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[发明专利]发光元件、发光装置、电子设备及照明装置-CN202010961030.4在审
发明人：铃木恒德;泷田悠介;濑尾哲史 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：EL层包括空穴注入层、第一层、第二层、第三层及第四层的叠层。空穴注入层包含有机受体。第一层、第二层及第三层分别包含第一、第二及第三空穴传输材料。第四层包含主体材料及发光材料。第二空穴传输材料的HOMO能级深于第一空穴传输材料的HOMO能级。主体材料的HOMO能级深于第二空穴传输材料的HOMO能级。第三空穴传输材料的HOMO能级深于或等于主体材料的HOMO能级。第二空穴传输材料的HOMO能级与第三空穴传输材料的HOMO能级之差为0.3eV以下。
发光元件装置电子设备照明

[发明专利]一种有机电致发光器件-CN202210790676.X在审
发明人：陆影;郭建华;刘小婷;杜明珠 -专利权人：长春海谱润斯科技股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：针对目前有机电致发光器件中各种性能不良的问题，本发明提供了一种有机电致发光器件，该器件中的空穴传输层材料能够有效地将电子阻挡在发光层内，以及具有高效的空穴传输能力，大大提高了空穴和电子的传输平衡，增加空穴和电子在发光层内的复合几率，此外，该器件中的空穴传输层具有双层结构，并且第一空穴传输层与第二空穴传输层材料结构相似，能级匹配度高，有利于空穴的注入和传输，并且两种空穴传输层材料具有高玻璃化转变温度，不易结晶、成膜性好的优点，从而得到具有高发光效率
一种有机电致发光器件

[发明专利]光电器件-CN202011637533.2在审
发明人：王天锋;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述空穴传输层中至少包含两种空穴传输材料，所述空穴传输材料的价带顶能级的绝对值均小于等于5.3eV。本申请提供的光电器件中空穴传输层为混合材料，空穴传输材料的价带顶能级均小于等于5.3eV，与壳层能级较深的量子点发光材料可形成大于等于0.5eV的能级差，实现对于构造HTL与EML中量子点外壳层之间的空穴注入势垒更精细的调控同时，通过不同混合比例可精细调控空穴传输层的空穴迁移率。
光电器件

[发明专利]空穴功能层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法-CN202011295679.3在审
发明人：姚振垒 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请涉及显示器件工艺技术领域，具体涉及一种空穴功能层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法。该空穴功能层的制备方法包括如下步骤：沉积空穴功能材料溶液；在≤120℃的条件下进行退火处理，得到空穴功能层，其中，所述空穴功能材料溶液中的溶剂包括第一溶剂和第二溶剂，所述第二溶剂的沸点低于所述第一溶剂的沸点用于成膜的空穴功能材料溶液选用包括第一溶剂和第二溶剂的混合溶剂，因其中的第二溶剂的沸点低于第一溶剂的沸点，使得该空穴功能材料溶液的成膜退火温度显著降低，可以在≤120℃的条件下进行退火，远低于目前的退火温度，这样可以减少空穴功能层的热损害，从而提高空穴功能层的性能。
空穴功能制备方法量子发光二极管

[发明专利]一种高空穴注入效率的发光器件及其制备方法-CN202310480393.X在审
发明人：陈崧;孙晓娟 -专利权人：苏州大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K50/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种高空穴注入效率的发光器件及其制备方法，属于发光器件技术领域。本发明的高空穴注入效率的发光器件，包括依次设置的阳极、空穴注入层、界面功能层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极；空穴注入层的材料为功函数大于5.1eV的材料；界面功能层的材料的最高占据分子轨道HOMO能级比空穴传输层的材料深0.2eV以上，光学带隙大于2.6eV。本发明的发光器件通过在高功函的电极和空穴传输层之间引入具有合适电子能级和能级无序度的界面功能层降低甚至消除电极‑有机半导体之间的费米能级钉扎，有效的降低发光器件中空穴注入势垒，抑制界面处载流子积累，提升空穴注入效率
一种空穴注入效率发光器件及其制备方法

