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[发明专利]一种具有超结结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202211014478.0在审
发明人：赵胜雷;张嘎;张进成;南继澳;刘爽;宋秀峰;王中旭;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种具有超结结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括：衬底以及依次堆叠在衬底上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；位于势垒层上的源极和漏极，且源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触；位于势垒层上的氮化物层和钝化层；至少一个位于氮化物层和漏极之间的超结结构，超结结构的材料与氮化物层的材料相同，且超结结构的顶面低于氮化物层的顶面，或超结结构的顶面与氮化物层的顶面齐平；位于氮化物层上的栅极
一种具有结构电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]一种超势垒整流器器件结构-CN201410145434.0在审
发明人：沈健 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种超势垒整流器器件结构，所述超势垒整流器器件结构采用沟槽型MOS结构作为场终止结构，所述沟槽型MOS结构包括沟槽、结合于所述沟槽表面的介质层、以及填充于沟槽内的多晶硅层。本发明通过在原有的超势垒整流器器件结构中增加沟槽型MOS结构作为场终止结构，可以进一步增加器件的反向击穿电压，降低反向漏电流，本发明可以满足更高的器件使用场合要求，而且结构简单，适用于各种电子设备的整流应用领域
一种超势垒整流器器件结构

[发明专利]一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法-CN201710615088.1有效
发明人：徐峰;陈鹏;高峰;汤文景;张琳;华雪梅 -专利权人：南京大学扬州光电研究院
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法，属于半导体技术领域，在衬底上以依次外延生长缓冲层、GaN层、InGaN插入层、AlInGaN超晶格模板层和InGaN/AlInGaN多量子阱结构层。其中AlInGaN超晶格模板层由生长20层的短周期InGaN/AlGaN超晶格结构层形成；在生长所述InGaN/Al_xIn_yGa_1‑x‑yN多量子阱结构层时，先在AlInGaN超晶格模板层上生长一层Al_xIn_yGa_1‑x‑yN超晶格势垒层，然后再在Al_xIn_yGa_1‑x‑yN超晶格势垒层上生长一层InGaN势阱层，如此交替地生长Al_xIn_yGa_1‑x‑yN超晶格势垒层和InGaN势阱层，直至最后生长Al_xIn_yGa_1‑x‑yN超晶格势垒层。
一种 395 nm 波长紫外 led 结构外延加工方法

[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法-CN202310343639.9在审
发明人：曹金如;黄璐;李晓静;徐晶;马英杰 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED外延结构及其制备方法，该结构中超晶格电流扩展层包括周期性排布的超晶格单元，超晶格单元包括依次排布的(Alx1Ga1‑x1base:Sub>y1Ga1‑y1)0.5In0.5P第一势垒层和base:Sub>y2Ga1‑y2)0.5In0.5P第二势垒层电子跃迁时，由于两个势垒层的阻挡而增强横向扩展电流，且电子在较厚的第一势垒层处积聚后隧穿过较薄的第二势垒层，提供较大的纵向扩展电流，即通过引入双势垒层并调节其组分和厚度，保证电流横向扩展的同时提升电流的纵向扩展
一种 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种多沟道横向超结肖特基势垒二极管及其制备方法-CN202211143842.3在审
发明人：赵胜雷;艾月;张进成;刘爽;宋秀峰;黄永;陈兴;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种多沟道横向超结肖特基势垒二极管及其制备方法，包括：衬底以及依次堆叠在衬底上的超结结构、第一功能层和第二功能层；超结结构由偶数个交替堆叠的p型缓冲层和n型缓冲层构成，p型缓冲层相对于n型缓冲层靠近衬底；第一功能层包括叠设的第一沟道层和第一势垒层，第二功能层包括叠设的第二沟道层和第二势垒层；位于第二功能层上的阴极，且阴极与第二势垒层形成欧姆接触；位于第二功能层远离阴极的一端的阳极本申请实施例能够解决现有的横向肖特基势垒二极管容易发生雪崩效应使得器件发生提前击穿的问题。
一种沟道横向肖特基势垒二极管及其制备方法

