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[发明专利]硅基钽酸锂混合波导及其制备方法-CN202211265859.6在审
发明人：张永;冯成龙;徐子涵;沈健;苏翼凯 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种硅基钽酸锂混合波导及其制备方法，该混合波导由上而下依次包括：非晶硅层、用于防止沉积非晶硅时出现黑点杂质影响波导传输效果的薄膜氧化硅层、用于传输TE模的钽酸锂层、氧化硅掩埋层和硅衬底，其中：非晶硅层、薄膜氧化硅层和钽酸锂层沉积形成层次结构，作为波导结构中用于光传播的结构层。本发明在LTO晶圆上通过沉积和刻蚀技术实现硅与钽酸锂异质集成的混合波导结构，光场会在传播过程中泄露到所述的波导的钽酸锂层中，从而实现光的钽酸锂层局域化，通过上述过程可以将钽酸锂这一具有优良特性的材料引入集成光波导中，实现对传统硅基光波导的突破。
硅基钽酸锂混合波导及其制备方法

[发明专利]一种带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法和应用-CN201911081884.7有效
发明人：欧欣;鄢有泉;黄凯;赵晓蒙;李忠旭;陈阳;游天桂 -专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法和应用。本发明通过采用一不带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底，包含硅支撑层和钽酸锂单晶薄膜层，其中硅支撑层预先经离子注入处理；先在该衬底薄膜层表面生长一金属层，然后将该金属层与表面沉积金属的氧化硅衬底的金属层键合，其中氧化硅衬底的金属层在氧化硅层表面；最后经过硅的离子剥离及后续抛光，间接地将钽酸锂单晶薄膜和金属层转移至氧化硅衬底上，从而形成带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底。本发明避免了直接剥离钽酸锂并转移其薄膜和金属层至沉积了金属的氧化硅衬底表面的热失配风险，该方法可为高响应度的钽酸锂热释电红外探测器的制备提供厚度定制化的薄膜衬底。
一种电极硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法应用

[发明专利]单晶薄膜键合体及其制造方法-CN201510891747.5在审
发明人：胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶薄膜键合体和一种制造单晶薄膜键合体的方法，所述单晶薄膜键合体包括硅基底、铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜以及位于硅基底与铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜之间的硅基薄膜，其中，硅基薄膜通过沉积形成在铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上，并通过直接键合法与硅基底进行键合，硅基薄膜为硅薄膜、二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜。本发明的三层结构的单晶薄膜键合体能够有效地降低甚至消除在钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜和硅基板之间的界面对光波和声波的反射作用，并且降低或消除了界面间的反射作用对于光或声波信号所造成的干扰。
薄膜合体及其制造方法

[发明专利]一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法-CN202010645103.9有效
发明人：欧欣;鄢有泉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L41/253 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，包括：获取钽酸锂单晶晶圆片；在所述钽酸锂单晶晶圆片的表面制作热膨胀抑制层，对所述热膨胀抑制层和所述钽酸锂单晶晶圆片进行离子注入得到第一衬底结构，在所述钽酸锂单晶晶圆片内形成离子注入损伤层；本申请实施例所述的硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，在对钽酸锂单晶晶圆片离子注入前先在其表面制作一层热膨胀抑制层，热膨胀抑制层在离子注入的过程中能够抑制钽酸锂的各向异性热膨胀形变，减小钽酸锂的弯曲幅度，提高离子注入的深度均匀性，并最终提高剥离的钽酸锂单晶薄膜的厚度均匀性。
一种硅基钽酸锂压电薄膜衬底制备方法

[发明专利]一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法-CN201611192111.2有效
发明人：胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法，该薄膜包括基底层和位于基底层上的功能层，所述的基底层为硅基底；所述的功能层为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜；制备方法采用将键合体先研磨再退火，然后抛光的方式制备出目标厚度的硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜，采用该方法制备的单晶薄膜不仅能够保持钽酸锂或铌酸锂材料的特性，薄膜与硅基底的键合界面清晰，而且能制备出大尺寸、微米级厚度、低残余应力和低缺陷密度的单晶薄膜
制备硅基薄膜钽酸锂铌酸锂单晶基底层微米级退火单晶薄膜功能层合体钽酸锂薄膜铌酸锂薄膜铌酸锂材料残余应力键合界面抛光形变研磨低缺陷清晰