[发明专利]一种光电器件及其制备方法-CN202110870121.1在审
发明人：郭煜林;吴龙佳 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10K50/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种光电器件，包括层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，所述空穴传输层的材料为金属氧化物与多金属氧酸盐的复合材料。相较于仅包含金属氧化物的空穴传输层，本申请的空穴传输层的金属氧化物与多金属氧酸盐的复合材料可以钝化金属氧化物的表面缺陷，有效地提升空穴传输层材料与发光层材料的能级匹配，并提升空穴传输层与发光层的界面接触面积，抑制漏电流，提高空穴传输层的导电效率及空穴传输效率，从而实现光电器件的发光层的电子与空穴的注入平衡，提升光电器件的发光效率等性能，并降低光电器件的开启电压。
一种光电器件及其制备方法

[发明专利]一种低压有机电致蓝光发光器件及其制备方法-CN201410541061.9有效
发明人：吴晓明;张欣;王丽;辛利文;于倩倩;华玉林;印寿根 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种低压有机电致蓝光发光器件，由带有ITO透明衬底、p型掺杂注入层、空穴传输层、具有空穴传输特性的发光层、空穴扩散层、电子传输层、电子缓冲层和金属背电极叠加组成，其中具有空穴传输特性的发光层采用蓝色发光材料；空穴扩散层为双极传输特性的有机半导体材料，空穴扩散层的HOMO能级介于发光层与电子传输层的HOMO能级之间，光致发光光谱与发光层的吸收光谱有重叠。本发明的优点是：该有机电致蓝光发光器件含有p型掺杂注入层及空穴扩散层，提高了空穴的注入能力，同时避免了因大量空穴堆积而造成发光层中激子的淬灭，解决了器件在低压下实现高效发光的问题；具有低驱动电压、高亮度
一种低压机电致蓝光发光器件及其制备方法

[发明专利]异质结结构量子点及其合成方法与应用-CN201811016494.7有效
发明人：张超;李霞;张孟 -专利权人：嘉兴纳鼎光电科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明还公开了一种量子点发光二极管器件及其制作方法，包括制作第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及第二电极的步骤。较之现有技术，本发明运用纳米粒子与量子点配合形成异质结结构，提高量子点层与空穴传输层的匹配度和空穴量，从而提高QLED器件的空穴传输和空穴数量，提高电子与空穴的复合率，改善电子与空穴的注入平衡，使得QDs层与空穴传输层有着更好的结合，解决QLED器件问题。
异质结结构量子及其合成方法应用

[发明专利]有机发光二极管及其制造方法-CN201010281439.8有效
发明人：周卓辉;曾国晏 -专利权人：周卓辉
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光二极管及其制造方法，该有机发光二极管包括第一电极、第一空穴传输层、第二空穴传输层、第一发光层、电子传输层、电子注入层以及第二电极。第一空穴传输层设于第一电极上，第二空穴传输层设于第一空穴传输层上。第一发光层设于第二空穴传输层上，且第一发光层在最低未占据轨域的能阶小于第二空穴传输层在最低未占据轨域的能阶。其中，第一空穴传输层的厚度大于第二空穴传输层的厚度。
有机发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种有机发光显示面板和有机发光显示装置-CN201611043948.0有效
发明人：王湘成;牛晶华;何为;滨田;柳晨 -专利权人：上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种有机发光显示面板和有机发光显示装置，该有机发光显示面板包括：第一基板；包括多个第一电极的第一电极层；第一空穴传输层；包括多个空穴传输单元的第二空穴传输层，多个空穴传输单元与多个第一电极分别对应设置；多个发光器件，多个发光器件与多个空穴传输单元分别对应设置，发光器件包含m种颜色，至少一种颜色发光器件对应的空穴传输单元由至少两种空穴传输材料混合形成，所述至少两种空穴传输材料中的至少一种空穴传输材料的最低未占轨道高于对应的发光器件的最低未占轨道
一种有机发光显示面板显示装置

