“聂志文”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果136个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种量子点及其制备方法、发光二极管、显示装置-CN202210323258.X在审
发明人： 聂志文;丘洁龙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点及其制备方法、发光二极管、显示装置。量子点制备方法包括：提供混合溶液，混合溶液包括配位溶液、非配位溶液和量子点核；去除预设比例的非配位溶液；提供壳层阳离子前驱体和壳层阴离子前驱体，进行量子点壳层生长；其中，配位溶液的沸点高于非配位溶液的沸点。去除低沸点的非配位溶液，提高反应体系的沸点，使壳层高温生长，从而提高核壳量子点的结晶性，提升了量子点的发光效率。
一种量子及其制备方法发光二极管显示装置

[发明专利]复合材料的制备方法和发光二极管-CN202010547728.1有效
发明人：张旋宇;聂志文;刘文勇 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C08L79/02 文献下载
摘要：本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种复合材料的制备方法，包括：提供丙烯酸酯、引发剂和含有杂原子的有机半导体聚合物，丙烯酸酯含有能与所述杂原子结合的活性基团；将丙烯酸酯、引发剂和有机半导体聚合物分散在溶剂中，获得混合溶液；将混合溶液进行加热处理，获得复合材料。该方法将丙烯酸酯、有机半导体聚合物和引发剂进行混合加热处理，制得了掺杂有聚丙烯酸酯的有机半导体聚合物，具有结构致密、结晶度高和聚合度高的特点，且具有良好的空穴迁移效率，可应用于提升发光二极管中空穴传输层的电学性能，以提升其发光效率和使用寿命。
复合材料制备方法发光二极管

[发明专利]Aβ1-42在制备子痫前期治疗药物或诊断试剂盒中的用途-CN202310246837.3在审
发明人：高谦;程凯;聂志文;厉倩;蔡雷鸣;刘魏 -专利权人：上海市宝山区吴淞中心医院
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： A61K45/00 文献下载
摘要：本发明涉及生物医药工程技术领域，Aβ1‑42抑制剂在制备抗子痫前期药物中的用途、Aβ1‑42抑制剂重组载体及其在制备抗子痫前期药物中的用途，还提供了检测Aβ1‑42含量的试剂在制备子痫前期诊断试剂盒中的用途，并进一步提供了抗子痫药物组合物和子痫前期诊断试剂盒。本发明基于对PE胎盘和被TM刺激的HTR‑8/SVneo细胞的研究发现Aβ1‑42在这些样本中表达较高。因此，可通过检测Aβ1‑42水平来提高PE的准确性和敏感性，为PE的治疗和管理提供更好的方案。
42 制备前期治疗药物诊断试剂盒中的用途

[发明专利]复合材料及其制备方法和量子点发光二极管-CN202010543936.4有效
发明人： 聂志文;张旋宇;刘文勇 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明属于发光器件材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括n型金属氧化物纳米颗粒和连接在所述n型金属氧化物纳米颗粒表面的式I所示的有机分子，所述有机分子上的羧基结合在所述n型金属氧化物纳米颗粒表面；式I中，R1为‑(CH2)n‑，n为大于或等于1的整数。该复合材料不仅有效缩短了金属氧化物纳米粒子间距，而且保证纳米颗粒之间不会团聚，同时双极性基团的有机分子结合在n型金属氧化物纳米颗粒表面，可以降低其表面缺陷，增强纳米粒子间的电子传导能力，从而提高了复合材料的电子迁移率，因此增强了复合材料的电子传输能力。
复合材料及其制备方法量子发光二极管

[发明专利]改性氧化锌纳米颗粒及其制备方法、QLED-CN202210111904.6在审
发明人： 聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请公开一种改性氧化锌纳米颗粒及其制备方法、QLED。其中，所述改性氧化锌纳米颗粒，包括氧化锌纳米颗粒及包覆于所述氧化锌纳米颗粒表面的氧化锌膜。氧化锌膜可以保留氧化锌纳米颗粒表面原始的羟基数量和氧空位，不影响自身的迁移率，不影响其自身的导电性。氧化锌纳米颗粒表面包覆氧化锌膜不仅可以防止氧化锌纳米颗粒由于温度升高时造成团聚，还能抬高导带和降低价带来扩宽氧化锌的带隙，从而能够避免QLED电压上升，减少QLED的漏电流，避免QLED的量子点发光层淬灭，提高QLED的性能。
改性氧化锌纳米颗粒及其制备方法 qled