[发明专利]基于p-InGaN/GaN超晶格结构的增强型GaN器件及其制备方法-CN202111301947.2在审
发明人：张苇杭;樊昱彤;张进成;刘茜;付李煜;黄韧;许国富;文钰;郝跃;张晓东 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于p‑InGaN/GaN超晶格结构的增强型GaN器件及其制备方法，该器件自下而上依次包括：衬底、缓冲层、第一UID‑GaN层、势垒层，势垒层的左右两侧上表面设有源电极和漏电极；其中，源电极和漏电极中间的势垒层上依次向上设有第二UID‑GaN层、p‑InGaN/GaN超晶格层以及栅电极；第一UID‑GaN层的部分上表面、势垒层以及p‑InGaN/GaN超晶格层上均设有钝化层；源电极、漏电极以及栅电极上均设有互连金属。
基于 ingan gan 晶格结构增强器件及其制备方法

[发明专利]具有超势垒集电极结构的LIGBT器件及其制造方法-CN201610310899.6有效
发明人：张金平;史建东;陈钱;刘永;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及具有超势垒集电极结构的LIGBT器件及其制造方法。本发明器件的集电极结构通过MOS沟道,利用MOS的体效应降低了势垒高度，为电子创建一个“超势垒”，即此集电极结构势垒MOS比传统的IGBT背部PN结势垒电压低，因此本发明的IGBT在小于0.7V的电压下就可以开启
具有超势垒集电极结构 ligbt 器件及其制造方法

[发明专利]用于P沟道氮化物晶体管的基于数字合金的背势垒-CN201780094188.2有效
发明人：储荣明;曹宇 -专利权人： HRL实验室有限责任公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：公开了一种III族氮化物功率处理装置以及制造III族氮化物功率处理装置的方法，其使用数字合金作为背势垒层，以减轻由于沟道层与背势垒层之间的晶格失配而引起的应变并且提供增加的沟道导电性。本发明的实施方式公开了一种使用包括交替的AlN层和GaN层的超晶格二元数字合金作为背势垒层的GaN晶体管。本发明的其他实施方式包括使用具有GaN层和AlGaN层的超晶格结构，以及使用具有不同铝浓度的AlGaN/AlGaN叠层的结构。所公开的装置具有与传统的模拟合金背势垒装置相比显著增加的沟道导电性。
用于沟道氮化物晶体管基于数字合金背势垒

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201180048261.5无效
发明人：木山诚;斋藤雄;冈田政也;八重樫诚司;井上和孝;横山满德 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：提供了一种垂直GaN基半导体器件，其中能够借助p型GaN势垒层提高耐受性能，同时也降低导通电阻。该半导体器件特征在于包括：再生长层（27），其包括位于开口（28）的壁表面上的沟道；p型势垒层（6），其具有被覆盖的端面；源层（7），其与p型势垒层接触；栅电极（G），其位于再生长层上；和源电极（S），其中，源层具有超晶格结构，该超晶格结构由层叠组成，该层叠包括：第一层（a层），其具有比p型势垒层的晶格常数小的晶格常数；和第二层（b层），其具有比第一层的晶格常数大的晶格常数。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]InAs/GaSb超晶格电子结构的设计方法-CN201110384079.9无效
发明人：李美成;熊敏 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了属于平面红外探测器材料的电子结构设计技术领域的一种具有M型势垒层的一种InAs/GaSb超晶格电子结构的设计方法。该InAs/GaSb超晶格电子结构为具有的InAs/GaSb超晶格电子结构的焦平面红外探测器的材料；采用经验紧束缚法，通过非线性最小二乘拟合确定紧束缚参数，开展具有Al(Ga)Sb的M型势垒层InAs/GaSb超晶格电子结构设计，同时研究了Al组分对超晶格光电性能的影响、实现具有AlGaSb势垒层的M型InAs/GaSb超晶格结构设计。
inas gasb 晶格电子结构设计方法

[发明专利]超势垒二极管的制备方法和超势垒二极管-CN201610476365.0有效
发明人：李理;赵圣哲;马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供了一种超势垒二极管的制备方法和超势垒二极管，其中，制备方法包括：在N型衬底上依次形成N型外延层、场氧化层、P型多晶硅层和绝缘层；在绝缘层上形成图形化掩膜层后，对绝缘层进行各向同性刻蚀，以形成绝缘层掩膜结构型多晶硅层和场氧化层进行各向异性刻蚀，以暴露出用于制作体区的外延层的指定区域；在外延层的指定区域形成P型体区；在P型体区的边缘形成P‑型区域；在P‑型区域的内侧的外延层中，形成与P‑型区域分离的N+型区域和电极，以完成超势垒二极管的制作通过本发明的技术方案，减小了器件的通态压降，进而提升了超势垒二极管的可靠性。
超势垒二极管制备方法

