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- [实用新型]发光器件-CN201520627904.7有效
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张三硕;郭雨澈;金景海;郑廷桓;白龙贤
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首尔伟傲世有限公司
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2015-08-19
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2015-12-16
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H01L33/14
- p型半导体层包括空穴注入层、p型接触层和设置在空穴注入层与p型接触层之间的空穴传输层。空穴传输层包括多个未掺杂层和设置在未掺杂层之间的至少一个中间掺杂层。未掺杂层中的至少一个包括空穴浓度随着与空穴注入层或p型接触层的距离增加而降低的区域,中间掺杂层设置为与空穴传输层的区域至少部分重叠,空穴传输层的空穴浓度为p型接触层的空穴浓度的62%至87%。p型半导体层包括具有设置在未掺杂层之间的中间掺杂层的空穴传输层以提高空穴迁移率,以提高空穴注入效率。
- 发光器件
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