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[发明专利]一种有机电致发光器件-CN201511026562.4在审
发明人：李曼;朱映光;鲁天星;谢静 -专利权人：固安翌光科技有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件，其采用的述空穴传输层包括堆叠设置的第一空穴材料层，由第一空穴传输材料和第二空穴传输材料构成的过渡层和第二空穴材料层；所述第一空穴材料层靠近所述第一电极层设置；所述过渡层中所述第二空穴传输材料的掺杂浓度沿远离所述第一空穴材料层的方向逐渐升高；所述第二空穴传输材料HTL2的HOMO与发光层的主体材料的HOMO能级差小于0.5eV，即HTL2_HOMO-HOST_HUMO≤0.5eV；且其HTL2的禁带宽度由于空穴传输层采用线性蒸发源蒸镀形成浓度梯度连续结构，减少蒸镀腔室蒸发源数量，使空穴注入势垒大大降低，从而可以显著降低器件的电压，提高效率。
一种有机电致发光器件

[发明专利]空穴传输材料-CN201410438855.2在审
发明人：深川弘彦;清水贵央;高桥纯平;新内聡畅;土屋和彦 -专利权人：关东化学株式会社
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： C07D307/91 文献下载
摘要：本发明以提供能带隙大、电气稳定性和热稳定性良好、还可用于有机EL元件的空穴传输层的新化合物为课题，还以提供具备包含该化合物的空穴传输层的长寿命且发光效率高的有机EL元件为课题。
空穴传输材料

[发明专利]空穴传输材料-CN201610297023.2有效
发明人： N·S·拉杜;J·韦伯;A·费尼莫尔;A·佐姆贝尔特;P·沙罗;M·H·小霍华德;T·N·赫特尔;G·M·罗西 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供了具有式I的共聚物在式I中：A为包含至少一个三芳胺基团的单体单元；B’为具有在共聚物中的至少三个附接点的单体单元；C’为芳族单体单元或其氘代类似物；E在每次出现时相同或不同并且可为H、D、卤化物、烷基、甲硅烷基、甲锗烷基、芳基、芳氨基、硅氧烷、可交联基团、氘代烷基、氘代甲硅烷基、氘代甲锗烷基、氘代芳基、氘代芳氨基、氘代硅氧烷、或氘代可交联基团；a、b和c相同或不同并且为摩尔份数，使得a+b+c＝1，并且a和b为非零。
空穴传输材料

[发明专利]空穴迁移材料-CN97195222.1无效
发明人：西田亮一;川崎真一;村濑裕明;藤木刚 -专利权人：大阪瓦斯株式会社
申请日： 1997-06-06 - 公布日： 1999-06-30 - 主分类号： G03G5/07 文献下载
摘要：一种空穴迁移材料具有下式(1)或式(2)所代表的结构,并在成膜性和空穴迁移性方面是优异的。式(1)中R1是氢原子和烷基,R1可以是相同的或者其中至少两个可能彼此是不同的,n在10—20000之间。
空穴迁移材料

[发明专利]空穴传输材料-CN201680045761.6在审
发明人： N·S·拉杜;A·费尼莫尔;T·N·霍尔特;G·M·罗西 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：与该阳极相邻的可以是空穴注入层，有时称为缓冲层。与该空穴注入层相邻的可以是包含空穴传输材料的空穴传输层，其中新化合物可用作空穴传输材料。与该阴极相邻的可以是包含电子传输材料的电子传输层。
空穴传输材料

[发明专利]空穴传输材料-CN201480054535.5有效
发明人：篠原浩美;沢田温;E·蒙特内哥罗;H·贝克尔 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： C07C217/84 文献下载
摘要：本发明涉及2,2’,7,7’‑四‑(N,N’‑二‑4‑甲氧基‑3‑甲基苯胺)‑9,9’‑螺双芴，其制备方法，及其作为用于电子或光电器件，特别是固态染料敏化太阳能电池的空穴传输材料。
空穴传输材料

[发明专利]空穴传输材料-CN201580062649.9有效
发明人： N·S·拉杜;K·D·多布斯;A·费尼莫尔;高卫英;G·M·罗西;J·韦伯 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：提供了一种具有式I的具有咔唑基团和氨基氮的空穴传输聚合物。
芳基烷基硅氧烷氨基甲硅烷氧基氟烷氧基甲硅烷基甲锗烷基交联基团芳氧基烷氧基杂芳基空穴传输聚合物空穴传输材料氟化烷基相邻基团咔唑基团氨基氮氟烷基卤化物稠环式中

[发明专利]空穴传输材料-CN200880017299.4无效
发明人： G·A·约翰松;D·D·勒克罗克斯;E·M·史密斯 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： C07C211/54 文献下载
摘要：本发明提供了具有式I或式II的空穴传输化合物：（式I，式II见右下）。
空穴传输材料

[发明专利]空穴注入层-CN201180058636.6无效
发明人： T·库格勒;R·威尔逊 -专利权人：剑桥显示技术有限公司
申请日： 2011-12-01 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种器件的制备方法，该器件包含介于阳极和半导体空穴传输层之间的过渡金属氧化物掺杂的界面，所述方法包括步骤：将包含金属氧化物层前体的溶液沉积在所述阳极上，将沉积的溶液干燥并任选地退火以形成固体层前体，将所述半导体空穴传输层材料的溶液沉积到该固体层上，和任选地热退火所得产品，以提供在所述阳极和所述半导体空穴传输层之间的界面处具有过渡金属氧化物的期望器件；以及可通过本发明的方法得到的器件。
空穴注入