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法、显示装置-CN201611124257.3有效
发明人：段炼;宾正杨;赵菲;刘嵩 -专利权人：昆山国显光电有限公司;清华大学
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置，所述有机电致发光器件包括空穴注入层，所述空穴注入层包括空穴注入材料层和自由基发光材料层，所述空穴注入材料层与所述自由基发光材料层交替层叠分布，所述空穴注入材料层的材料为空穴注入材料由于HATCN的深能级特性及其强烈的吸收电子能力，使得自由基发光材料上的单电子，跃迁至HATCN的LUMO上，因此在自由基发光材料层与空穴注入材料层的界面处发生电荷转移，无需克服电子成对能，有效的降低空穴注入势垒，提高了空穴注入效率，进而提高了有机电致发光器件的性能。
自由基有机电致发光器件空穴注入材料层发光材料层空穴注入层发光材料显示装置制备空穴注入材料空穴注入势垒空穴注入效率电荷转移电子能力交替层叠单电子界面处深能级成对跃迁吸收

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示面板-CN201810186748.3有效
发明人：宁云龙;董廷泽;李婧 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管的制备方法包括：形成薄膜晶体管的沟道区；对所述沟道区进行处理，在所述沟道区表面形成空穴层。其中，对所述沟道区进行处理包括：在化学气相沉积设备中，采用硼烷等离子体对所述沟道区表面进行处理，在所述沟道区表面形成带正电荷空穴的空穴层。薄膜晶体管包括沟道区，所述沟道区表面形成有空穴层。其中，所述空穴层中形成有带正电荷的空穴。本发明通过在沟道区表面形成空穴层，空穴层利用其中带正电荷的空穴单元与迁移至沟道区表面的电子复合，避免了沟道区表面可能形成的电流通道，有效降低了漏电流，改善了薄膜晶体管特性。
薄膜晶体管及其制造方法阵列显示面板

[发明专利]发光元件、发光装置、电子设备及照明装置-CN201680050259.4有效
发明人：铃木恒德;泷田悠介;濑尾哲史 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：EL层包括空穴注入层、第一层、第二层、第三层及第四层的叠层。空穴注入层包含有机受体。第一层、第二层及第三层分别包含第一、第二及第三空穴传输材料。第四层包含主体材料及发光材料。第二空穴传输材料的HOMO能级深于第一空穴传输材料的HOMO能级。主体材料的HOMO能级深于第二空穴传输材料的HOMO能级。第三空穴传输材料的HOMO能级深于或等于主体材料的HOMO能级。第二空穴传输材料的HOMO能级与第三空穴传输材料的HOMO能级之差为0.3eV以下。
发光元件装置电子设备照明

[发明专利]基板处理系统、基板处理方法和空穴注入层形成装置-CN201710367124.7有效
发明人：今田雄;林辉幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：基板处理系统(100)包括：以第1烧制温度在基板上形成红色用和绿色用的空穴注入层的第1空穴注入层形成装置(110)；在红色用和绿色用的空穴注入层上以比第1烧制温度高的第2烧制温度形成红色用和绿色用的空穴输送层的空穴输送层形成装置(120)；和在形成有红色用和绿色用的空穴注入层和空穴输送层的基板上，以第1烧制温度以下的第3烧制温度形成蓝色用的空穴注入层的第2空穴注入层形成装置(130)。
处理系统方法空穴注入形成装置

[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法-CN202010311261.0有效
发明人：马兴远;徐威 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10K85/20 文献下载
摘要：该量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层，所述空穴传输层与所述阳极之间设置有电子吸收层，所述电子吸收层含有能吸收电子的材料在空穴传输层靠近阳极的一侧设置含吸收电子的材料的电子吸收层，所以在空穴传输层和电子吸收层的界面处电子被电子吸收层吸收，同时在空穴传输层中产生等量的空穴，从而提高了空穴传输层中的载流子密度，这样可提高空穴传输层的空穴传输效率
量子发光二极管及其制备方法