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[发明专利]一种高纯钽钌合金靶材的真空热压烧结制备方法-CN201810663953.4有效
发明人：逯峙;游龙;郭帅东;王广欣;邓舜兰;杨斌;张鹏飞;闫焉服;孙浩亮;韩超;刘海洋 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯钽钌合金靶材的真空热压烧结制备方法，属于粉末冶金技术领域，所述制备方法包括原料粉的制备、混粉和靶材的真空热压烧结，具体包括如下步骤：将高纯钽和钌块体分别破碎成2mm并筛分，得钽粉和钌粉；对钽粉和钌粉球磨至粒度在5‑200μm；将球磨好的两种粉体按照一定比例混料，得混合料；将混合料干燥后装入石墨模具；将模具放入热压炉中进行真空热压烧结，烧结结束后得高纯钽钌合金靶材的坯体；然后按照磁控溅射镀膜设备要求，对坯体进行加工，得到高纯钽钌合金靶材。采用本发明的制备方法，可显著降低传统铸造法制备难熔合金靶材的技术难度，大大提高了材料组织和性能的可控性，有助于显著改善后期的镀膜性能。
一种高纯合金真空热压烧结制备方法

[发明专利]一种钴钽锆合金靶材的制备方法及其应用-CN201911149326.X有效
发明人：肖柱;方梅;李周;朱云天;陈志永 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C22C19/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种钴钽锆合金靶材的制备方法及其应用，属于特种材料制备技术领域，制备方法包括：通过成分设计、高真空垂熔+高真空电子束熔炼、三维等温热锻开坯和变角度控制轧制工艺等，以控制合金的组织结构及靶材性能，制备出高品质的钴钽锆合金靶材，所述的钴钽锆合金靶材，氧含量≤15ppm，平均晶粒度为5～20μm，靶材中相分布均匀，透磁率大于40％，透磁率不均匀性小于2％。本发明所设计的工艺，能够有效控制成品靶材的氧含量、组织结构均匀性及磁性能，这为其溅射出高品质薄膜提供了原材料保障。
一种钴钽锆合金制备方法及其应用

[发明专利]一种氧化铟钛镱粉体及其制备方法与应用-CN202111536233.X在审
发明人：李晴晴;邵学亮;李开杰;张来稳;王奇峰 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟钛镱粉体及其制备方法与应用，属于氧化铟掺杂粉体制备技术领域；本发明的氧化铟钛镱粉体的结构式为In1‑x‑y90‑D10)/D50≤0.746；本发明的技术方案提供的氧化铟钛镱粉体，选择采用钛和镱作为掺杂元素掺入氧化铟粉体中，从而可以制备得到成分均一、粒径分布集中的氧化铟钛镱粉体；本发明提供的技术方案提供的氧化铟钛镱粉体的制备工艺简单、制备效率高，因此能直接应用于工业生产，制备得到的产品可用于制备高密度、高均匀度、具备优异光电特性的氧化铟钛镱靶材。
一种氧化铟钛镱粉体及其制备方法应用

[发明专利]铜铟镓硒靶材金属化层制备方法-CN201510232814.2在审
发明人：吕宏;谢元锋;夏扬 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： B22F3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒靶材金属化层制备方法，在制备铜铟镓硒靶材的同时制备金属化层，属于有色金属加工领域。首先，将石墨垫板置于热压炉模具的下压头上，然后将金属片放在石墨垫板上，放入铜铟镓硒粉料，再放入上压头，将模具放于热压炉中进行热压烧结，在升温的同时加压，进行保温保压，然后冷却至室温；然后，将靶材从热压炉中取出，先加工靶面，然后加工金属化层，根据需要的金属化层的厚度确定加工量。本发明方法得到的铜铟镓硒靶材金属化层易于钎焊；导电、导热性能好；成本低，与靶材制备过程同步，大大降低生产成本。
铜铟镓硒靶材金属化制备方法

[发明专利]一种氧化铟锡靶材的烧结工艺-CN202310248397.5在审
发明人：高建成;张莉兰;徐涛;汪强;钟小华 -专利权人：先导薄膜材料（安徽）有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟锡靶材的烧结工艺，属于氧化铟锡靶材制备技术领域，将氧化铟和氧化锡原料制备成坯体后，采用靶材烧结系统进行预脱脂、脱脂和烧结，最终制备出氧化铟锡靶材；坯体首先在氩气的氛围下预脱脂，氩气为惰性气体不会与坯体中的成分发生反应，使坯体完全固化成型，然后升高温度继续脱脂，使坯体中聚乙烯醇等成分在高温下分解，通过分步脱除水分和有机粘结性物质的方式，能够减小坯体单位时间内气体逸散的量，从而避免坯体出现裂纹；气氛的转换通过靶材烧结系统进行控制，防止炉膛内的压力、温度浮动过大；通过精确的升温和降温调节，有助于控制氧化铟锡靶材晶粒和致密程度达到最佳状态，有助于提高产品质量。
一种氧化铟锡靶材烧结工艺

