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[发明专利]水热法制备钽酸锂纳米粉体-CN201410050490.6无效
发明人：高林强;陈海*;邹鑫 -专利权人：上海海事大学
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C01G35/00 文献下载
摘要：本发明公开了水热法制备钽酸锂纳米粉体，利用去离子水为反应溶剂，加入锂源和钽源，保证钽离子与锂离子的摩尔比为1∶(1～8)，在高压釜中反应8～24小时，反应温度为200～260℃，反应结束后，先用去离子水洗涤，再用醇溶剂洗涤，得到钽酸锂纳米粉体；所述的锂源是LiOH或Li₂CO₃，所述的钽源是Ta(OH)₅或Ta₂O锂源和不同钽源为原料、以去离子水为反应溶剂合成LiTaO₃纳米粉体，制得的LiTaO₃粉体形状规则，晶粒细小完整且均匀，纯度较高，无团聚或少团聚且无需高温煅烧处理
法制备钽酸锂纳米

[发明专利]一种大尺寸X轴或Y轴掺镁铌酸锂单晶极化装置及方法-CN202210001980.1有效
发明人：夏钰坤;夏宗仁;夏文英;张婷 -专利权人：江西匀晶光电技术有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种大尺寸X轴或Y轴掺镁铌酸锂单晶极化装置，包括：极化炉，用于掺镁铌酸锂单晶的极化；坩埚，内置于极化炉，作为极化容器；弧形负电极、弧形正电极，相对设置且分别连接有引出线引出至极化炉外；掺镁铌酸锂单晶，立放于坩埚内且处于弧形负电极、弧形正电极所围的柱面空间内；所述坩埚、弧形负电极、弧形正电极、掺镁铌酸锂单晶之间填充LN晶粉。本发明采用立放的方式取代现有的卧放方式，避免了极化过程中可能出现的各种极化失败的风险，使得掺镁铌酸锂单晶单畴化完全，成功率高。
一种尺寸轴掺镁铌酸锂单晶极化装置方法

[发明专利]一种低倍率、高压实、高容量、高电压型钴酸锂材料及其制备方法和应用-CN202011261435.3在审
发明人：李刚;朱二涛;胡刚刚;吴胜坤;杨阳;徐从胜 -专利权人：合肥融捷能源材料有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C01G51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低倍率、高压实、高容量、高电压型钴酸锂材料及其制备方法和应用，该材料的制备方法依次包括配料—装钵、画格—烧结—粉碎筛分—掺混等步骤，通过使用不同混料工艺技术，避免常规多次烧结，采用梯度烧结工艺形成粒度梯度，制备出团聚型钴酸锂和单晶型钴酸锂。其中团聚型钴酸锂的倍率、循环性能好，单晶型钴酸锂的压实、容量高，通过将团聚型、单晶型钴酸锂粉碎混合级配，制备出低倍率、高压实、高容量、高电压型钴酸锂正极材料。本发明制备的钴酸锂正极材料主要用于电子烟产品，提高电子烟的性价比。
一种倍率高压容量电压型钴酸锂材料及其制备方法应用

[发明专利]一种温度自补偿、宽量程的柔性无线无源声表面波压强传感器-CN201811063005.3在审
发明人：董树荣;许红升;轩伟鹏;陈金凯;骆季奎 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： G01L9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种温度自补偿、宽量程的柔性无线无源声表面波压强传感器，包括作为压电层的铌酸锂单晶压电薄膜；形成在所述铌酸锂单晶压电薄膜上的至少一个声表面波传感单元，每个声表面波传感单元包括形成在所述铌酸锂单晶压电薄膜上的单端谐振器、与所述单端谐振器电气连接的微带天线；覆盖在所述铌酸锂单晶压电薄膜上的密闭盖，所述密闭盖与所述铌酸锂单晶压电薄膜形成密闭腔体。该柔性无线无源声表面波压强传感器以铌酸锂单晶压电薄膜作为压电层，使得其具有宽量程，能够检测0～4MPa范围内的压强，还具有温度自补偿功能，有利于提高柔性无线无源声表面波压强传感器的精度。
铌酸锂单晶声表面波压电薄膜压强传感器无线无源温度自补偿宽量程传感单元密闭盖谐振器压电层单端压强电气连接密闭腔体微带天线检测覆盖

