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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]鳍式双极结型晶体管及其形成方法-CN201310156946.2有效
发明人：黄新运;李勇;陶佳佳;张帅;居建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种鳍式双极结型晶体管及其形成方法，所述鳍式双极结型晶体管包括：基底；位于所述基底上的鳍部，所述鳍部为基区；所述鳍部包括相互隔开的第一区和第二区；位于所述第一区上的集电区；位于所述第二区上的发射区。由本发明提供的方法形成的鳍式双极结型晶体管，基区与发射区之间形成的PN结具有较大的面积，该PN结面积可调，且可调范围很大。
鳍式双极结型晶体管及其形成方法

[发明专利]鳍式双极结型晶体管及制造方法-CN201210366278.1有效
发明人：夏维;陈向东 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍式双极结型晶体管及制造方法。根据一示例性实施方式，鳍式双极结型晶体管（BJT）包括宽集电极，其位于半导体衬底中。鳍式基极被置于宽集电极上方。此外，鳍式发射极和外延发射极被置于鳍式基极上方。鳍式BJT的窄基极-发射极结通过鳍式基极和鳍式发射极形成，以及外延发射极为鳍式BJT提供增强的电流传导性和减小的电阻。外延发射极可外延形成在鳍式发射极上，且可包括多晶硅。此外，鳍式基极和鳍式发射极各自可包括单晶硅。
鳍式双极结型晶体管制造方法

[发明专利]鳍式双极结型晶体管及其形成方法-CN201310156947.7有效
发明人：陶佳佳;三重野文健;李勇;张帅;黄新运;居建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种鳍式双极结型晶体管及其形成方法，所述鳍式双极结型晶体管包括：基底；位于基底上掺杂有杂质的鳍部，所述鳍部为第一区；位于所述第一区上基区；位于所述基区上或基区内的第二区，所述第一区为发射区、第二区为集电区或者第一区为集电区本鳍式双极结型晶体管，基区与发射区之间形成的PN结具有较大的面积，该PN结面积可调，且可调范围很大。
鳍式双极结型晶体管及其形成方法

[实用新型]鳍式双极结型晶体管-CN201220499149.5有效
发明人：夏维;陈向东 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种鳍式双极结型晶体管。根据一示例性实施方式，鳍式双极结型晶体管（BJT）包括宽集电极，其位于半导体衬底中。鳍式基极被置于宽集电极上方。此外，鳍式发射极和外延发射极被置于鳍式基极上方。鳍式BJT的窄基极-发射极结通过鳍式基极和鳍式发射极形成，以及外延发射极为鳍式BJT提供增强的电流传导性和减小的电阻。外延发射极可外延形成在鳍式发射极上，且可包括多晶硅。此外，鳍式基极和鳍式发射极各自可包括单晶硅。本实用新型提供了一种具有相比常规BJT改善后的性能的BJT，且该BJT的制造能与CMOS工艺结合。
鳍式双极结型晶体管

[发明专利]鳍式双极结型晶体管的形成方法-CN201510451932.2有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种鳍式双极结型晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成集电极鳍、基极鳍和发射极鳍，基极鳍位于集电极鳍和发射极鳍之间，所述集电极鳍、基极鳍和发射极鳍彼此平行；在所述基极鳍表面形成基极外延层；在所述集电极鳍表面形成集电极外延层；在所述基极鳍和基极外延层中掺杂基极鳍离子；在所述集电极鳍和集电极外延层中掺杂集电极鳍离子；在所述发射极鳍中掺杂第一发射极离子和第二发射极离子，所述第二发射极离子位于发射极鳍的顶部所述鳍式双极结型晶体管的形成方法提高了鳍式双极结型晶体管的性能。
鳍式双极结型晶体管形成方法

[发明专利]一种类结型的横向鳍式二极管及制备方法-CN202111471642.6在审
发明人：王鑫华;刘新宇;黄健;黄森;颜呈祥;魏珂;殷海波;徐正源 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司;中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本公开提供了一种类结型的横向鳍式二极管，包括：依次位于衬底上的成核层、缓冲层、至少两个异质结单元层及钝化层；其中，从钝化层表面依次刻蚀钝化层及至少两个异质结单元层形成的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽内分别设置阳极欧姆层和阴极欧姆层；从衬底背面在阳极欧姆层的正下方位置依次刻蚀衬底、成核层、缓冲层及第一异质结单元层形成的第三凹槽，第三凹槽内设置背孔肖特基电极层；其中，背孔肖特基电极层与阳极欧姆层对称排列构成钳形横向鳍式结构。本公开还提供了一种类结型的横向鳍式二极管的制备方法。
种类横向二极管制备方法

[发明专利]采用鳍式场效应晶体管工艺的同质结二极管结构-CN201310046641.6有效
发明人：胡嘉欣;张胜杰;洪照俊;陈重辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：通过利用鳍式场效应晶体管(FinFET)形成工艺中的各个工艺步骤，在包括FinFET的IC器件中形成二极管和双极结型晶体管(BJT)。二极管或BJT包括隔离鳍区域和鳍阵列区域，具有不同深度的n阱和位于鳍阵列区域的一部分中并围绕隔离鳍区域中的n阱的p阱。与FinFET的n阱和p阱一起注入二极管和BJT的n阱和p阱。本发明提供了采用鳍式场效应晶体管工艺的同质结二极管结构。
采用场效应晶体管工艺同质二极管结构

