法包括以下步骤：(1)将活性焦材料置于碱溶液中浸渍处理，结束后取出干燥；(2)将步骤(1)得到的材料进行球磨处理，所得改性活性焦材料作为催化剂应用有机污染物降解，步骤为：将改性活性焦材料与含有机污染物的废水充分混合后，再加入PMS，进行降解反应，有机污染物为有机染料或个人护理品，有机染料为罗丹明B或亚甲基蓝，个人护理品为双氯芬酸钠、磺胺甲恶唑、双酚A。本发明制得的改性活性焦材料具有丰富的官能团，较大的比表面积，微、介孔结构，碳、氮双空位缺陷活性位点，从而提高其吸附和催化性能，可与PMS协同催化有机污染物降解。
改性活性材料及其浓度有机污染物降解中的应用

[发明专利]沟槽型MOSFET电场保护结构及制备方法-CN202310287851.8在审
发明人： 陈开宇;王小文 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽型MOSFET电场保护结构及制备方法，通过形成底部具有斜角的所述沟槽，以及在所述沟槽下方采用自对准离子注入形成覆盖所述沟槽的底部及所述底部斜角的所述第二导电类型电场保护层，从而可通过优化所述沟槽的底部形状以及所述第二导电类型电场保护层改善所述沟槽底部电场较高的问题，以解决器件击穿电压及反偏可靠性较差的问题。
沟槽 mosfet 电场保护结构制备方法

[发明专利]平面型MOSFET栅漏电容调节结构及制备方法-CN202310287867.9在审
发明人： 陈开宇;王小文 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种平面型MOSFET栅漏电容调节结构及制备方法，通过所述第二导电类型电场屏蔽层实现栅漏电容的可控调节，同时通过相接触的所述第一导电类型电流扩展层和所述第一导电类型掺杂区以降低平面型MOSFET的导通电阻，从而解决平面型MOSFET导通电阻与栅漏电容的折中问题。
平面 mosfet 漏电调节结构制备方法

[发明专利]沟槽型MOSFET电场屏蔽保护结构及制备方法-CN202310286448.3在审
发明人：王小文;陈开宇 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽型MOSFET电场屏蔽保护结构及制备方法，通过在所述沟槽下方形成所述第二导电类型屏蔽层，以作为电场屏蔽保护层，并对所述第二导电类型屏蔽层的部分区域进行第一导电类型的高浓度掺杂可形成电流导通区域，从而可有效缓解所述沟槽底部电场较高的问题，并减小所述第一导电类型漂移区的电阻。
沟槽 mosfet 电场屏蔽保护结构制备方法

[发明专利]一种催化材料的制备方法及其应用-CN202110757989.0有效
发明人：武利园;陈开宇;王鑫;郭朋朋;李海燕;郭佳琪;刘启芸 -专利权人：北京建筑大学
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明公开了一种催化材料及其应用，通过超声改性丰富了硫化物催化材料的硫空位，然后向PMS体系中投加经过超声改性富含硫空位的硫化物催化材料，从而活化PMS产生自由基对水中有机污染物进行降解，该催化材料制备工艺简单、成本低廉、降解效果优异，具有潜在的工业应用价值。
一种催化材料制备方法及其应用

[发明专利]屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制作方法-CN202310243069.6在审
发明人： 陈开宇 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制作方法，包括衬底层以及并联设置于衬底层之上的多个器件元胞，器件元胞包括体区和位于体区中的源区，贯穿层间介质层、源区且延伸至体区中形成有源区接触孔，源区接触孔的底部形成有体接触区，多个器件元胞中的一些与其他器件元胞相比形成有更大横向宽度的体接触区，且多个器件元胞各自具有相等的单元尺寸。本发明使并联的器件元胞具有不同的开启电压，使得栅源电压上升的过程中仅一部分器件元胞先开启，整个器件而言功率密度减小，散热能力增强，从而可以提升器件的SOA能力。本发明的制作方法通过调整源区接触孔的掩膜版，无需改变元胞单元尺寸，不会增加额外的掩膜版制造成本。
屏蔽沟槽 mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]一种功率器件终端结构及制作方法-CN202310177426.3在审
发明人：王小文;陈开宇 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种功率器件终端结构及制作方法，该方法包括：提供碳化硅基衬底，碳化硅基衬底包括有源区和终端区；于终端区中形成环状沟槽；于终端区上依次形成场氧层和层间介质层；于碳化硅基衬底上形成覆盖层间介质层的钝化层，钝化层填充入环状沟槽中；于钝化层上形成保护层，保护层覆盖钝化层并延伸至终端区中远离有源区的一侧与碳化硅基衬底的上表面连接。本发明中于SiC衬底的终端区设置环状沟槽，提高了SiC表面粗糙度，进而提高钝化层/保护层与SiC衬底之间的粘附能力，有效避免SiC器件由于高温热膨胀不匹配而发生的钝化层/保护层剥离SiC衬底，从而避免器件高温失效，提高了SiC功率器件的高温可靠性。
一种功率器件终端结构制作方法

