专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]-CN201120184284.6有效
  • 费伟 - 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
  • 2011-06-02 - 2012-03-07 - C23C14/14
  • 本实用新型公开了一种,该包括:本体;设置在本体上的预设位置处的凸起。本实用新型所提供的,由于在本体的预设位置处设置有凸起,所述凸起可增加预设位置处的厚度,所述预设位置对应在溅射过程中受高能量粒子撞击比较严重的位置,因此,在预设位置处设置凸起可延长所述预设位置处的承受高能量粒子撞击的时间,使得此处不会轻易被撞击形成凹坑,进而可延长该的使用寿命。除此之外,该在寿命耗尽时,其上剩余的材料较少,进而避免了材料的浪费,节省了工艺成本。
  • 靶材
  • [发明专利]-CN201680042827.6在审
  • 上滩真史;斉藤和也;玉田悠;上野英 - 日立金属株式会社
  • 2016-07-26 - 2018-03-27 - C23C14/34
  • 提供用以抑制溅射时栅极电极的污染,且形成获得稳定的薄膜晶体管特性的栅极电极的。本发明是一种如下的,其是含有合计50原子%以下的选自由W、Nb、Ta、Ni、Ti、Cr所组成的群组的一种或两种以上的元素M,剩余部分包含Mo及不可避免的杂质的,不可避免的杂质之一的K为0.4质量
  • 靶材
  • [实用新型]一种可提高利用率的-CN201520217063.2有效
  • 刘林;檀玉珩 - 山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司
  • 2015-04-13 - 2015-08-12 - C23C14/34
  • 本实用新型涉及一种可提高利用率的座。一种可提高利用率的座,包括:;导电膜层,位于下方;背板,其上表面设置导电膜层;冷却层,设于背板下方;磁场层,设于冷却层下方;基座,设于磁场层下方;陶瓷组件,包括陶瓷组件正极、陶瓷组件负极和陶瓷密封焊接件,所述陶瓷组件正极和陶瓷组件负极贯穿背板、冷却层、磁场层、基座设置,所述导电膜层和背板通过陶瓷密封焊接件连接。本一种可提高利用率的座,可提高该的使用寿命,当该使用寿命耗尽的时候,上所剩的材料也不是太多,从而避免了材料的浪费,节约了成本,实现利用的最大值。
  • 一种提高利用率
  • [发明专利]检测平台、检测装置以及检测方法-CN201410855622.2在审
  • 姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;李健成 - 宁波江丰电子材料股份有限公司
  • 2014-12-31 - 2016-07-27 - G01B5/20
  • 本发明提供一种检测平台、检测装置以及检测方法,所述检测平台为长方体;在所述检测平台的上表面设有两个沿长方形上表面的宽度方向,且相互平行的条形凹槽,用于在叉车将放置在检测平台上表面时因此,在采用本发明所提供的检测平台做弯曲度检测时,可以采用叉车将放置到检测平台上表面,较现有技术的人工搬运更为方便安全。本发明还提供一种检测的方法,包括:将放置在所述检测平台上表面;用塞尺插入检测平台上表面与之间的空隙中,测量检测平台上表面间的空隙高度,所述方法成本低廉,并且量测时间较短,提高了生产效率
  • 检测平台装置以及方法
  • [实用新型]一种真空镀膜行业溅射靶中的铜-CN202122283247.7有效
  • 王刚 - 苏州联鑫新材料技术有限公司
  • 2021-09-22 - 2022-05-03 - C23C14/34
  • 本实用新型公开了一种真空镀膜行业溅射靶中的铜,包括背板,所述背板的上表面设置有铜块,所述背板的一侧设置有加压装置,所述铜块的上表面位于铜块的一侧设置有固定定位架,所述背板的上表面位于铜块的另一侧设置有活动定位架本实用新型所述的一种真空镀膜行业溅射靶中的铜,属于领域,能够对铜块于背板上的位置进行确定,有利于提高铜块焊接位置的准确率,活动定位架和固定定位架对内部区域放置的铜块进行侧向加压,能够提高第一铜与第二铜的贴合程度,降低在焊接过程中第一铜与第二铜晃动导致拼接缝隙扩大的风险。
  • 一种真空镀膜行业溅射中的铜靶材
  • [发明专利]一种提高利用率的平面磁控溅射靶-CN200910154939.2有效
  • 范家秋 - 范家秋
  • 2009-11-25 - 2011-05-25 - C23C14/35
  • 一种提高利用率的平面磁控溅射靶,其特征在于包括磁控管外套,磁控管外套的底面连接盖板,盖板与磁控管外套之间有冷却水,磁控管外套内部放置磁额,磁额中制有通水孔,磁额上安装永久磁铁,磁控管外套上安装条和条外侧有条固定块,条成平行相间排列,条之间互相交叠,条的表面为平整面,在磁控管外套和条固定块外有屏蔽罩,磁控管外套内与磁额相连的永久磁铁的磁极为NSN或者SNS平行排列,并垂直于条的表面
  • 一种提高利用率平面磁控溅射

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