[发明专利]鳍式双极结型晶体管及其形成方法-CN201711104943.9在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式双极结型晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括中心区域和位于中心区域周围的边缘区域，所述中心区域包括第一中心区和第二中心区，第一中心区的部分边缘与所述边缘区域接触，第二中心区的部分边缘与所述边缘区域接触；在半导体衬底第一中心区的表面形成发射极鳍；在半导体衬底第二中心区的表面形成基极鳍；在半导体衬底边缘区域的表面形成集电极鳍。所述方法提高了鳍式双极结型晶体管的性能。
中心区半导体衬底双极结型晶体管边缘区域表面形成中心区域鳍式衬底边缘区域发射极集电极

[实用新型]监控FinFET器件自发热效应的结构-CN201621163461.1有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种监控FinFET器件自发热效应的结构，包括集成于半导体衬底上的双极结型晶体管与MOS器件；所述双极结型晶体管包括发射极鳍阵列、基极鳍阵列以及集电极鳍阵列；所述MOS器件位于所述基极鳍阵列与集电极鳍阵列之间；检测MOS器件在打开与关闭的情况下双极结型晶体管的电特性，MOS器件打开时，由于自发热的作用，温度升高，双极结型晶体管的VBE特性会发生变化，由此可以通过VBE特性的变化检测FinFET中MOS器件自发热的强弱
监控 finfet 器件自发热效应结构

[发明专利]鳍式BJT-CN201210154484.6有效
发明人：张智胜;林以唐;谢铭峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用鳍式场效应晶体管（FinFET）互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺流程所形成的双极结型晶体管（BJT）。该BJT包括形成在衬底上方的发射极鳍、基极鳍以及集电极鳍。基极鳍围绕着发射极鳍，并且集电极鳍围绕着发射极鳍。在一些实施例中，当从上方观看时，发射极鳍、基极鳍以及集电极鳍具有正方形的形状并且彼此同心。还提供了一种鳍式BJT。
鳍式 bjt

[发明专利]一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法-CN202210603401.0在审
发明人：郭炜;戴贻钧;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法，涉及半导体领域，该方法包括获得形成有图形化极性调节层的衬底；通过调节Ⅴ族源与Ⅲ族源的输入比生长鳍式异质结，鳍式异质结包括在衬底未被图形化极性调节层覆盖的区域的氮极性异质结，以及位于图形化极性调节层上的金属极性异质结，氮极性异质结和金属极性异质结的高度不同；制备电极，得到具有鳍式结构的半导体器件。图形化极性调节层可以控制金属极性异质结和氮极性异质结的分布，在不同Ⅴ族源与Ⅲ族源的输入比下，金属极性异质结和氮极性异质结生长高度不同，可直接生长出鳍式异质结，无需刻蚀，既可避免刻蚀带来的损伤，还避免刻蚀损伤造成的沟道漏电通道
一种具有结构半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓结型场效应晶体管及其制备方法-CN202311035953.7有效
发明人：许照原 -专利权人：苏州燎塬半导体有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体提供一种氧化镓结型场效应晶体管及其制备方法，旨在解决现有对氧化镓进行有效的P型掺杂比较困难，极大的影响了结型场效应晶体管的性能的问题。为此目的，本发明的氧化镓结型场效应晶体管通过形成第一掺杂半导体外延层作为栅极区域，该第一掺杂半导体外延层至少覆盖鳍式氧化镓漂移层的平坦部显露出的上表面且与鳍式氧化镓漂移层的材料不同，避免了现有技术中进行有效P型掺杂比较困难的问题，可以保证良好的栅控特性，有利于提高结型场效应晶体管的性能。
一种氧化镓结型场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]衬底上的FinFET及肖特基二极管的集成-CN202180032681.8在审
发明人：皮耶·德尔米 -专利权人：肖特基LSI公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：第一鳍式结构及第二鳍式结构形成于所述衬底上。所述第一鳍式结构包含沟道部分，其延伸到所述沟道部分的两个对置侧上的两个压力源部分，且所述第二鳍式结构包含结部分。所述FinFET的源极结构及漏极结构分别形成于所述第一鳍式结构的所述两个压力源部分上。形成源极金属材料、漏极金属材料、第一金属材料以分别电耦合到所述源极结构、所述漏极结构及所述第二鳍式结构的所述结部分，借此在所述第二鳍式结构的所述结部分与所述第一金属材料之间提供肖特基结。
衬底 finfet 肖特基二极管集成

[发明专利]无衬底静电放电（ESD）集成电路结构-CN202111387398.5在审
发明人： B·古哈;B·格林;D·舒尔曼;W·许;C-H·林;C·蔡;K·菲舍尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：例如，无衬底集成电路结构包括从半导体基座突出的第一鳍状物和第二鳍状物。N型区域处于第一和第二鳍状物中。P型区域处于半导体基座中。P/N结处于N型区域和P型区域之间，P/N结处于半导体基座上或中。
衬底静电放电 esd 集成电路结构

[发明专利]竖直结型鳍式FET器件及制造方法-CN201511021091.8有效
发明人：柳青;J·H·张 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请涉及竖直结型鳍式FET器件及制造方法。一种竖直结型场效应晶体管(JFET)由半导体衬底所支撑，该半导体衬底包括在该半导体衬底之内的掺杂有第一导电类型掺杂物的源极区。掺杂有该第一导电类型掺杂物的半导体材料鳍具有与该源极区接触的第一端、并且进一步包括第二端以及在该第一端和该第二端之间的多个侧壁。漏极区由从该鳍的第二端生长的第一外延材料形成并且掺杂有该第一导电类型掺杂物。栅极结构由从该鳍的这些侧壁生长的第二外延材料形成并且掺杂有第二导电类型掺杂物。
竖直结型鳍式 fet 器件制造方法

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