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[发明专利]QLED器件及其制作方法、显示面板及显示装置-CN201910441452.6有效
发明人：禹钢 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K50/15 文献下载
摘要：本公开提供了一种QLED器件及其制作方法、显示面板及显示装置。该QLED器件包括：量子点发光层，以及位于量子点发光层一侧的空穴传输层，其中空穴传输层包括钙钛矿材料和有机空穴传输材料。该空穴传输层可以采用共蒸镀工艺制备，其中钙钛矿材料和有机空穴传输材料通过自组装形成叠层结构。钙钛矿材料的高载流子迁移率可以改善空穴传输层的载流子传输性能，使其与电子传输层的载流子传输性能相匹配。同时有机空穴传输材料形成定向的空穴通道，使空穴的传输更加可控，从而避免在空穴传输层与量子点发光层的界面积累过量的空穴，从而保证QLED器件的效率和耐受性。
qled 器件及其制作方法显示面板显示装置

[发明专利]稀土离子敏化的异核配合物及其作为发光材料的应用-CN202211393648.0在审
发明人：刘志伟;禹钢;刘环宇;卞祖强;赵子丰;黄春辉 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C07F5/00 文献下载
摘要：一种发光材料，为如下结构式所示的配合物：其中，R、R'独立地选自氧、胺基、C1‑C18的直链或支链烷基取代胺基、膦基、C1‑C18的直链或支链烷基取代膦基、硫、硒，R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自氢、C1‑C18的直链或支链烷基或卤素取代的C1‑C18的直链或支链烷基、芳香基团如苯、噻吩、呋喃，n＝1～3，从而构筑出具有不同半环数的环状配体骨架，Ln为铈三价离子、铕二价离子、镱二价离子、钐二价离子中的一种，M为二价锰离子、三价钴离子、三价铬离子、三价钒离子、三价铁离子中的一种，X为负一价离子，如卤素、氰根、硫氰根、异硫氰根等，m＝0～3，l＝3～6。X作为单齿配体，或者作为桥联二齿配体。
稀土离子配合及其作为发光材料应用

[发明专利]一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置-CN201911173199.7有效
发明人：禹钢 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置，用以避免电子传输层受损，提高量子点发光器件制备良率。本申请实施例提供的一种量子点发光器件，所述量子点发光器件包括：量子点层，位于所述量子点层之上的电子传输层，以及位于所述电子传输层之上的阴极；所述电子传输层包括聚合物与半导体材料形成的体相异质结构。
一种量子发光器件及其制备方法显示面板显示装置

[发明专利]量子点发光二极管、液晶显示设备-CN201810327830.3有效
发明人：禹钢 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点发光二极管、液晶显示设备，属于液晶显示领域。该量子点发光二极管包括：层叠设置的第一量子点层和第二量子点层；第一量子点层通过具有空穴传输性的第一量子点制备得到；第二量子点层通过具有电子传输性的第二量子点制备得到。通过使具有空穴传输性的第一量子点层和电子传输性的第二量子点层层叠设置，两者在均可作为量子点发光层的前提下，还可分别用来传输空穴和电子，从而使激子在第一量子点层和/或第二量子点层或在第一量子点层和第二量子点层界面附近复合，即，确保了激子复合区域在量子点发光层内，利于提高量子点发光二极管的发光效果。
量子发光二极管液晶显示设备

[发明专利]一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板-CN202010065999.3有效
发明人：禹钢;王铁石 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板，用以增强量子点层和电子传输层之间界面相互作用力，减少量子点层和电子传输层之间的界面缺陷，提高量子点器件的电致发光性能和稳定性。本申请实施例提供的一种量子点发光器件，所述量子点发光器件包括：量子点层以及与所述量子点层相邻的电子传输层；所述电子传输层包括第一基团，所述量子点层包括第二基团；所述第一基团和所述第二基团均包括亲水性基团；在所述量子点层与所述电子传输层之间的接触面，所述第一基团和所述第二基团通过氢键结合。
一种量子发光器件及其制备方法显示面板

