专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体结构-CN202010529695.8有效
  • 曹开玮;孙鹏;周俊;占琼;黄蔚;侯春源 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2020-06-11 - 2023-08-08 - G11C5/02
  • 本发明提供了一种半导体结构,包括存储阵列单元,该存储阵列单元具有衬底、位于衬底上的存储阵列、以及位于存储阵列周边的第一键合区,该第一键合区包括第一衬底引出键合区、第一位线键合区、第一字线键合区以及第一源极线键合区,本发明提供的半导体结构是将外围驱动电路单元设置于存储阵列单元的投影上方,即与存储阵列单元分别设置,在形成存储阵列的存储阵列单元中不再设置外围驱动电路,利用晶圆键合技术将第一键合区与外围驱动电路单元中相对应的第二键合区相键合,实现存储阵列单元中的衬底、多条字线、多条位线以及多条源极线与外围驱动电路单元中相对应的驱动电路电连接,从而使得该半导体结构在垂直方向上呈三维结构,减小了其尺寸。
  • 一种半导体结构
  • [发明专利]大尺寸芯片及其制作方法、大尺寸芯片晶圆-CN202110654051.6有效
  • 胡胜;周俊;孙鹏;占琼;施森华;杨虎 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2021-06-11 - 2023-03-24 - H01L21/56
  • 本发明提供一种大尺寸芯片及其制作方法、大尺寸芯片晶圆。制作方法包括:提供一晶圆,晶圆包括若干大尺寸芯片,大尺寸芯片的大小大于光刻机的最大曝光视场;大尺寸芯片包括至少两个拼接芯片;拼接芯片包括衬底和第一金属层,第一金属层至少包括用于不同拼接芯片之间互连的待互连金属层;形成第二金属层,第二金属层至少包括片间互连金属层,片间互连金属层跨越相邻的拼接芯片之间的虚拟划片区,且分别与相邻的拼接芯片各自的待互连金属层电连接。本发明在大尺寸芯片上实现不同的拼接芯片之间的互连,小的拼接芯片通过互连功能拓展,实现大尺寸芯片级的电信号互连优化,以实现更多的功能整合,更具灵活性和兼容特性。
  • 尺寸芯片及其制作方法
  • [发明专利]键合装置及键合方法-CN202211097412.2在审
  • 孙鹏;刘爽;叶国梁;胡胜;宋胜金;占琼;周俊 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2022-09-08 - 2023-03-10 - H01L21/18
  • 本发明提供了一种键合装置及键合方法,所述键合方法包括:提供第一承载膜和第二承载膜,所述第一承载膜上承载有多个芯片,所述第二承载膜上承载有晶圆;采用第一遮蔽罩和第二遮蔽罩分别遮盖所述第一承载膜和所述第二承载膜,且所述第一遮蔽罩暴露出部分个所述芯片,所述第二遮蔽罩暴露出所述晶圆的部分表面;执行等离子体清洗工艺,以对所述第一遮蔽罩暴露出的部分个所述芯片以及所述第二遮蔽罩暴露出的所述晶圆的部分表面进行激活;将激活的部分个所述芯片键合于所述晶圆的激活的部分表面上。本发明的技术方案能够降低键合失败的概率。
  • 装置方法
  • [发明专利]中介层结构及其制作方法-CN202211332381.4在审
  • 叶国梁;胡胜;占琼;周俊;孙鹏;杨道虹 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2022-10-25 - 2023-01-06 - H01L21/768
  • 本发明提供一种中介层结构及其制作方法,包括:提供一基板;形成第一开孔,在第一开孔中填充第一导电层;在基板的第一表面形成第一介质层,在第一介质层中形成第一再分布金属层;形成第二开孔,在第二开孔中填充第二导电层;在基板的第二表面形成第二介质层,在第二介质层中形成第二再分布金属层。在基板厚度方向的两侧均形成再分布金属层用于布线,满足高密度互联的需求。第一开孔和第二开孔分别从基板厚度方向的两侧形成且连通构成TSV孔,从而可制作较厚的中介层;克服TSV孔中电镀填充金属层等工艺中深宽比工艺极限的限制,降低了中介层高温下形变影响,甚至可以省去集成电路衬底单独使用,节约了成本与功耗。
  • 中介结构及其制作方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210895295.8在审
