专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种异质结构薄膜衬底的制备方法-CN202011334127.9有效
  • 黄凯;欧欣;赵晓蒙 - 上海新硅聚合半导体有限公司
  • 2020-11-24 - 2023-04-07 - H10N30/072
  • 本发明涉及半导体材料制备领域,本发明公开了一种异质结构薄膜衬底的制备方法。该制备方法的具体步骤如下:提供临时键合连接的第一压电衬底和第二压电衬底,该第一压电衬底设于该第二压电衬底上;向该第一压电衬底进行离子注入,经过离子注入后的第一压电衬底与支撑衬底键合,得到异质结构衬底;对该异质结构衬底进行解键合、退火、剥离转移和后处理,得到异质结构薄膜衬底。本发明提供的异质结构薄膜衬底的制备方法具有降低离子注入后的压电衬底的形变和异质键合结构退火热应力的特点。
  • 一种结构薄膜衬底制备方法
  • [外观设计]摇椅玩具-CN202230753105.X有效
  • 赵晓蒙 - 赵晓蒙
  • 2022-11-11 - 2023-04-07 - 21-01
  • 1.本外观设计产品的名称:摇椅玩具。2.本外观设计产品的用途:用于儿童摇椅上的玩具。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。
  • 摇椅玩具
  • [发明专利]高频声波谐振器及其制备方法-CN201910876649.2有效
  • 欧欣;周鸿燕;张师斌;李忠旭;黄凯;赵晓蒙 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2019-09-17 - 2021-12-14 - H03H3/10
  • 本发明提供一种基于极低声阻部件的高频声波谐振器及其制备方法,高频声波谐振器的制备方法包括如下步骤:1)制备极低声阻部件;2)于所述极低声阻部件的上表面上形成压电膜;3)于所述压电膜的上表面形成图案化上电极。本发明的高频声波谐振器及其制备方法,通过在压电膜下设置极低声阻部件,增大压电膜与其下方的极低声阻部件的阻抗差,可有效激发高声速弹性波(如S0波),在加强对其界面反射的同时并将其机械能有效约束在压电膜中,从而在提高声表面波谐振器频率的同时,使其保持较高的Q值;避免了高频声表面波谐振器所激发的高声速弹性波大量向衬底泄露而导致的器件性能严重退化的问题的发生。
  • 高频声波谐振器及其制备方法
  • [实用新型]一种儿童保健护理专用恒温热奶瓶设备-CN202120405797.9有效
  • 赵晓蒙 - 赵晓蒙
  • 2021-02-24 - 2021-12-07 - A61J9/00
  • 本实用新型公开了一种儿童保健护理专用恒温热奶瓶设备,包括底座、固定块和水箱,所述底座的顶端面焊接有支撑架,且支撑架的顶端面固定安装有面板,所述面板的顶端面焊接有固定块,且固定块的内壁开设有第一凹槽,所述第一凹槽的内壁底端面安装有压力传感器,且第一凹槽的两端贴合安装有第一电热丝,所述面板的顶端面嵌入固定有水箱,且水箱的内壁安装有第二电热丝,所述面板的顶端面安装有壳体,且壳体内开设有第二凹槽,所述底座的顶端面安装有外壳,所述外壳的后端面嵌入固定有固定管,水箱的侧端面嵌入固定有出水管,且出水管和固定管上均安装有阀门。本实用新型具备操作便捷,后期维护方便快捷和实用性更佳的优点。
  • 一种儿童保健护理专用恒温奶瓶设备
  • [发明专利]一种POI衬底、高频声波谐振器及其制备方法-CN202010661703.4有效
  • 欧欣;伊艾伦;黄凯;赵晓蒙;张师斌 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2020-07-10 - 2021-10-19 - H03H3/02
  • 本申请提供一种POI衬底、高频声波谐振器及其制备方法,该POI衬底的制备方法包括以下步骤:获取重掺杂SiC衬底和压电衬底;对重掺杂SiC衬底进行多次H离子注入,在重掺杂SiC衬底中形成富H层,获得含富H层的重掺杂SiC衬底;其中,每次注入H离子的能量不同;对含富H层的重掺杂SiC衬底进行退火处理;对压电衬底进行离子注入,在压电衬底的设定深度位置形成缺陷层,获得含缺陷层的压电衬底;将含富H层的重掺杂SiC衬底的注入面和含缺陷层的压电衬底的注入面进行键合,获得键合结构;对键合结构进行退火剥离处理,使得含缺陷层的压电衬底部分被剥离,形成含压电薄膜的键合结构;对含压电薄膜的键合结构进行后退火处理及对压电薄膜进行表面处理。
  • 一种poi衬底高频声波谐振器及其制备方法

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