专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种QLED器件-CN201610830088.9有效
  • 钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇 - TCL集团股份有限公司
  • 2016-09-18 - 2019-05-24 - H01L33/06
  • 本发明提供了一种QLED器件,包括依次设置的衬底、底电极、空穴功能层、量子点发光层、电子功能层和顶电极,所述空穴功能层、所述电子功能层均由无机材料制成,且所述空穴功能层和/或所述电子功能层采用MOCVD法制备获得,其中,所述空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层,所述电子功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一层。
  • 一种qled器件
  • [发明专利]发光器件及其制作方法-CN201911401438.X有效
  • 苏亮 - 广东聚华印刷显示技术有限公司
  • 2019-12-30 - 2023-07-25 - H10K50/17
  • 本发明涉及一种发光器件及其制作方法,该发光器件包括基板以及设置在基板上的阳极层、发光层和阴极层,发光层设置在阳极层和阴极层之间,阳极层和发光层之间设置有层叠设置的空穴注入层、界面层以及空穴传输层。本发明通过在空穴注入层和空穴传输层之间的界面设置界面层,采用的界面层的HOMO能级至少比空穴传输层的HOMO能级大0.2eV,能够有效地减小空穴注入势垒,促进阳极至空穴传输层之间行成欧姆接触,从而提高了QLED的空穴注入能力,并降低了QLED的阻抗,提高了QLED的效率和寿命。
  • 发光器件及其制作方法
  • [发明专利]一种全无机量子点发光二极管及其制备方法-CN201610036399.8在审
  • 曹蔚然;钱磊;杨一行 - TCL集团股份有限公司
  • 2016-01-20 - 2016-05-04 - H01L33/06
  • 本发明公开一种全无机量子点发光二极管及其制备方法,全无机量子点发光二极管依次包括:衬底、底电极、空穴功能层、核壳结构量子点发光层、第一电子传输层以及顶电极,其中空穴功能层以及第一电子传输层均由无机半导体材料组成,所述空穴功能层包括空穴注入层和第一空穴传输层;在空穴功能层与核壳结构量子点发光层之间插入有一层第二空穴传输层;和/或在第一电子传输层与核壳结构量子点发光层之间插入有一层第二电子传输层,所述第二空穴传输层及第二电子传输层的材料与核壳结构量子点发光层的壳层材料一致本发明改善了器件中电子或者空穴的注入和传输效率,平衡电子和空穴在量子点发光层中的浓度,提高了器件的效率。
  • 一种无机量子发光二极管及其制备方法

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