[发明专利]金属等离子体增强色转换的WOLED发光器件及其制备方法-CN201510010807.8在审
发明人：朱文清;钱冰洁;俞静婷;肖腾;翟光胜;汤梅;孙亮亮 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属等离子体增强色转换的WOLED发光器件和制备方法，依次由阳极基板、空穴注入层、色转换-空穴传输层、空穴传输层、蓝光发光层、电子传输层、电子注入层和金属阴极组成，在空穴传输层内设置金属粒子层，使空穴传输层和金属粒子层形成空穴传输层-金属粒子层-空穴传输层的复合结构，蓝光发光层由主体材料和蓝色客体材料组成，色转换-空穴传输层以空穴传输材料为主体材料并以色转换材料作为红光客体材料。
金属等离子体增强转换 woled 发光器件及其制备方法

[发明专利]一种有机太阳能电池及其制作方法-CN201710898964.6在审
发明人：吴锡荣 -专利权人：东莞产权交易中心
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：所述有机太阳能电池包括ITO玻璃基底、新型空穴传输层、有机光吸收层、电子传输层和反射电极，所述的新型空穴传输层为溶液法制备的MoO3与荧光碳点的复合空穴传输层，所述新型空穴传输层的厚度为10‑50 nm所述新型空穴传输层制备包括步骤：制备七钼酸铵水溶液，制备荧光碳点水溶液，制备新型空穴传输层前驱体溶液和制备新型空穴传输层等步骤。本发明的新型空穴传输层能够有效提高空穴传输层的电荷收集能力，增强器件的内建电场，提高开路电压，最终提高电池的能量转换效率。本发明的太阳能电池，制作方法简单，成本低，适合于大规模的工业化生产。
空穴传输层制备有机太阳能电池荧光制作复合空穴传输层电荷收集能力能量转换效率电子传输层前驱体溶液溶液法制备太阳能电池反射电极开路电压内建电场七钼酸铵吸收层光伏基底电池

[发明专利]P型有机半导体材料、制备方法及显示面板-CN202010460836.5在审
发明人：王彦杰 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C07D487/22 文献下载
摘要：采用本申请的P型有机半导体材料作为发光器件空穴注入层和空穴传输层时，空穴传输层形成空穴的能力增强，空穴从阳极到空穴传输层的注入提高，空穴迁移率随着提高，从而能够降低发光器件的驱动电压。另一方面，该P型有机半导体材料的分子结构平面化程度高，能够进一步提高空穴迁移率，有利于空穴的注入和传输。本申请提供的P型有机半导体材料的制备方法合成步骤简单，成本低廉。
有机半导体材料制备方法显示面板

[发明专利]一种直流电缆局部放电仿真方法及系统-CN201910538490.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：全球能源互联网欧洲研究院;全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种直流电缆局部放电仿真方法及系统，通过构建直流电缆仿真模型，将直流电缆的空穴周边绝缘介质剖分为相同厚度的多个剖分层；利用仿真模型对直流电缆运行状态进行仿真，获取仿真时刻的空穴内部的合成电场；判断合成电场是否大于空穴气体局放起始场强；当合成电场大于空穴气体局放起始场强时，获取空穴局部的放电概率进而判定直流电缆空穴是否发生局部放电。本发明提供的方法在已知直流电缆参数和运行状态基础上，分步计算施加电压确定空穴内部合成场强，结合空穴局部放电起始场强、熄灭场强、电荷数量及局部放电发生概率，及时准确的评估直流电缆空穴场强及击穿概率，有效提高直流电缆运行可靠性能
直流电缆空穴局部放电合成电场起始场强场强仿真模型运行状态局放运行可靠性发生概率仿真时刻放电概率合成场强绝缘介质空穴周边施加电压电荷分层构建击穿熄灭判定概率评估

[发明专利]发光元件、发光装置、电子设备及照明装置-CN201911157628.1在审
发明人：铃木恒德;泷田悠介;濑尾哲史 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C07D209/86 文献下载
摘要：EL层包括空穴注入层、第一层、第二层、第三层及第四层的叠层。空穴注入层包含有机受体。第一层、第二层及第三层分别包含第一、第二及第三空穴传输材料。第四层包含主体材料及发光材料。第二空穴传输材料的HOMO能级深于第一空穴传输材料的HOMO能级。主体材料的HOMO能级深于第二空穴传输材料的HOMO能级。第三空穴传输材料的HOMO能级深于或等于主体材料的HOMO能级。第二空穴传输材料的HOMO能级与第三空穴传输材料的HOMO能级之差为0.3eV以下。
发光元件装置电子设备照明

[发明专利]显示设备、显示设备的制造方法、显示设备的制造装置-CN201880095750.8在审
发明人：塚本优人;梅田时由;土屋博司 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：显示设备(1)在阳极(4)与发光层(8R/8G/8B)之间具备多个子像素(2R/2G/2B)共用的空穴输送层(6C)，在该共用空穴输送层与所述发光层之间，针对所述多个子像素的每一个子像素单独地具备单独空穴输送层所述共用空间输送层使用第一空穴输送层材料来构成。第一颜色的子像素(2B)所具备的第一单独空穴输送层(6B)使用第二空穴输送层材料来构成。第二颜色的子像素(2R/2G)所具备的第二单独空穴输送层(6R/6G)使用所述第一空穴输送层材料与所述第二空穴输送层材料的混合材料来构成。
显示设备制造方法装置