[发明专利]一种彩膜基板、其制备方法、显示面板及显示装置-CN201810722184.0有效
发明人：禹钢;陈右儒;于晶 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明涉及显示领域，特别涉及一种彩膜基板、其制备方法、显示面板及显示装置。所述彩膜基板，包括衬底基板和黑矩阵，所述黑矩阵限定出多个亚像素，所述多个亚像素包括红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素，所述红色亚像素包括设置于所述衬底基板上的用于滤除绿光的第一滤光层和设置于所述第一滤光层上的量子点层；所述绿色亚像素包括设置于所述衬底基板上的用于滤除红光的第二滤光层和设置于所述第二滤光层上的所述量子点层；所述蓝色亚像素未设置量子点层，用于透射蓝光；所述量子点层仅包括一种量子点，所述量子点在蓝光激发下同时发射红光和绿光。所述彩膜基板在蓝光背光源的激发下实现了三色显示。量子点层仅使用一种量子点，简化了工艺。
一种彩膜基板制备方法显示面板显示装置

[发明专利]彩膜基板及其制造方法-CN201810481331.X有效
发明人：于晶;陈右儒;禹钢 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明公开了一种彩膜基板及其制造方法，属于显示技术领域。所述方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成黑矩阵；采用混合有酯类化合物的量子点材料，在形成有所述黑矩阵的衬底基板上形成量子点材料层；采用溶胶凝胶法，使所述量子点材料层中的酯类化合物发生反应，以形成掺杂有纳米颗粒的溶胶凝胶层；对所述溶胶凝胶层进行固化处理，以得到量子点彩膜层。本发明解决了相关技术中量子点彩膜层的制备方式的限制性较高的问题。本发明用于彩膜基板的制造。
彩膜基板及其制造方法

[发明专利]一种量子点及其制作方法、QLED和显示面板-CN201910396664.7有效
发明人：禹钢;张爱迪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点及其制作方法、QLED和显示面板，用于减少量子点核的界面和量子点壳的界面之间的无辐射跃迁，加强量子点的发光能力。其中的量子点包括量子点核、包覆在所述量子点核外部的电荷过渡层，以及包覆在所述电荷过渡层外部的量子点壳，其中，所述电荷过渡层的主体材料内掺杂有金属离子，所述金属离子为电荷价态可变金属离子，金属离子的电荷价态包括量子点核中阳离子的电荷价态和量子点壳中阳离子的电荷价态。
一种量子及其制作方法 qled 显示面板

[发明专利]一种QLED显示基板及其制作方法、QLED显示装置-CN201811003514.7有效
发明人：禹钢;孙拓;陈卓 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种QLED显示基板及其制作方法、QLED显示装置，其中，QLED显示基板包括：衬底基板、设置在衬底基板上的QLED器件层，QLED器件层包括：第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间，且作为电子传输层的纳米结构层；其中，纳米结构层用于在压力的作用下生成电信号。本发明实施例通过设置既能够实现电子传输层功能，又能够实现触控/形变感应的功能的纳米结构层，将实现触控/形变感应的功能集成在QLED显示基板中，减少了QLED显示基板占用的体积，满足了对QLED显示设备的轻薄化的需求。
一种 qled 显示及其制作方法显示装置

[发明专利]量子点显示组件及制作方法、显示装置及其控制方法-CN201711340253.3有效
发明人：陈右儒;禹钢;于晶;孙凌红 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种量子点显示组件，包括第一基板，位于第一基板上的透镜层，位于所述透镜层远离所述第一基板一侧的量子点转换层和光传输层；所述量子点转换层包括至少一个量子点元件，所述光传输层包括至少一个透光元件，所述透镜层位于所述量子点转换层和所述光传输层的入光侧，包括与所述至少一个量子点元件和至少一个透光元件对应的焦距可调型透镜。本公开实施例还提供了量子点显示组件的制作方法、包括量子点显示组件的显示装置及其控制方法。
量子显示组件制作方法显示装置及其控制方法