  • 宋胜金;周俊;占琼;胡胜;郭磊;叶国梁 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2022-07-26 - 2022-10-25 - H01L23/48
  • 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件包括:第一半导体器件,包括第一晶圆以及覆盖在第一晶圆表面的第一绝缘介质层,第一绝缘介质层内嵌设有与第一导电结构键合的第一芯片,且在第一绝缘介质层远离第一晶圆的一侧形成有将第一芯片电引出的第一键合结构;第二半导体器件,包括第二晶圆以及覆盖在第二晶圆表面上的第二绝缘介质层,第二绝缘介质层内嵌设有与第二导电结构键合的第二芯片,且在第二绝缘介质层远离第二晶圆的一侧形成有将第二芯片电引出的第二键合结构;第一半导体器件与第二半导体器件键合。本发明的技术方案能够提高系统的集成密度,实现超高集成密度的系统级封装结构。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]集成电路器件制造方法-CN202110791598.0有效
  • 占琼;胡胜;周俊 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2021-07-13 - 2022-08-02 - H01L21/48
  • 本发明提供了一种集成电路器件制造方法,先刻蚀介质层,以同步形成均未贯穿该介质层的接触开口和虚拟开口,且使得接触开口的宽度大于虚拟开口的宽度,然后形成能够覆盖虚拟开口内表面和接触开口侧壁上的介质层且暴露出接触开口底面的介质层的牺牲层,进而在牺牲层的保护作用下,沿接触开口对介质层进行自对准刻蚀,由此形成与接触开口自对准且暴露出导电结构的表面的自对准接触孔,进而保证了填充在接触开口和自对准接触孔中的接触触点的可靠性,防止接触触点失效的问题。进一步地,还可以在制作接触触点和虚拟触点的整个过程中节省光罩,简化工艺,降低成本。
  • 集成电路器件制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202011452351.8在审
  • 王瑞磊;郭万里;周云鹏;占琼;刘天建 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2020-12-10 - 2022-06-14 - H01L23/48
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法,包括:提供一晶圆,晶圆包括衬底、位于衬底上的介质层和嵌设于介质层中的金属层;形成硅通孔,硅通孔贯穿衬底和部分厚度的介质层暴露出金属层;形成连接层,连接层填充硅通孔并与金属层电连接;去除硅通孔中部分深度的连接层;在硅通孔中形成纳米双晶铜层,纳米双晶铜层与连接层电连接。本发明中,半导体器件的混合键合界面包括纳米双晶铜层的顶面,利用纳米双晶铜层的高导电性和抗氧化性,降低了混合界面上金属的氧化速率,解决了混合键合界面上常规铜易氧化的问题。减少工艺流程,从而实现有效的高质量混合键合界面,提高键合工艺的生产力。
  • 半导体器件及其制作方法
  • [发明专利]图像传感器及其制造方法-CN202111553063.6在审
  • 吴恙;杨帆;占琼;胡胜 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2021-12-17 - 2022-03-29 - H01L27/146
  • 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。所以图像传感器中,背面通道结构包括焊盘通道和包围所述像素区域的环通道,所述环通道从所述衬底背面向下延伸以露出嵌设于衬底正面且包围像素区域的第一沟槽隔离,所述钝化层覆盖所述环通道的内表面,即,位于所述环通道内的钝化层与第一沟槽隔离连接,在像素区域与外围电路区域之间构成物理全隔离,可以有效阻挡外围电路区域产生的暗电流进入像素区域,实现外围电路区域与像素区域之间的有效隔离,并且,所述环通道与设置焊盘的焊盘通道均为背面通道结构,可通过背面通道工艺同步形成,不会显著增加成本及制造复杂性。
  • 图像传感器及其制造方法

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