[发明专利]高可靠性的碳化硅基MOSFET器件及其制作方法-CN202211644189.9在审
发明人：王小文;陈开宇 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种高可靠性的碳化硅基MOSFET器件及其制作方法，通过优化版图设计在保留原有的JFET区的情况下于JFET区内浮空设置屏蔽区，极大程度上保留了JFET区内的通流区域，同时利用屏蔽区，优化阻断状态下JFET区的电场分布，使峰值电场分散并显著降低栅氧化层内电场强度，实现了器件可靠性和较小导通电阻之间的折中方案。本发明通过在形成碳化硅基MOSFET的阱区同时于JFFT区内形成屏蔽区，没有引入额外工艺，不会增加器件的制作难度和制作成本，实现低导通电阻，同时避免栅氧化层底部的电场强度超过临界击穿场强而影响器件可靠性。
可靠性碳化硅 mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制作方法-CN202211707824.3在审
发明人： 陈开宇;胡磊 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一半导体层；于半导体层中形成在水平方向上间隔交替排列的第一沟槽单元及第二沟槽单元，第一及第二沟槽单元分别包括至少一条第一沟槽、至少一条第二沟槽；于第一、第二沟槽中形成第一介质层、第一导电层、隔离层、第二介质层及第二导电层；于半导体层上形成源极及栅极，将第一沟槽及第二沟槽中的第一导电层及第二导电层分别与源极、栅极电连接。本发明的屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构在保持器件物理结构相同的基础上，改变器件内部电性互连结构，提高器件的热稳定性，从而提升器件的SOA性能，拓展屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构在负载开关、热插拔等技术领域的应用前景。
一种屏蔽沟槽场效应晶体管结构及其制作方法

[发明专利]一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管及其制作方法-CN202310167344.0在审
发明人： 陈开宇;胡磊 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：形成沿X方向间隔排列并往Y方向延伸的多个元胞区沟槽于半导体层中；形成沟槽栅结构于元胞区沟槽中；形成体区于半导体层的上表层；形成阻挡层于半导体层上方，并形成多个开口于阻挡层中以定义多个分立设置的离子注入区；基于多个离子注入区对半导体层进行离子注入以形成源区于体区的上表层；形成层间介质层；形成接触槽；形成电极层。本发明在通过离子注入形成源区时定义了多个分立设置的离子注入区，通过这种方式，器件元胞区没有进行源区离子注入的区域无法形成能够提供电子的源区，从而能够降低器件的电流密度，改善器件的散热能力，提升器件的安全工作区性能。
一种屏蔽沟槽场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]一种处理含盐有机废水的方法-CN202211382637.2在审
发明人：武利园;侯沉静;李江峰;陈开宇;李海燕;王鑫;姜媛媛 -专利权人：北京建筑大学
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C02F1/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理含盐有机废水的方法，所述含盐有机废水中含有氯离子、罗丹明B和苯甲酸以及其它污染物，所述的处理方法包括以下步骤：将催化剂加入含盐有机废水中，再加入PMS和H2O2，搅拌反应，结束后固液分离，上清液为处理后的含盐有机废水。本发明通过在原有PMS催化体系中加入了H2O2，在实现含盐有机废水中污染物的高效降解同时抑制有机卤化物的生成；本发明所采用的处理方法有效降低了反应体系的毒性，大大提高了污染物的矿化度，显著提高了含盐有机废水处理后的水质，保障了水体安全。
一种处理有机废水方法

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