[发明专利]一种用于红外焦平面器件的铁电单晶薄膜制备方法-CN202010324650.7有效
发明人：王旭东;林铁;陈艳;王建禄;孟祥建;沈宏;葛军 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：其方法是将硅基衬底上的钽酸锂(LiTaO3)单晶薄膜剥离下来转移到特定的衬底上，保留单晶体材料的热释电性能，关键技术包括腐蚀硅基衬底的工艺条件、自支撑薄膜转移、首先，利用把硅基钽酸锂薄膜放置于腐蚀液中，在一定的温度下反应一段时间，然后转移到酒精中进行二次转移操作，使其在特定衬底上形成自支撑薄膜。该技术可以获得大面积、均匀的自支撑钽酸锂单晶薄膜，可用于制备高灵敏的非制冷红外焦平面器件。
一种用于红外平面器件铁电单晶薄膜制备方法

[发明专利]含钽酸锂颗粒的氧化铝基陶瓷复合材料及其制备方法-CN200810063853.4无效
发明人：张有凤;刘艳玫;贾德昌;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-01-14 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：含钽酸锂颗粒的氧化铝基陶瓷复合材料及其制备方法，它涉及一种氧化铝基陶瓷复合材料及其制备方法。它解决了现有技术中生产氧化铝陶瓷复合材料的烧结温度高、抗弯强度低和断裂韧性较低的问题。本发明含钽酸锂颗粒的氧化铝基陶瓷复合材料是按体积百分比将5％～30％钽酸锂粉末和70％～95％氧化铝粉末混合制备而成。制备步骤：将钽酸锂粉末和氧化铝粉末湿混、球磨后烘干，得混合均匀的钽酸锂与氧化铝粉末，再放入模具中，经烧结得含钽酸锂颗粒的氧化铝基陶瓷复合材料。本发明所得含钽酸锂颗粒的氧化铝基陶瓷复合材料致密度达99～99.99％，具有所需烧结温度低、抗弯强度高达445.9～492.9MPa、断裂韧性达4.8～5.37MPa·m^1/2。
含钽酸锂颗粒氧化铝陶瓷复合材料及其制备方法

[发明专利]一种改善铌酸锂薄膜晶圆稳定性的工艺方法-CN202210798473.5在审
发明人：侯松岩 -专利权人：侯松岩
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明提出一种的工艺制备过程，用来制作耐高温的单晶薄膜铌酸锂或钽酸锂晶圆。在进行离子注入之后，在晶片和硅衬底旋涂氢倍半硅氧烷聚合物光刻胶，然后在进行晶圆键合，通过调整热退火的温度、时间以及气体，使晶片内部形成损伤层膨胀，进而将薄膜剥离，同时将氢倍半硅氧烷聚合物光刻胶变性成为致密的二氧化硅薄膜，之后对单晶铌酸锂晶圆另一面进行抛光打磨，得到耐高温的铌酸锂薄膜。利用此工艺制备的铌酸锂或钽酸锂薄膜晶圆的耐高温性能将会大大提高，极大拓展了铌酸锂或者钽酸锂薄膜材料在微纳器件领域的应用。
一种改善铌酸锂薄膜稳定性工艺方法

[发明专利]一种锂离子电池用硼、钽掺杂磷酸铁锂复合材料的制备方法-CN201711311658.4在审
发明人：蒋玛丽 -专利权人：宁波高新区锦众信息科技有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池用硼、钽掺杂磷酸铁锂复合材料的制备方法，包括如下步骤：(1)制备硼掺杂锰酸锂前躯体；(2)制备介孔硅粉材料；(3)将上述介孔硅和上述前躯体按照硅：锂的摩尔比0.10‑0.15：1的比例球磨混合，经球磨混合均匀后在管式炉中于氦气气氛下煅烧得到多孔硅包覆的硼、钽掺杂磷酸铁锂复合材料。本发明制备的锂离子电池用硼、钽掺杂的磷酸铁锂复合材料，采用了硼和钽对锰酸锂进行改性，提高了材料的循环稳定性，还采用了介孔硅对掺杂硼、钽的磷酸铁锂进行了烧结包覆，使得材料的比容量进一步提高，因此该复合材料在用于锂离子电池时
一种锂离子电池掺杂磷酸复合材料制备方法

[发明专利]复合单晶薄膜和制造复合单晶薄膜的方法-CN201510520492.1在审
发明人：胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：所述复合单晶薄膜包括：衬底；光学隔离层，位于衬底上；铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜，位于光学隔离层上；硅薄膜，位于铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上。根据本发明的复合单晶薄膜具备铌酸锂或钽酸锂材料良好的非线性光学、声光、电光等效应，同时还具备硅材料的加工工艺成熟的特性，因此本发明的复合单晶薄膜能够与现有的IC生产工艺实现更好的兼容，具有非常广阔的产业前景
复合薄膜制造方法