[发明专利]湿化学-表面沉积法制备硅基薄膜锂离子电池钴酸锂正极的方法-CN201110094781.1有效
发明人：赵桂英;周婷;林莹;曾宝枝;戴颖;林应斌;黄志高 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01M4/1391 文献下载
摘要：本发明涉及湿化学-表面沉积法在钴酸锂正极表面沉积硅基薄膜的方法。分别将锂前驱物、钴前驱物溶于蒸馏水中得A溶液和B溶液；将摩尔数等于锂的摩尔数与钴的摩尔数总和的柠檬酸溶于蒸馏水中得C溶液；将A溶液和B溶液滴入C溶液中并滴加乙二醇得混合D溶液;D溶液水浴中搅拌形成凝胶，经干燥得干凝胶；干凝胶研磨，烧结得到钴酸锂；称量聚偏氟乙烯溶于N-甲基吡咯烷酮溶液中，加入导电炭黑，搅拌后加入钴酸锂，将浆料涂布于铝箔上得到钴酸锂正极片；将钴酸锂正极片置于沉积腔中硅基源的正上方或周围。采用本发明所述的方法，电池的充放电性能显著提高，改善效果不受钴酸锂制备的具体工艺影响，其应用性非常显著。
化学表面沉积法制备硅基薄膜锂离子电池钴酸锂正极方法

[发明专利]一种高首效氧化亚硅基负极材料及其制备方法-CN202210827877.2在审
发明人：万文文;林少雄;王辉;赵宇飞;丁男;张辰;雷桂湘 -专利权人：合肥国轩高科动力能源有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种高首效氧化亚硅基负极材料，包括部分锂化的氧化亚硅内核和包覆在所述内核表面的纳米银构成的复合颗粒、包覆在所述复合颗粒表面的钛酸锂层和包覆在所述钛酸锂层表面的碳层。本发明改善了氧化亚硅类材料存在的低导电率和低首效问题，设计和构筑了首效高、体积效应小、高导电性的氧化亚硅基负极材料，具有优越的性能。
一种高首效氧化亚硅基负极材料及其制备方法

[实用新型]环保型钽酸锂单晶生长设备-CN202221158351.1有效
发明人：袁韶阳;冯佳峰;于会永;赵春锋;赵中阳;刘钊;张艳辉;荆爱明 -专利权人：大庆溢泰半导体材料有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了环保型钽酸锂单晶生长设备，包括导流管，导流管的侧面可拆卸安装有加热组件，导流管的右端活动安装有卡接组件。
环保型钽酸锂单晶生长设备

[发明专利]包括多晶金刚石膜的接合衬底-CN202210419514.5在审
发明人：徐文清;蓝迪;克里斯托弗·克彭 -专利权人： II-VI特拉华有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种晶片具有含硅层、沉积在所述含硅层上的多晶金刚石层以及在所述含硅层的另一侧上的用于减小晶片弯曲的弯曲补偿层。接合结构可包括彼此接触接合的两个衬底，一个衬底包括含硅层、多晶金刚石层、用于减小所述第一衬底的晶片弯曲的弯曲补偿层，并且另一个衬底包括氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂、砷化镓、磷化铟或除金刚石以外的另一合适材料
包括多晶金刚石接合衬底

[发明专利]研磨剂组合物-CN202110303581.6在审
发明人：川原彰裕;内藤健治 -专利权人：山口精研工业株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种研磨剂组合物，其中，在氧化物单晶材料基板的研磨中，能够抑制研磨时的载体鸣音，并且实现研磨后的研磨表面的平坦性的提高和研磨速度的提高。一种研磨剂组合物，其用于对钽酸锂单晶材料或铌酸锂单晶材料进行研磨加工，上述研磨剂组合物含有二氧化硅颗粒、水溶性高分子化合物和水，二氧化硅颗粒包含：平均粒径为10～60nm的小粒径二氧化硅颗粒以及平均粒径为
研磨剂组合

[发明专利]一种用于提高铁酸铋-钛酸钡铁电陶瓷极化强度的热处理方法-CN202111454238.8有效
发明人：张斗;汤林;晏忠钠;周学凡 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提高铁酸铋‑钛酸钡铁电陶瓷极化强度的热处理方法，包括如下步骤，将铁酸铋‑钛酸钡铁电陶瓷置于单晶硅片上，然后放入退火炉中于氧气气氛下进行热处理，热处理过程中，先通入氧气5min以上，然后以≧20℃/s的升温速率升温至800～1000℃，保温30～180s，并于300s内降温至200℃以下，取出，获得热处理后的铁酸铋‑钛酸钡铁电陶瓷；本发明的热处理方法利用短时间内将置于单晶硅衬底上的铁酸铋‑钛酸钡基固溶体陶瓷升温到一定温度并保温一定时间后迅速降温，使陶瓷的极化强度提高。同时高温下原子扩散加快，单晶硅原子与铁酸铋‑钛酸钡相互扩散，利用单晶硅与铁酸铋‑钛酸钡晶胞参数的巨大差异，进一步增大了铁酸铋‑钛酸钡晶胞中的四方性，从而使铁酸铋‑钛酸钡基固溶体陶瓷的极化强度大幅的提升。
一种用于提高铁酸铋钛酸钡陶瓷极化强度热处理方法

