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[发明专利]单晶薄膜键合体及其制造方法-CN201510891747.5在审
发明人：胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶薄膜键合体和一种制造单晶薄膜键合体的方法，所述单晶薄膜键合体包括硅基底、铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜以及位于硅基底与铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜之间的硅基薄膜，其中，硅基薄膜通过沉积形成在铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上，并通过直接键合法与硅基底进行键合，硅基薄膜为硅薄膜、二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜。本发明的三层结构的单晶薄膜键合体能够有效地降低甚至消除在钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜和硅基板之间的界面对光波和声波的反射作用，并且降低或消除了界面间的反射作用对于光或声波信号所造成的干扰。
薄膜合体及其制造方法

[发明专利]一种带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法和应用-CN201911081884.7有效
发明人：欧欣;鄢有泉;黄凯;赵晓蒙;李忠旭;陈阳;游天桂 -专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法和应用。本发明通过采用一不带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底，包含硅支撑层和钽酸锂单晶薄膜层，其中硅支撑层预先经离子注入处理；先在该衬底薄膜层表面生长一金属层，然后将该金属层与表面沉积金属的氧化硅衬底的金属层键合，其中氧化硅衬底的金属层在氧化硅层表面；最后经过硅的离子剥离及后续抛光，间接地将钽酸锂单晶薄膜和金属层转移至氧化硅衬底上，从而形成带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底。本发明避免了直接剥离钽酸锂并转移其薄膜和金属层至沉积了金属的氧化硅衬底表面的热失配风险，该方法可为高响应度的钽酸锂热释电红外探测器的制备提供厚度定制化的薄膜衬底。
一种电极硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法应用

[发明专利]一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法-CN202010645103.9有效
发明人：欧欣;鄢有泉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L41/253 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，包括：获取钽酸锂单晶晶圆片；在所述钽酸锂单晶晶圆片的表面制作热膨胀抑制层，对所述热膨胀抑制层和所述钽酸锂单晶晶圆片进行离子注入得到第一衬底结构，在所述钽酸锂单晶晶圆片内形成离子注入损伤层；本申请实施例所述的硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，在对钽酸锂单晶晶圆片离子注入前先在其表面制作一层热膨胀抑制层，热膨胀抑制层在离子注入的过程中能够抑制钽酸锂的各向异性热膨胀形变，减小钽酸锂的弯曲幅度，提高离子注入的深度均匀性，并最终提高剥离的钽酸锂单晶薄膜的厚度均匀性。
一种硅基钽酸锂压电薄膜衬底制备方法

[发明专利]一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法-CN201611192111.2有效
发明人：胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法，该薄膜包括基底层和位于基底层上的功能层，所述的基底层为硅基底；所述的功能层为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜；制备方法采用将键合体先研磨再退火，然后抛光的方式制备出目标厚度的硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜，采用该方法制备的单晶薄膜不仅能够保持钽酸锂或铌酸锂材料的特性，薄膜与硅基底的键合界面清晰，而且能制备出大尺寸、微米级厚度、低残余应力和低缺陷密度的单晶薄膜
制备硅基薄膜钽酸锂铌酸锂单晶基底层微米级退火单晶薄膜功能层合体钽酸锂薄膜铌酸锂薄膜铌酸锂材料残余应力键合界面抛光形变研磨低缺陷清晰

[发明专利]一种用于红外焦平面器件的铁电单晶薄膜制备方法-CN202010324650.7有效
发明人：王旭东;林铁;陈艳;王建禄;孟祥建;沈宏;葛军 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于红外焦平面器件的铁电单晶薄膜制备方法。其方法是将硅基衬底上的钽酸锂(LiTaO3)单晶薄膜剥离下来转移到特定的衬底上，保留单晶体材料的热释电性能，关键技术包括腐蚀硅基衬底的工艺条件、自支撑薄膜转移、首先，利用把硅基钽酸锂薄膜放置于腐蚀液中，在一定的温度下反应一段时间，然后转移到酒精中进行二次转移操作，使其在特定衬底上形成自支撑薄膜。然后，利用电子束蒸发制备上下电极，用自制的热释电系数测试系统测量单晶薄膜的热释电系数。该技术可以获得大面积、均匀的自支撑钽酸锂单晶薄膜，可用于制备高灵敏的非制冷红外焦平面器件。
一种用于红外平面器件铁电单晶薄膜制备方法

