专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]发光元件、发光装置、电子设备、照明装置、照明系统及引导系统-CN202110687404.2在审
  • 泷田悠介;濑尾哲史;铃木恒德;尾坂晴惠 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2016-12-06 - 2021-12-10 - C07D333/76
  • 发光元件包括:第一电极;第二电极;以及EL层,其中,EL层包括空穴注入层以及第一层至第四层,空穴注入层包含有机受体且位于第一电极与第一层之间,第一层包含第一空穴传输材料,第二层包含第二空穴传输材料且位于第一层与第三层之间,第三层包含第三空穴传输材料,第四层包含主体材料以及发光材料且位于第三层与第二电极之间,第二空穴传输材料的HOMO能级深于第一空穴传输材料的HOMO能级,主体材料的HOMO能级深于第二空穴传输材料的HOMO能级,第三空穴传输材料的HOMO能级相等于或深于主体材料的HOMO能级,第二空穴传输材料的HOMO能级与第三空穴传输材料的HOMO能级之差为0.3eV以下,并且,第二空穴传输材料是具有二苯并呋喃骨架或二苯并噻吩骨架直接或通过二价芳香烃基团键合于胺的氮的结构的三芳基胺化合物
  • 发光元件装置电子设备照明系统引导
  • [发明专利]发光元件、发光装置、电子设备、照明装置、照明系统及引导系统-CN201680074060.5有效
  • 泷田悠介;濑尾哲史;铃木恒德;尾坂晴惠 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2016-12-06 - 2021-07-09 - C07D333/76
  • 发光元件包括:第一电极;第二电极;以及EL层,其中,EL层包括空穴注入层以及第一层至第四层,空穴注入层包含有机受体且位于第一电极与第一层之间,第一层包含第一空穴传输材料,第二层包含第二空穴传输材料且位于第一层与第三层之间,第三层包含第三空穴传输材料,第四层包含主体材料以及发光材料且位于第三层与第二电极之间,第二空穴传输材料的HOMO能级深于第一空穴传输材料的HOMO能级,主体材料的HOMO能级深于第二空穴传输材料的HOMO能级,第三空穴传输材料的HOMO能级相等于或深于主体材料的HOMO能级,第二空穴传输材料的HOMO能级与第三空穴传输材料的HOMO能级之差为0.3eV以下,并且,第二空穴传输材料是具有二苯并呋喃骨架或二苯并噻吩骨架直接或通过二价芳香烃基团键合于胺的氮的结构的三芳基胺化合物
  • 发光元件装置电子设备照明系统引导
  • [发明专利]钙钛矿型太阳能电池-CN201610156423.1在审
  • 林直毅;铃鹿理生 - 松下电器产业株式会社
  • 2016-03-18 - 2016-12-21 - H01L51/42
  • 一种钙钛矿型太阳能电池,其具备:第1集电极、配置于第1集电极上且包含半导体的电子输送层、配置于电子输送层上且包含钙钛矿型化合物的光吸收层、配置于光吸收层上且包含第1空穴输送材料和第2空穴输送材料的空穴输送层和配置于空穴输送层上的第2集电极,其中,设A为1价的阳离子、设B为2价的阳离子、设X为卤阴离子时,所述钙钛矿型化合物以组成式ABX3表示;第2空穴输送材料为第1空穴输送材料的氧化体,第1空穴输送材料为第2空穴输送材料的还原体,第1空穴输送材料的摩尔数C与上述第2空穴输送材料的摩尔数D满足0.1≤100C/(C+D)≤1.1     (1)。
  • 钙钛矿型太阳能电池
  • [发明专利]量子发光二极管和显示装置-CN201710864914.6在审
  • 袁伟;矫士博 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2017-09-22 - 2018-01-23 - H01L51/50
  • 本发明提供一种量子发光二极管和显示装置,量子发光二极管包括依次层叠设置的第一电子层、有机发光层、第一空穴层、第二电子层、量子点发光层及第二空穴层;所述第一电子层用于向所述有机发光层传输第一电子;所述第一空穴层用于向所述有机发光层传输第一空穴;所述有机发光层用于复合所述第一电子和所述第一空穴发射第一光线;所述第二电子层用于向所述量子点发光层传输第二电子;所述第二空穴层用于向所述量子点发光层传输第二空穴;所述量子点发光层用于复合所述第二电子和所述第二空穴发射第二光线该方案通过设置有机发光层和量子点发光层,及分别给二者传输电子和空穴的两套电子层和两套空穴层,提高了量子发光二极管的寿命。
  • 量子发光二极管显示装置
  • [发明专利]量子点发光二极管外延片及其制备方法-CN202110563381.4在审
  • 刘旺平;梅劲;刘春杨;葛永晖 - 华灿光电(浙江)有限公司
  • 2021-05-24 - 2021-10-22 - H01L51/50
  • 包括聚3,4‑乙烯二氧噻吩的摩尔质量与聚苯乙烯磺酸盐的空穴注入层实现空穴的有效注入,与基底与阳极之间也能够保证有效接触,透光性较好也保证量子点发光层的出光效率较好。在空穴注入层上的材料包括氧化钼的空穴传输层,与空穴注入层实现良好匹配与过渡,空穴传输层的质量较好,保证空穴的稳定传输。并且氧化钼材料有较高的功函数,促进空穴进入量子点发光层的迁移速率,在同一时间段内,进入量子点发光层的空穴的数量增加,量子点发光层内空穴与电子的数量较为平均,量子点发光层的发光效率会增加,有效提高量子点发光二极管的发光效率
  • 量子发光二极管外延及其制备方法
  • [发明专利]激光器外延结构及激光器-CN202310286716.1在审
  • 韩娜;王国斌 - 江苏第三代半导体研究院有限公司
  • 2023-03-22 - 2023-06-30 - H01S5/34
  • 所述激光器外延结构包空穴加速结构,所述空穴加速结构包括沿所述指定方向层叠设置在第二波导层与所述第二限制层之间的至少一第一空穴加速层和至少一第二空穴加速层,所述第一空穴加速层为第二掺杂类型,所述第一空穴加速层内的受主杂质浓度低于所述第二限制层和所述电子阻挡层中任一者内的受主杂质浓度,所述第一空穴加速层的势垒低于所述第二限制层和所述电子阻挡层中任一者的势垒,所述第二空穴加速层为二维材料。本发明可以加速空穴的迁移速率,推动更多的空穴进入发光层,从而提高辐射复合的几率,进而提升激光器的发光效率、降低激光器的阈值电压、增加激光器的寿命。
  • 激光器外延结构
  • [发明专利]半导体装置-CN201180016780.3有效
  • 迈克尔·罗伯逊;陈新;保罗·凯纳德 - 华为技术有限公司
  • 2011-02-11 - 2013-05-22 - H01S5/50
  • 所述放大器包括增益介质,所述增益介质包括多个邻接的半导体层以提供光增益,其中所述邻接的半导体层界定电子的一个或一个以上量子阱,并且用于在增益介质中提供直接电子-空穴跃迁以及间接电子-空穴跃迁两者。导带中的第一量化电子能级以及价带中的第一量化空穴能级位于第一层中。价带中的另一第一量化空穴能级位于邻近的第二层中。所述第一层中的所述第一量化空穴能级为轻空穴状态或重空穴状态,并且所述第二层中的所述另一第一量化空穴能级的空穴状态与所述第一层中的所述第一量化空穴能级不同。
  • 半导体装置

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