[发明专利]一种具有铒掺杂氧化钽脊形结构的波导放大器制备方法-CN201610518117.8有效
发明人：华平壤;陈朝夕 -专利权人：派尼尔科技（天津）有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有铒掺杂氧化钽脊形结构的波导放大器制备方法，通过本发明产生的放大器包括硅衬底、二氧化硅下包层、掺铒铌酸锂薄膜层、二氧化硅缓冲层、掺铒氧化钽脊形波导结构和二氧化硅上包层，采用硅基铌酸锂薄膜作为基片，利用与铌酸锂折射率相近的铒掺杂氧化钽作为脊形结构，在通信波段，通过铒离子的放大作用，能够弥补光传输和调制的过程中带来的光损耗；相对于干法刻蚀技术，制备的脊形结构工艺成本低，成品率高，提高了器件的稳定性
一种具有掺杂氧化钽脊形结构波导放大器制备方法

[发明专利]正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法-CN201210131057.6有效
发明人：郑立梅;霍晓青;王军军;仪修杰;张锐;曹文武;杨彬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法，它涉及一种功能性单晶材料及其制备方法。本发明解决了铌酸钾钠基压电单晶生长困难、尺寸小、压电性能低的技术问题。本生长工艺生长出的铌酸钾钠基压电单晶径向大小约8mm，长约20mm，尺寸较大，质量均匀，电学性能良好。本发明的正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为纯钙钛矿结构，无其它杂相。室温下锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为正交相结构。正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶具有非常良好的压电性能。
交相掺杂铌酸钾钠基无铅压电及其制备方法

[发明专利]以氧化铝颗粒为增强相的钽酸锂基复合陶瓷及其制备方法-CN200710144662.6无效
发明人：张有凤;周玉;贾德昌;孟庆昌 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2007-11-23 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：以氧化铝颗粒为增强相的钽酸锂基复合陶瓷及其制备方法，它涉及复合陶瓷及制备。它解决了现有制备LiTaO₃基陶瓷复合材料的致密度低的问题。本发明按体积百分数由氧化铝粉末为5～50％、钽酸锂粉末为50～95％制成。制备方法为：1.取氧化铝粉末和钽酸锂粉末；2.将氧化铝粉末与钽酸锂粉末采用湿混方式混合均匀成浆料；3.搅拌、烘干得到混合均匀的氧化铝与钽酸锂粉末；4.将氧化铝粉末与钽酸锂粉末进行热压烧结，制得以氧化铝粉末为增强相的钽酸锂基复合陶瓷
氧化铝颗粒增强钽酸锂基复合陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种钽酸锂晶体的制备方法-CN201410312827.6有效
发明人：王彪;朱允中;马德才 -专利权人：中山大学
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： C01G35/00 文献下载
摘要：本发明首先提供一种脲素在制备钽酸锂晶体中的应用。另外再公开一种钽酸锂晶体的制备方法。本发明利用脲素在低温分解（约120℃），使得碳酸锂和五氧化二钽在液态的脲素中进一步混合，在温度继续升高的时候，脲素分解释放大量热，可瞬时达到1200℃，为基料反应提供能量。脲素不断分解同时释放大量小分子，如NH₃，H₂O，CO₂，NO_X，小分子渗透进入五氧化二钽和碳酸锂中，可大幅降低生成钽酸锂的反应温度本发明通过脲素大幅降低钽酸锂的反应温度，减少钽酸锂的反应时间，既缩短了周期，又降低了反应温度，使得钽酸锂的合成取得了重大的进步。
一种钽酸锂晶体制备方法

[实用新型]一种采用脊形波导的马赫曾德光调制器晶片结构-CN201620724898.1有效
发明人：华平壤;姜城 -专利权人：派尼尔科技（天津）有限公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用脊形波导的马赫曾德光调制器晶片结构，包括硅衬底、二氧化硅下包层、铌酸锂薄膜、二氧化硅缓冲层、二氧化硅上包层、氧化钽脊形波导和行波电极。本实用新型旨在克服现有技术中存在的不足，提供了一种基于硅基铌酸锂薄膜氧化钽脊形波导的马赫曾德光调制器，在实现低功耗驱动的同时降低了调制器的尺寸，提高了器件的稳定性，具有制作工艺简便，器件尺寸小，弯曲半径小
一种采用脊形波导马赫曾德光调制器晶片结构

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