[发明专利]量子点的纯化方法、量子点、发光器件与电子设备-CN202310440327.X有效
发明人： 聂志文;刘秋宇 -专利权人：广东聚华新型显示研究院
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请公开一种量子点的纯化方法、量子点、发光器件与电子设备，所述的纯化方法包括步骤：提供量子点溶液；以及对所述量子点溶液进行冷冻处理，然后进行固液分离，并弃去固体杂质，获得纯化的量子点，有效提高了量子点中阳离子前驱体的去除率，提升了量子点的纯度，所述发光器件中发光层的材料包含量子点，所述量子点采用所述的纯化方法制得或者所述量子点中阳离子前驱体的质量百分比含量小于3%，有利于提升发光器件的器件效率和器件寿命，将所述发光器件应用于电子设备中，有利于提升电子设备的显示效果和使用寿命。
量子纯化方法发光器件电子设备

[发明专利]量子点的后处理方法和一种量子点、量子点发光二极管-CN202111564506.1在审
发明人： 聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种量子点的后处理方法、量子点、量子点发光二极管。量子点的后处理方法包括：提供初始量子点材料；将初始量子点材料、非极性溶剂、第一溶剂进行混合处理，以获得第一混合溶液；以及在小于或等于第一溶剂的凝固点的第一温度下，对第一混合溶液进行沉淀处理，以获得目标量子点溶液；第一溶剂的分子结构中含有至少两个分别与初始量子材料中的量子点结合的基团。通过该量子点的后处理方法，可以高效、便捷地去除制备时与配体未络合的量子点或配体交换后配体脱落的量子点，显著提升量子点自身的光电性能。
量子处理方法一种发光二极管

[发明专利]纳米金属氧化物及其制备方法、电致发光器件及显示装置-CN202111410202.X在审
发明人： 聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K85/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种纳米金属氧化物及其制备方法、电致发光器件及显示装置，所述纳米金属氧化物包括金属氧化物纳米颗粒以及配位连接于所述金属氧化物纳米颗粒的表面的配体，其中，所述配体为磷酸基团和/或碱基，所述纳米金属氧化物的制备方法有效避免了相邻间金属氧化物纳米颗粒因发生团聚而尺寸变大的问题，所述电致发光器件中电子传输层的材料包括所述纳米金属氧化物或所述制备方法制得的纳米金属氧化物，纳米金属氧化物的粒径可小于3.0nm，有利于提高电子传输层与发光层的能级匹配度以促进电子注入，所述电致发光器件能够用于制备显示装置。
纳米金属氧化物及其制备方法电致发光器件显示装置

[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法、光电装置-CN202111332407.0在审
发明人： 聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点发光二极管及其制备方法、光电装置，该量子点发光二极管通过在量子点层与载流子传输层之间设置第一金属元素的还原层，量子点层的材料中还原电势最高的金属元素为第二金属元素，由于所述第一金属元素的还原电势大于所述第二金属元素的还原电势，因此该还原层作为牺牲层减缓量子点中的第二金属元素被还原，从而改善器件的电致发光光谱出现色偏和色纯度改变问题，提高器件的稳定性和寿命。
量子发光二极管及其制备方法光电装置

[发明专利]量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置-CN202111322270.0在审
发明人： 聂志文;闫晓林 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置；量子点薄膜包括第一量子点、第二量子点、以及第一配体，第一配体用于将第一量子点产生的第一激子与第二量子点产生的第二激子堆叠；上述量子点薄膜通过在第一量子点与第二量子点之间添加第一配体，第一配体能够将第一量子点产生的第一激子与第二量子点产生的第二激子堆叠，激子间的堆叠作用使得整个混合体系的量子点兼具两种不同类型的量子点的优势，从而使得上述量子点薄膜制备的量子点发光二极管兼具单独采用第一量子点制备的第一量子点发光二极管的特性以及单独采用第二量子点制备的第二量子点发光二极管的特性，进一步提升了量子点发光二极管的发光性能。
量子薄膜发光二极管及其制备方法显示装置