[发明专利]一种新型电压域振荡二极管-CN201711478511.4有效
发明人：张海鹏;张强;张忠海;林弥;吕伟锋;白建玲 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明包括初始上表面为镓面GaN基底、n+‑qInGaN集电区层、i‑InGaN第一隔离层、i‑InGaN第一势垒层、i‑InGaN量子阱层、i‑GaN第二势垒层本发明采用GaN基双势垒单量子阱超晶格结构的势垒层极化电场削弱外加电场作用，有效抑制低偏置电压区域带内共振隧穿；利用紧邻集电极势垒的集电区耗尽层作为集电极势垒的辅助势垒，伏安特性在较高偏压区表现为多协调制电流振荡各能级对应电子波函数的共振隧穿与叠加
一种新型电压振荡二极管

[发明专利]一种具有暗电流抑制结构的锑化物超晶格甚长波红外探测器-CN201911117680.4有效
发明人：岳壮豪;施毅;牛智川;王国伟;徐应强;蒋洞微;常发冉;李勇 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种具有暗电流抑制结构的锑化物超晶格甚长波红外探测器，以抑制器件暗电流并提高光生载流子输运。包括以下结构：衬底；缓冲层，外延于所述衬底之上；中长波波段接触层，称为P区，外延于所述缓冲层之上；甚长波波段吸收层，称为π区，外延于所述中长波波段接触层P区之上；中长波波段势垒层，称为M区，外延于所述甚长波波段吸收层π区之上；中长波波段接触层，称为N区，外延于所述中长波波段势垒层M区之上；盖层外延于所述中长波波段接触层N区之上；调整控制各个区域的超晶格结构，吸收层与势垒层的掺杂方式及厚度以设计所述红外探测器器件的能带结构该结构基于PπMN结构，提出了全新势垒结构设计涉及超晶格、厚度和掺杂。
一种具有电流抑制结构锑化物超晶格长波红外探测器

[发明专利]中波超晶格红外探测器-CN202110545359.7在审
发明人：王国伟;李农;刘冰;朱小贵;李宁;牛智川 -专利权人：南京国科半导体有限公司;中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及探测器技术领域，公开了一种中波超晶格红外探测器，包括：由下至上依次形成在衬底结构上的下电极接触层、器件核心层和上盖层，所述下电极接触层之上设有下电极，所述上盖层之上设有上电极；所述器件核心层包括：N型InAs/InAsSb超晶格第一接触层、AlGaAsSb势垒层、N型InAs/InAsSb超晶格吸收层和N型InAs/InAsSb超晶格第二接触层，所述AlGaAsSb势垒层和N型InAs/InAsSb吸收层位于InAs/InAsSb超晶格第一接触层和InAs/InAsSb超晶格第二接触层之间，且AlGaAsSb势垒层禁带宽度大于N型InAs/InAsSb超晶格吸收层的禁带宽度。本发明的中波超晶格红外探测器能够抑制低温下红外探测器件的产生复合电流，从而降低器件的暗电流密度，达到降低探测器的噪声的效果。
中波晶格红外探测器

[发明专利]包含P型超晶格的增强型高电子迁移率晶体管及制备方法-CN201710548788.3在审
发明人：李喜林;马平;刘波亭;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含P型超晶格的增强型高电子迁移率晶体管及制备方法。其中，包含P型超晶格的增强型高电子迁移率晶体管包括衬底；成核层，形成于衬底之上；缓冲层，形成于成核层之上；沟道层，形成于缓冲层之上；势垒层，形成于沟道层之上；以及P型超晶格，形成于势垒层之上。通过在势垒层上生长P型超晶格结构，从而提高空穴浓度，耗尽沟道中的二维电子气，获得增强型高电子迁移率晶体管，且将栅极区域以外极化掺杂的P型超晶格层去除，保留这些区域的二维电子气，可以保证器件有很低的通态电阻
包含晶格增强电子迁移率晶体管制备方法