[发明专利]一种基于CMOS电路衬底的单晶薄膜的制备方法-CN201910442484.8在审
发明人：张岩;江钧 -专利权人：上海浦睿信息科技有限公司
申请日： 2019-05-25 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CMOS电路衬底的单晶薄膜的制备方法，包括：单晶晶圆片的离子注入；将单晶晶圆片的离子注入面与媒介晶圆片键合面键合后剥离获得基于媒介晶圆片衬底的单晶薄膜；将媒介晶圆片上单晶薄膜表面与CMOS电路晶圆片键合；腐蚀剥离媒介晶圆片获得基于CMOS电路衬底的单晶薄膜。通过将铌酸锂单晶薄膜在与CMOS电路键合前先键合在第三方衬底上，然后采用转移的方法将铌酸锂单晶薄膜无损地键合在CMOS电路晶圆片上；使用薄膜转移的方式在媒介衬底上提前对铌酸锂单晶薄膜进行高温退火工艺，然后将铌酸锂单晶薄膜转移到目标
衬底晶圆片单晶薄膜铌酸锂单晶键合媒介圆片薄膜薄膜转移制备剥离离子注入面高温退火第三方键合面地键片晶无损离子腐蚀

[发明专利]铒掺杂钽铌酸钾锂陶瓷及其制备方法-CN201510848616.9在审
发明人：李磊 -专利权人：河海大学常州校区
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铒掺杂钽铌酸钾锂陶瓷及其制备方法，配料：碳酸钾、碳酸锂、氧化钽、氧化铌粉末按照0.6:0.4:0.5:0.5的摩尔比例称量配料，并按照掺杂浓度分别为Er³⁺单掺0.1mol%-1.0mol%加入氧化铒粉末，利用固相反应法开创性的制备铒掺杂钽铌酸钾锂陶瓷，填补了国内外在此项研究上的空白；现铒掺杂陶瓷的可控烧结，并且陶瓷烧结致密度高，成瓷效果好。
掺杂钽铌酸钾锂陶瓷及其制备方法

[发明专利]钽酸锂单晶体衬底、粘结衬底、粘结衬底的制造方法、和使用粘结衬底的表面声波器件-CN201811245902.6在审
发明人：丹野雅行;阿部淳;加藤公二;桑原由则;永田和寿 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：钽酸锂单晶体衬底是具有36°Y‑49°Y切向的晶体取向的旋转Y切向LiTaO₃单晶体衬底，其特征在于：所述衬底从其表面向其一定深度中用Li扩散，使得所述衬底具有展示出在所述衬底表面与所述衬底的所述深度之间的
衬底衬底表面粘结钽酸锂单晶体切向表面声波器件泄漏表面声波表面声波晶体取向浓度差异浓度分布单晶体单偏振波长扩散传播展示制造

[发明专利]单片半导体压电器件结构和电－声电荷传送器件-CN02814687.5无效
发明人：罗伯特·J·希金斯;肯尼斯·D·科尼特 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2002-05-08 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H01L27/20 文献下载
摘要：通过在硅片上首先生长中间张力减轻层可以生长覆盖硅片的结晶压电材料如铌酸锂和钽酸锂的外延层。在压电层生长之前，张力减轻层是结晶的金属氧化物，帮助桥接硅和压电材料之间的晶格失配。在薄结晶压电层生长之后，非晶化张力减轻层以去耦硅和压电晶格。然后可以重新开始压电层的生长，以获得适合于电－声器件制造的优质厚层。可以使用外延的压电层制造无源和有源电－声器件。具体地，设计和制造利用硅和压电外延覆盖层的声音电荷传送器件。电－声器件可以与在硅片上制造的半导体器件电路集成。
单片半导体压电器件结构电荷传送

[发明专利]铌酸锂单晶基板及其制造方法-CN201680033985.5有效
发明人：梶谷富男 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明提供一种对温度、时间等处理条件的管理容易，且体积电阻率的面内分布极少的铌酸锂(LN)基板及其制造方法。上述制造方法是使用通过切克劳斯基法培育出的铌酸锂单晶来制造铌酸锂单晶基板的方法，其特征在于，将单晶中的Fe浓度为大于1000质量ppm且2000质量ppm以下并被加工成基板状态的铌酸锂单晶埋入Al粉末或者600℃以下的温度进行热处理，从而制造出体积电阻率被控制在1×108Ω·cm以上且1×1010Ω·cm以下的范围的铌酸锂单晶基板
铌酸锂单晶基板及其制造方法