[发明专利]量子点薄膜，量子点发光二极管及其制备方法-CN201911353286.0有效
发明人： 聂志文;刘文勇 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明属于发光二极管技术领域，尤其涉及一种量子点薄膜，所述量子点薄膜的一表面接枝有第一卤化铵配体，所述量子点薄膜中与接枝有第一卤化铵配体的表面背对的另一表面接枝有第二卤化铵配体。本发明提供的量子点薄膜，可通过两侧表面接枝的不同类型的卤化铵配体，改善空穴和电子向量子点发光层的注入效率，使空穴和电子向量子点发光层注入平衡，提高空穴和电子在量子点发光层中的复合效率。在不影响量子点的光学性能的前提下，不但显著提高量子点的稳定性和分散性，同时提高载流子在量子点发光层中的复合几率。
量子薄膜发光二极管及其制备方法

[发明专利]量子点的制备方法、量子点及半导体器件-CN202111150219.6在审
发明人： 聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请公开一种量子点的制备方法、量子点及半导体器件，通过利用前驱体活性的差异，将金属元素M1的第一前驱体、金属元素M2的前驱体和非金属元素N1前驱体混合，先形成主要成分为M1N1，且表面吸附有金属元素M2的前驱体和非金属元素N1前驱体的量子点团簇，然后再将该量子点团簇与金属元素M1的第二前驱体混合之后，分别形成合金量子点的内核和外核，由于本申请内核与外核的合金化过程是分别进行的，从而可以有效避免现有常规的合金化过程仅依靠调整前驱体的反应活性差异来自发形成具有渐变组分的合金量子点，为量子点的形成提供了新的合成思路，扩展了量子点的种类。
量子制备方法半导体器件

[发明专利]量子点的制备方法及量子点-CN202111121324.7在审
发明人： 聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点的制备方法及量子点，该制备方法先分别形成第一量子点核和第二量子点核，其中第一量子点核包括金属元素M1，第二量子点核包括金属元素M2，所述M1的金属活性大于M2，利用两种量子点核中金属元素的反应活性差异来实现合金化的量子点核的制备，本申请可通过控制两种量子点核的活性差异实现合金量子点核组分的精确控制，能够避免只能通过控制各前驱体间的反应活性差异来实现组分调节，减少了对前驱体间反应活性差异的依赖。
量子制备方法

[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法、光电装置-CN202111114247.2在审
发明人： 聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点发光二极管及其制备方法、光电装置，该量子点发光二极管的量子点层材料中掺杂C60，一方面，可以一定程度上可以使得量子点发光层的价带能级位置变浅，增强了空穴的注入能力与传输效率，从而降低了载流子的不平衡，提高了载流子的复合效率，提升了器件的性能。另一方面，掺杂的C60能够一定程度上相当于壳层包覆的作用，较好的将激子束缚在量子点中，防止器件在工作过程中由于激子的复合位置发生偏移，造成器件寿命出现降低的问题。此外，C60的掺杂可以一定程度上填补量子点成膜过程中量子点间的间隙，从而提高了成膜质量，有助于促进载流子的有效注入，提高器件的性能。
量子发光二极管及其制备方法光电装置

[发明专利]改性氧化锌及制备方法和发光二极管-CN202110915510.1在审
发明人： 聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种改性氧化锌及制备方法和发光二极管。改性氧化锌的制备方法包括向氧化锌中加入中间物质，得到中间产物；将中间产物与酰氯反应，对所得反应产物进行分离后得到改性氧化锌。制备得到的改性氧化锌在氧化锌表面包覆酰基化物，不仅可以提升氧化锌的价带，从而起到加快电子注入的目的，同时，由于酰基化物包覆在氧化锌表面，使得对氧化锌的电子迁移率影响非常小。
改性氧化锌制备方法发光二极管

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
下一页»
尾页
共 136 条