专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]改性金属二维烯材料及其制备方法和应用-CN202011501703.4在审
  • 吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2020-12-17 - 2022-06-21 - B22F1/054
  • 本发明公开了一种改性金属二维烯材料及其制备方法、空穴注入复合材料、空穴传输复合材料和发光二极管。改性金属二维烯材料包括金属二维烯材料本体,所述金属二维烯材料本体所含的不饱和键部分被卤素原子加成,且所述改性金属二维烯材料的HOMO能级在空穴注入材料和/或空穴传输材料的HOMO能级区间内,或所述改性金属二维烯材料的HOMO能级与空穴注入材料和/或空穴传输材料的HOMO能级接近。所述空穴注入复合材料、空穴传输复合材料均含有改性金属二维烯材料。发光二极管的空穴注入层材料为所述空穴注入复合材料和/或空穴传输层材料为所述空穴传输复合材料。
  • 改性金属二维材料及其制备方法应用
  • [发明专利]光电器件-CN202011633955.2在审
  • 王天锋;杨一行 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2020-12-31 - 2022-07-01 - H01L51/50
  • 本申请属于显示技术领域,尤其涉及一种光电器件,包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极,所述空穴传输层中至少包含两种空穴传输材料,其中,至少一种空穴传输材料的价带顶能级的绝对值小于等于5.3eV,至少一种空穴传输材料的价带顶能级的绝对值大于5.3eV。本申请提供的光电器件中空穴传输层为混合材料,通过浅能级空穴传输材料、深能级空穴传输材料之间的相互搭配,实现对空穴传输材料与量子点外壳层之间的空穴注入势垒的精细调控,有利于构建≥0.5eV的能级势垒,降低空穴的注入效率,从而平衡发光层中空穴与电子的注入平衡,提高器件发光效率,同时避免电荷积累对器件寿命的影响。
  • 光电器件
  • [发明专利]光电器件-CN202011634860.2在审
  • 杨一行;王天锋;周礼宽 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2020-12-31 - 2022-07-01 - H01L51/50
  • 本申请属于显示技术领域,尤其涉及一种光电器件,包括依次层叠设置的阳极、第二空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和阴极,所述空穴传输层中空穴传输层材料的价带顶能级与所述第二空穴注入层中第二空穴注入材料的功函差值小于本申请提供的光电器件,通过在空穴传输层材料与第二空穴注入材料之间构筑小于‑0.2eV的注入势垒,增大阳极向HIL的空穴注入势垒,有效控制进入QLED器件内的空穴数量,使发光层中空穴电子注入速率平衡,提高载流子复合效率保证载流子在器件稳定工作状态下注入平衡的基础上,充分有效地利用器件中注入的空穴,保证器件的发光效率,实现器件效率和寿命的同时提升。
  • 光电器件
  • [发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202010946042.X有效
  • 洪威威;王倩;梅劲;董彬忠;张奕 - 华灿光电(浙江)有限公司
  • 2020-09-10 - 2021-12-07 - H01L33/06
  • p型GaN层上具有多个间隔分布的空穴注入槽,且每个空穴注入槽与填满空穴注入槽的GaN空穴注入结构均由p型GaN层延伸至多量子阱层。GaN空穴注入结构可到通道的作用,GaN空穴注入结构越过AlGaN电子阻挡层,将p型GaN层中的空穴直接引导至多量子阱层中。空穴通过GaN空穴注入结构进入多量子阱层时受到阻力,相对穿过AlGaN电子阻挡层进入多量子阱层中的阻力较小。因此更多的空穴可以通过GaN空穴注入结构进入多量子阱层中与电子复合发光。进入多量子阱层中的空穴数量增多,最终得到的发光二极管的发光效率也会提高。
  • 发光二极管外延及其制备方法
  • [实用新型]具有双层空穴注入层的有机发光器件结构-CN201320163823.7有效
  • 段瑜;孙浩;王光华;万锐敏;季华夏 - 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司
  • 2013-04-03 - 2013-11-13 - H01L51/52
  • 具有双层空穴注入层的有机发光器件结构,涉及一种有机电致发光器件(OLED),更具体地,涉及到采用双层空穴注入层的有机电致发光器件。本实用新型具有双层空穴注入层的有机发光器件结构,该器件的结构依次是基板、阳极层、有机层、阴极层;有机层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层,其特征在于空穴注入层包含第一空穴注入层和第二空穴注入层,第二空穴注入层是由后续的空穴传输层作为基质材料掺杂第一空穴注入层构成。本实用新型的有机电致发光器件能有效地提高器件的发光效率,通过这种双层空穴注入层所形成的阶梯势垒可有效提高载流子的注入能力,进而增强界面之间的电荷注入,改善器件效率。
  • 具有双层空穴注入有机发光器件结构
  • [发明专利]QLED器件及其制备方法-CN201710110801.7在审
  • 刘佳 - TCL集团股份有限公司
  • 2017-02-28 - 2017-05-31 - H01L33/00
  • 本发明提供了一种QLED器件,包括依次层叠设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极,所述空穴注入层由经卤氢酸处理的空穴注入材料制成,所述空穴注入材料为氧化石墨烯与PEDOTPSS所述QLED的制备方法,包括以下步骤配置氧化石墨烯与PEDOTPSS的混合溶液,并提供图案化的阳极基板;在所述阳极基板上沉积所述氧化石墨烯与PEDOTPSS的混合溶液,制备空穴注入预制层;在加热条件下,在所述空穴注入预制层上滴加氢卤酸溶液,并铺满所述空穴注入预制层,经干燥处理得到空穴注入层;在所述空穴注入层上依次沉积空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极。
  • qled器件及其制备方法
  • [发明专利]有机EL器件-CN202110333852.2在审
  • 齐藤裕二;大友丰 - 双叶电子工业株式会社
  • 2021-03-29 - 2021-10-01 - H01L51/50
  • 有机EL材料层(12)具有从靠近阳极(11)的一侧依次排列空穴注入层(21)、空穴传输层(22)、发光层(23)、空穴阻挡层(24)、电子传输层(25)、电子注入层(26)而成的层叠结构。空穴注入层(21)包含由包含p掺杂剂的空穴注入材料构成的第1空穴注入层(21A)及插入到第1空穴注入层(21A)与阳极(11)之间并且由未掺杂的空穴注入材料构成的第2空穴注入层(21B)。发明人等新发现了通过在第1空穴注入层(21A)与阳极(11)之间插入第2空穴注入层(21B)能够降低驱动电压的同时提高泄漏耐性。
  • 有机el器件
  • [发明专利]一种插座可活动的插排-CN201610940906.0有效
  • 浦叶;王秀峰;张肖;黄承俊;欧阳浩 - 深圳技师学院
  • 2016-10-25 - 2019-02-19 - H01R13/514
  • 本发明属于移动用电领域,尤其涉及一种插座可活动的插排;包括底座和至少一个插口,所述底座上设有至少一个插口空穴,所述插口嵌入所述插口空穴中;所述插口包括依次相连的插口头、插口颈和插口底,所述插口颈的直径小于所述插口底的直径;所述插口空穴设有空穴头、空穴颈和空穴底,所述空穴颈的口径小于所述空穴底的口径;所述空穴颈的口径小于所述插口底的直径,所述插口底嵌入所述空穴底中并可以沿所述空穴底做竖直方向的滑动;本方案提供的插座可活动的插排
  • 一种插座活动

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