[发明专利]彩膜基板的制备方法、量子点转光膜及显示装置-CN201811300464.9有效
发明人：禹钢;于晶;陈右儒 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明涉及显示领域，特别涉及彩膜基板的制备方法、量子点转光膜及显示装置。所述彩膜基板的制备方法为：在衬底基板上形成黑矩阵，所述黑矩阵限定出多个像素区域；将组分A滴加在所述像素区域内，然后将组分B滴加至所述组分A表面；A组分的密度小于B组分的密度。在本发明中，采用偶氮体系或者氧化还原体系的引发剂，引发了丙烯酸酯类单体完成聚合，实现了低温固化，避免了量子点的热淬灭效应和膜固化的不均匀性，且引发剂产生的气体形成气泡充当散射子，能提高蓝光在彩膜内的光程，从而提高蓝光的吸光率。
彩膜基板制备方法量子点转光膜显示装置

[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置-CN201810224703.0有效
发明人：陈右儒;陈卓;禹钢 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上依次形成TFT、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光材料层和电子传输层；在所述电子传输层远离所述衬底基板的一面上形成多个微棱镜结构；在形成有所述多个微棱镜结构的电子传输层上保形地形成阴极；在所述阴极远离所述衬底基板的一侧保形地形成封装层，使得所述封装层为非平坦结构。本发明解决了相关技术中QLED器件的出光效率较低的问题。本发明用于制造显示基板。
衬底基板电子传输层阴极微棱镜结构显示基板保形地封装层发光材料层非平坦结构空穴传输层空穴注入层阳极出光效率显示装置制造

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法、显示基板、显示装置-CN201810706678.X在审
发明人：禹钢;陈卓 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制作方法、显示基板、显示装置，该发光二极管包括：依次设置的阳极、发光层、电子传输层、金属过渡层和阴极，所述阴极由透明导电氧化物材料制成；所述金属过渡层由含锡物质制成，用于提高所述阴极的载流子注入的有效面积。本发明通过采用由含锡物质制成金属过渡层，能够使得阴极的载流子注入更容易，从而能够降低给发光二极管施加的操作电压，进而能够提高其使用寿命。
阴极发光二极管金属过渡层载流子含锡物质显示基板显示装置透明导电氧化物材料电子传输层阳极操作电压使用寿命依次设置有效面积发光层制作施加

[发明专利]彩膜片及其制作方法和彩膜基板-CN201810125358.5在审
发明人：陈右儒;禹钢;于晶 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本公开提供彩膜片、彩膜片的制作方法以及彩膜基板。所述彩膜片包括光入射表面或光出射表面是凸形表面的第一量子点发光层，在第一量子点发光层的入射表面是凸形表面时，可以提高第一波长的光的吸收率，从而提高效率；并且在第一量子点发光层的出射表面是凸形表面时，可以提高第一波长的光的吸收率，从而提高效率，并且可以提高出光效率。 1
彩膜凸形表面发光层量子点吸收率波长光出射表面光入射表面彩膜基板出光效率出射表面入射表面制作

[实用新型]彩膜片和彩膜基板-CN201721099742.X有效
发明人：于晶;禹钢;陈右儒 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：一种彩膜片以及彩膜基板。该彩膜片包括第一量子点发光层和第一反射层。第一量子点发光层具有一光入射面；第一反射层位于第一量子点发光层远离光入射面的一侧，第一量子点发光层包括多个第一量子点，第一量子点被配置为受来自光入射面的第一波长的光激发后发出第二波长的光，第一反射层被配置为透射第二波长的光并反射第一波长的光。该彩膜片的出光的色纯度较高。
膜片彩膜基板

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