专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]发光器件及其制备方法-CN202110888664.6在审
  • 刘铭全 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2021-08-02 - 2023-02-17 - H10K50/15
  • 本申请公开了一种发光器件及其制备方法,所述发光器件包括依次设置的阳极、空穴传输层、发光层以及阴极,所述空穴传输层包括第一子空穴传输本体层、空穴传输掺杂层和第二子空穴传输本体层,所述空穴传输掺杂层和所述第二子空穴传输本体层同层设置于所述第一子空穴传输本体层靠近所述发光层的一侧,所述空穴传输掺杂层掺杂有磷光分子,所述磷光分子的掺杂质量百分比为15%‑80%。
  • 发光器件及其制备方法
  • [发明专利]发光器件和电子装置-CN201580015629.6有效
  • 加藤直树;内田昌宏;伊藤大树 - 默克专利有限公司;精工爱普生株式会社
  • 2015-03-18 - 2021-01-01 - H01L51/50
  • 本发明的发光器件包括:阳极;阴极;以及设置在所述阳极与所述阴极之间的空穴传输层;以与所述空穴传输层接触的状态设置在所述空穴传输层与所述阴极之间的发光功能层;以与所述空穴传输层接触的状态设置在所述空穴传输层与所述阴极之间和以与所述发光功能层接触的状态设置在所述阴极与所述发光功能层之间的空穴传输层;以及以与所述空穴传输层接触的状态设置在所述空穴传输层与所述阴极之间的发光功能层,其中所述空穴传输层的厚度为2nm或更小。
  • 发光器件电子装置
  • [发明专利]有机电致发光装置及其制造方法-CN201180023532.1有效
  • 林直之 - 富士胶片株式会社
  • 2011-03-09 - 2013-01-23 - H01L51/50
  • 有机电致发光装置,包括阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的有机层,该有机层含有空穴注入层、空穴传输层和含主体材料的发光层;其中空穴注入层、空穴传输层和发光层每层含有磷光发光材料;其中空穴注入层含有10质量%或更多且低于50质量%的磷光发光材料;并且其中空穴传输层中含有的磷光发光材料的浓度低于空穴注入层中磷光发光材料的浓度,以及发光层中含有的磷光发光材料的浓度低于空穴注入层中磷光发光材料的浓度且高于空穴传输层中磷光发光材料的浓度
  • 有机电致发光装置及其制造方法
  • [实用新型]发光器件-CN201520627904.7有效
  • 张三硕;郭雨澈;金景海;郑廷桓;白龙贤 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2015-08-19 - 2015-12-16 - H01L33/14
  • p型半导体层包括空穴注入层、p型接触层和设置在空穴注入层与p型接触层之间的空穴传输层。空穴传输层包括多个未掺杂层和设置在未掺杂层之间的至少一个中间掺杂层。未掺杂层中的至少一个包括空穴浓度随着与空穴注入层或p型接触层的距离增加而降低的区域,中间掺杂层设置为与空穴传输层的区域至少部分重叠,空穴传输层的空穴浓度为p型接触层的空穴浓度的62%至87%。p型半导体层包括具有设置在未掺杂层之间的中间掺杂层的空穴传输层以提高空穴迁移率,以提高空穴注入效率。
  • 发光器件
  • [发明专利]一种提高空穴注入的氮化镓基激光器-CN202111372787.0在审
  • 侯玉菲;赵德刚;梁锋;杨静;陈平;刘宗顺 - 中国科学院半导体研究所
  • 2021-11-18 - 2022-01-28 - H01S5/343
  • 本公开提供了一种提高空穴注入的氮化镓基激光器,包括P型电极和N型电极,还包括:第一限制层,设置于所述P型电极和所述N型电极之间,用于限制光场;多量子阱,设置于所述第一限制层与所述N型电极之间,用于使电子和空穴在此处发生辐射复合发光;空穴存储层,设置于所述第一限制层与所述多量子阱之间,用于作为空穴发射器,为多量子阱提供更多空穴,并改善空穴从P型电极向多量子阱的注入效率。本发明设置空穴存储层不仅能作为空穴发射器为量子阱提供空穴,还缩短了部分空穴向量子阱传输的距离,通过调控能带,降低了电子阻挡层处的空穴有效势垒高度,更多的空穴注入到量子阱中,提高了量子阱发光的均匀性,改善了氮化镓基激光器的光电特性
  • 一种提高空穴注入氮化激光器
  • [发明专利]一种发光器件及其制备方法、显示装置-CN202210331930.X在审
  • 莫新娣;张建新;严怡然;敖资通;杨帆;马松 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2022-03-30 - 2023-10-24 - H10K59/10
  • 本申请的发光器件,包括由下而上依次层叠设置的第一电极、第一空穴功能层、第二空穴功能层及第二电极;第一空穴功能层与第二空穴功能层之间设置有第一压电层,第二电极远离所述第二空穴功能层的一侧设置有第二压电层。利用第一压电层与第一空穴功能层、第二空穴功能层之间形成的能带结构,以使其空穴能够顺利传输能量,而当第二压电层产生形变向第一压电层施加压力时又会形成机‑电耦合效应,以使其在第一压电层内产生电场,并在电场作用下,使空穴的迁移率得以提高,从而进一步提高第二空穴功能层中的空穴迁移率,调节空穴与电子的平衡性,改善发光器件的发光性能,提高发光效率。
  • 一种发光器件及其制备方法显示装置

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