[发明专利]用于铜互连的钛掺杂钽基阻挡层及其制造方法-CN201110298197.8有效
发明人：康晓春;何朋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于铜互连的钛掺杂钽基阻挡层及其制造方法，所述钛掺杂钽基阻挡层包括钛掺杂钽氮薄膜和位于所述钛掺杂钽氮薄膜上的钛掺杂钽薄膜，其中所述钛掺杂钽氮薄膜中钛占钛钽总原子数的百分比为0.1％～2.2％；所述钛掺杂钽薄膜中钛占总原子数的百分比为0.1％～2.2％。相比于现有技术，作为铜互连的阻挡层由现有技术中的钽薄膜/钽氮薄膜组成的钽基阻挡层改变为钛掺杂钽薄膜/钛掺杂钽氮薄膜组成的钛掺杂钽基阻挡层，钛掺杂钽基阻挡层的制造方法是在形成阻挡层过程中，将靶材料从钽更改为钽钛固熔体，其中钛占钛钽原子数比例为0.1％～2.2％，从而大幅提高阻挡层及半导体器件的性能。
用于互连掺杂阻挡及其制造方法

[发明专利]一种铟锡合金靶材及其制备方法-CN202010540058.0有效
发明人：黄宇彬;梁振耀;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟锡合金靶材的制备方法，具体为：将金属铟和金属锡放入坩埚中，加热熔化，搅拌至熔体成分均匀；将熔体浇铸成型，得到铟锡合金铸锭；对铟锡合金铸锭进行轧制，得到铟锡合金坯；将铟锡合金坯加工至比目标尺寸厚的粗靶坯，且粗靶坯的绑定面加工至光滑；将配套的背板和粗靶坯分别以低于粗靶坯临界熔点的温度进行加热并保温，然后将两者贴合夹紧并逐步冷却至室温，绑定合格后，将粗靶坯加工至目标尺寸。本发明可实现快速批量生产铟锡靶材，靶坯与背板之间不存在任何熔融介质，靶坯纯度高，晶粒大小均匀且粒度较小，平均粒度为100～150μm，组分均匀性好，铟锡组分偏差小于±0.5％，溅射效果好。
一种合金及其制备方法

[发明专利]ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法-CN201811068915.0在审
发明人：余芳;朱刘;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种ITO靶材或其他陶瓷靶材的绑定方法，其包括如下步骤：S1、靶坯表面金属化；S2、背板表面金属化；S3、绑定铟层的处理；S4、靶材绑定；S5、降温。本方法利用铟来绑定ITO的靶坯和背板，所得到的ITO靶材或其他陶瓷靶材的冷却及电接触性能良好、导热性能良好，其焊合率大于98%，高于现有技术，且在实际应用中，所制备得到的ITO靶材或其他陶瓷靶材在溅射中未出现溅射不均匀和靶材开裂问题
绑定陶瓷靶材靶材溅射表面金属化电接触性能背板表面导热性能金属化背板焊合制备铟层冷却应用

[发明专利]一种高纯铜铟镓浇注旋转靶材的制作方法及模具-CN202210917930.8在审
发明人：张蛟;徐国军;刘丽红;徐德林;杨锋锋 -专利权人：安徽狄拉克新材料科技有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23C4/02 文献下载
摘要：本发明涉及靶材加工技术领域，具体涉及一种高纯铜铟镓浇注旋转靶材的制作方法及模具，制作方法包括如下步骤：步骤一、对背衬管进行粗化处理；步骤二、对背衬管喷涂铜铟镓粉体涂层，之后将背衬管放入模具内；步骤三、将所述模具置于真空感应熔炼炉内；之后依次经熔炼浇注、降温、机加工、检测和包装后，制得靶材。采用本发明的制作方法，靶材气体杂质含量低，可以控制到100ppm以下，靶材纯度可以做到99.9995％以上：背衬管上喷涂铜铟镓涂层，可以有效隔离浇注过程中背衬管元素扩散至靶材，也增加靶材与背衬管的结合强度
一种高纯铜铟镓浇注旋转制作方法模具

[发明专利]一种低密度ITO靶材的制备方法-CN201910773128.4有效
发明人：叶俊峰;文宏福 -专利权人：广东欧莱高新材料股份有限公司;东莞市欧莱溅射靶材有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明涉及一种低密度ITO靶材的制备方法，包括以下步骤：S1、回收ITO废靶，并对所述ITO废靶进行预处理，获得ITO废靶粉末；S2、制备氢氧化铟浆料，根据配比，将一定量的所述氢氧化铟浆料与所述ITO废靶粉末混合、烘干后获得新配比的ITO粉末；S3、将所述ITO粉末压制成型获得坯体，将所述坯体烧结后获得所述低密度靶材。相对于现有技术，本发明的低密度ITO靶材通过添加氢氧化铟浆料改变ITO废靶中的铟、锡配比，利用了氢氧化铟浆料的类似胶体的性质，其能够充分与原ITO粉末混合，并充当粘接剂的角色，氢氧化铟脱水形成氧化铟的过程中不会使坯体收缩，保证成型后坯体的体积密度的稳定，克服了使用氧化铟作为改变配比的添加剂时引成型起坯体收缩的技术缺陷。
一种密度 ito 制备方法