[发明专利]复合单晶薄膜和制造复合单晶薄膜的方法-CN201510520492.1在审
发明人：胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合单晶薄膜和制造复合单晶薄膜的方法。所述复合单晶薄膜包括：衬底；光学隔离层，位于衬底上；铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜，位于光学隔离层上；硅薄膜，位于铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上。根据本发明的复合单晶薄膜具备铌酸锂或钽酸锂材料良好的非线性光学、声光、电光等效应，同时还具备硅材料的加工工艺成熟的特性，因此本发明的复合单晶薄膜能够与现有的IC生产工艺实现更好的兼容，具有非常广阔的产业前景此外，根据本发明的制造复合单晶薄膜的方法能够实现稳定、有效的工业化生产。
复合薄膜制造方法

[发明专利]正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法-CN201210131057.6有效
发明人：郑立梅;霍晓青;王军军;仪修杰;张锐;曹文武;杨彬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法，它涉及一种功能性单晶材料及其制备方法。本发明解决了铌酸钾钠基压电单晶生长困难、尺寸小、压电性能低的技术问题。本生长工艺生长出的铌酸钾钠基压电单晶径向大小约8mm，长约20mm，尺寸较大，质量均匀，电学性能良好。本发明的正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为纯钙钛矿结构，无其它杂相。室温下锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为正交相结构。正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶具有非常良好的压电性能。
交相掺杂铌酸钾钠基无铅压电及其制备方法

[发明专利]声表面波材料及其制作方法-CN201810220554.0在审
发明人：王为标;毛宏庆;陆增天;李壮 -专利权人：无锡市好达电子有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H03H3/10 文献下载
摘要：该声表面波材料包括硅基底、在硅基底之上的硅基薄膜、以及在硅基薄膜之上的压电单晶薄膜；压电单晶薄膜为钽酸锂压电单晶薄膜或铌酸锂压电单晶薄膜；硅基薄膜的键合面或压电单晶薄膜的键合面或硅基底的键合面上制作有沟槽结构阵列；硅基薄膜的键合面、压电单晶薄膜的键合面、硅基底的键合面均为抛光面；解决了现有的多层键合压电材料体波影响声表面波，导致声表面滤波器高端抑制差的问题；达到了扩大多层键合压电材料的应用范围，保证声表面波滤波器的性能的效果
压电单晶薄膜键合面声表面波材料硅基薄膜硅基键合多层制作声表面波滤波器声表面滤波器压电材料体沟槽结构声表面波压电材料抛光面钽酸锂铌酸锂高端应用保证

[发明专利]硅基钽酸锂混合波导及其制备方法-CN202211265859.6在审
发明人：张永;冯成龙;徐子涵;沈健;苏翼凯 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种硅基钽酸锂混合波导及其制备方法，该混合波导由上而下依次包括：非晶硅层、用于防止沉积非晶硅时出现黑点杂质影响波导传输效果的薄膜氧化硅层、用于传输TE模的钽酸锂层、氧化硅掩埋层和硅衬底，其中：非晶硅层、薄膜氧化硅层和钽酸锂层沉积形成层次结构，作为波导结构中用于光传播的结构层。本发明在LTO晶圆上通过沉积和刻蚀技术实现硅与钽酸锂异质集成的混合波导结构，光场会在传播过程中泄露到所述的波导的钽酸锂层中，从而实现光的钽酸锂层局域化，通过上述过程可以将钽酸锂这一具有优良特性的材料引入集成光波导中，实现对传统硅基光波导的突破。
硅基钽酸锂混合波导及其制备方法

[发明专利]一种改善铌酸锂薄膜晶圆稳定性的工艺方法-CN202210798473.5在审
发明人：侯松岩 -专利权人：侯松岩
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明提出一种的工艺制备过程，用来制作耐高温的单晶薄膜铌酸锂或钽酸锂晶圆。在进行离子注入之后，在晶片和硅衬底旋涂氢倍半硅氧烷聚合物光刻胶，然后在进行晶圆键合，通过调整热退火的温度、时间以及气体，使晶片内部形成损伤层膨胀，进而将薄膜剥离，同时将氢倍半硅氧烷聚合物光刻胶变性成为致密的二氧化硅薄膜，之后对单晶铌酸锂晶圆另一面进行抛光打磨，得到耐高温的铌酸锂薄膜。利用此工艺制备的铌酸锂或钽酸锂薄膜晶圆的耐高温性能将会大大提高，极大拓展了铌酸锂或者钽酸锂薄膜材料在微纳器件领域的应用。
一种改善铌酸锂薄膜稳定性工艺方法

