专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]铟锆硅氧化物靶材及其制法及铟锆硅氧化物薄膜-CN202110156495.7有效
  • 陈美涵;谢承谚;刘砚鸣 - 光洋应用材料科技股份有限公司
  • 2021-02-04 - 2023-09-26 - C04B35/01
  • 本发明提供一种铟锆硅氧化物靶材,其包含硅酸锆结晶相及三氧化二铟结晶相。藉由控制铟锆硅氧化物靶材所包含的结晶相,可使铟锆硅氧化物靶材维持高相对密度并具有低于4×10‑3奥姆‑厘米的平均体电阻率,从而显著降低直流溅镀期间发生的电弧放电次数。本发明另提供上述铟锆硅氧化物靶材的制作方法,其是将硅酸锆粉末及三氧化二铟粉末于真空环境下利用热压烧结的方式制备铟锆硅氧化物靶材,借以防止铟锆硅氧化物靶材产生双硅酸二铟结晶相。本发明亦提供一种铟锆硅氧化物薄膜,其是利用本发明的铟锆硅氧化物靶材经直流溅镀法溅镀而成。
  • 铟锆硅氧化物及其制法薄膜
  • [发明专利]一种高密度IZTO靶材的制备方法-CN202310719195.4在审
  • 曾墩风;陈光园;王志强;曾探;赵岩 - 芜湖映日科技股份有限公司
  • 2023-06-16 - 2023-09-19 - C04B35/01
  • 本发明涉及靶材技术领域,具体涉及一种高密度IZTO靶材的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:S1原材料选择、S2氧化锌球磨、S3混合球磨、S4喷雾造粒、S5压力成型、S6靶材烧结。本发明选用特定BET值的氧化铟、氧化锡和氧化锌作为原材料,通过搅拌球磨使粉末混合均匀,经离心式喷雾造粒机干燥造成IZTO粉末,再使用等静压成型机将IZTO粉末压缩成素胚,然后在常压氧气气氛下进行烧结处理,控制升温速率和保温时间以实现高密度靶材的制备。与传统工艺相比,该方案可大幅度提高靶材的密度和均匀性,具有显著的应用价值。
  • 一种高密度izto制备方法
  • [发明专利]一种ZTO靶材及其制备方法-CN202310738271.6在审
  • 侯宇航;周贤界;徐红星;关泽汉;卢晓鹏 - 深圳众诚达应用材料股份有限公司
  • 2023-06-21 - 2023-09-15 - C04B35/01
  • 本发明公开了一种ZTO靶材及其制备方法,属于镀膜材料技术领域。该制备方法为将ZnO粉末和SnO2粉末分别球磨形成各自的浆料;将两种浆料混合,加入去离子水、分散剂和粘结剂,二次球磨混料后,喷雾干燥得到混合造粒粉,进行冷等静压,获得素坯;在真空条件下对素坯进行热压烧结,随炉冷却至室温,获得氧化锌锡靶材半成品;对氧化锌锡靶材半成品进行后处理得到靶材成品。本发明通过用不同的球磨处理得到适当粒径的ZnO和SnO2粉末,同时选择合适的分散剂和粘结剂,分别对两种粉末颗粒进行塑性包裹、表面改性,结合三段热压烧结工艺,得到气孔少、内部组织晶粒均匀细、纯度和致密度高、不容易开裂且机加工性能优良的氧化锌锡陶瓷靶材。
  • 一种zto及其制备方法

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