[发明专利]一种锂离子固态电池锂负极及其制备方法-CN202010246154.4在审
发明人：杨书廷;王秋娴;高志文;岳红云 -专利权人：河南电池研究院有限公司;河南师范大学
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子固态电池锂负极，用磁控溅射沉积在金属锂片表面的第一缓冲层和涂覆在第一缓冲层上的第二缓冲层；第一缓冲层所用靶材为钛酸锂、锂镧锆钽氧、二氧化钛、二氧化锡、氧化亚硅、二氧化硅、氧化铁、金属铝、金属铟、金属钡或金属钙；所述第二缓冲层为高分子聚合物与无机颗粒的复合薄膜。
一种锂离子固态电池负极及其制备方法

[发明专利]一种新型CIGS电极用钛合金复合靶材镀膜及其制备方法-CN201811488519.3在审
发明人：王家和;黄信二 -专利权人：研创应用材料（赣州）股份有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型CIGS电极用钛合金复合靶材镀膜及其制备方法，制备该镀膜的钛合金复合靶材包括钛钠复合靶材和钛钾复合靶材中的至少一种，所述钛钠复合靶材和钛钾复合靶材分别为钛粉末与钛钠氧化物粉末、钛粉末与钛钾氧化物粉末通过热压成型工艺制成在制得钛钠复合靶材和钛钾复合靶材基础上，分别以钛钠复合靶材和钛钾复合靶材为材料，或者同时以钛钠复合靶材和钛钾复合靶材为材料通过真空溅镀的方式制得复合靶材镀膜，本发明的钛合金靶材制程温度相对较低，且材料化性及物性较稳定，原料相对便宜，既降低了靶材生产成本，又提高了靶材的产率，应用于CIGS薄膜太阳能电池组件中可以显著提高CIGS薄膜太阳能电池的光电转换效率。
复合靶材钛钾钛合金镀膜靶材制备钛粉末电极光电转换效率氧化物粉末物性材料通过钠氧化物热压成型真空溅镀材料化产率制程生产成本应用

[发明专利]平面铟靶材机加工方法-CN201811435294.5在审
发明人：林进萍;韦筠寰 -专利权人：柳州煜华科技有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： B24B27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面铟靶材机加工方法，涉及机械制造技术领域；包括如下步骤：A、改装磨切机床；B、制作磨切刀具：制成圆盘形的切割片，磨切刀具直径380mm～450mm，切割刀刃厚度2.5mm～3.5mm；C、加工准备：将靶材固定在磨切机床工作台上，设定磨切机床工作台进给速度为10mm/min～60mm/min，设定磨切刀具的线速度为20m/s～50m/s；D、加工靶材：磨切平面铟靶材的四个侧面，加工后平面铟靶材尺寸公差控制在本发明可以解决目前平面铟靶材线切割加工生产效率低、加工面粗糙度低的问题。
磨切铟靶刀具机加工靶材机床加工机械制造技术加工面粗糙度表面粗糙度机床工作台线切割加工尺寸公差切割刀刃生产效率后平面切割片切平面圆盘形进给改装侧面制作

[发明专利]一种氧化铟镓锌管状靶材的短流程制备方法-CN201810645418.6有效
发明人：孙本双;何季麟;舒永春;曾学云;陈杰;李庆奎 -专利权人：郑州大学
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化铟镓锌管状靶材的短流程制备方法，包括氧化铟粉末、氧化镓粉末和氧化锌粉末球磨混匀，得到混合粉体；混合粉体与料浆液混合，得到料浆，该料浆中混合粉体的质量含量设置在30％～50％之间；料浆浇注到管状靶材模具，成型脱模，干燥，得到管状靶材素坯；一体化脱脂烧结管状靶材素坯，得到氧化铟镓锌管状靶材。采用脱脂烧结一体化工艺，烧结温度降低，烧结时间大大缩短，实现了快速活化烧结，抑制了晶粒长大，制备的氧化铟镓锌管状靶材的晶粒细小、均匀，平均晶粒度为4μm～5.6μm，致密度高，其相对密度可到99.6％以上
管状靶材氧化铟镓锌烧结混合粉体制备脱脂短流程料浆素坯收缩平均晶粒度氧化锌粉末氧化铟粉末氧化镓粉末一体化工艺活化烧结晶粒长大料浆浇注温度降低晶粒料浆液管口混匀球磨脱模成型模具一体化

[发明专利]铟靶材及其制造方法-CN201180004828.9有效
发明人：远藤瑶辅;坂本胜 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种从溅射开始至结束的成膜速率或放电电压等溅射特性稳定的铟靶材及其制造方法。该铟靶材为具有从靶材的一个表面至另一表面在所述靶材的厚度方向上延伸的柱状晶组织，且柱状晶组织的体积含量百分比为90~100%。
铟靶材及其制造方法