[发明专利]一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法-CN201010598266.2无效
发明人：李磊;周忠祥;杜艳伟;田浩 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法，它涉及一种单晶的制备方法。本发明的目的是提供一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法。制备方法如下：用无水乙醇将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽、氧化铌、氧化铒和氧化镱的混合物的粉末研磨至无水乙醇挥发完全，然后放入铂金坩埚中，将铂金坩埚放入晶体生长炉内，进行晶体生长，即得铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶。本发明利用提拉法成功生长铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶，并且能够实现铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶的可控生长；另外该方法相对工艺比较简单，不使用专用设备，不需要特殊气氛生长，对环境无污染，本发明方法对于铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶的大规模制备和全固态短波长激光器的应用起到了重要的推动作用
一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶制备方法

[发明专利]钽酸锂单晶基板的制造方法-CN202111121680.9在审
发明人：阿部淳;加藤公二 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明提供钽酸锂单晶基板的制造方法，其即便在钽酸锂单晶基板的热处理中反复使用碳酸锂粉末，也能够抑制由钽酸锂单晶基板的还原不足导致的体积电阻率的增加。本发明是体积电阻率为1×1010Ω・cm以上且小于1×1012Ω・cm的钽酸锂单晶基板的制造方法，其包括：将体积电阻率为1×1012Ω・cm以上且单晶域结构的钽酸锂单晶基板填埋至BET比表面积为0.13m2/g以上的碳酸锂粉末中，并且，在常压下、350℃以上且居里温度以下的温度下进行热处理的工序，碳酸锂粉末是在常压下、350℃以上且居里温度以下的温度下的钽酸锂单晶基板的热处理时用于填埋钽酸锂单晶基板的使用过的碳酸锂粉末，进行热处理的工序中，开始热处理时
钽酸锂单晶基板制造方法

[发明专利]生长Φ5英寸钽酸锂单晶的方法-CN200510097351.X无效
发明人：康平;张振志;周志强;韦大勇;张寒贫;杜小红;陈建;李美荣;张庆海;成肇安 -专利权人：国内贸易部物资再生利用研究所
申请日： 2005-12-31 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种生长大尺寸(φ5英寸)钽酸锂单晶的方法，尤其是使用铱坩埚在保护性气氛下来进行大尺寸钽酸锂单晶提拉法(Czochralski)的生长技术。该方法在拉晶过程中用铱坩埚取代了铂坩埚，该方法生长的钽酸锂单晶性能指标如下：直径为φ127mm，长度大于50mm，生长方向为：X112、Y36，质量达到制造声表面波器件对钽酸锂单晶质量的要求，成品率＞75
生长英寸钽酸锂单晶方法

[发明专利]富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法-CN201310636441.6无效
发明人：李均;李杨;周忠祥 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法，它涉及钽铌酸钾晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的低铌钽铌酸钾晶体居里温度低，而用现有晶体生长方法无法得到富铌钽铌酸钾单晶的技术问题。本发明的富铌掺锂钽铌酸钾单晶的表示式为K0.95Li0.05Ta1-xNbxO3，其中x=0.50～0.90。方法：将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽和氧化铌粉末并混合均匀和球磨后，压片，然后预烧得到多晶片，再将多晶片捣碎、湿磨得到生长单晶的原料，在晶体提拉生长炉内经籽晶接种、提拉、等径生长后，得到富铌掺锂钽铌酸钾单晶。该单晶的相变温度为310～500K，可用在无铅压电铁电器件中。
富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法

[发明专利]嵌入式铌酸锂或钽酸锂单晶芯光纤的制备方法及单晶芯光纤-CN201710258268.9有效
发明人：张涛;李见奇;王敬轩;王珀琥;佟成国;耿涛;王鹏飞;苑立波 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明提供的是一种嵌入式铌酸锂或钽酸锂单晶芯光纤的制备方法及单晶芯光纤。本发明单晶芯光纤由低折射率的二氧化硅石英玻璃包层和高折射率的铌酸锂或钽酸锂单晶芯组成。本发明是采用将铌酸锂或钽酸锂单晶圆柱棒或多晶圆柱棒嵌入到低软化温度点的高纯厚壁石英管中，通过加热拉伸、堆积组棒、光纤拉制及纤芯单晶化等步骤来制备石英包层铌酸锂或钽酸锂单晶芯光纤。通过将光纤拉制与晶体生长相结合，本发明克服了一般单晶光纤生长方法所制备的晶纤长度较短，且光纤形貌存在诸多缺陷及与光通信系统中的标准单模光纤不能兼容的缺点。且用该方法生长出的单晶光纤具有丝径、长度可控等优点，可用于微小型及在线光子调控的相位调制器等。
嵌入式铌酸锂钽酸锂单晶芯光纤制备方法单晶芯

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