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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]生长Φ5英寸钽酸锂单晶的方法-CN200510097351.X无效
发明人：康平;张振志;周志强;韦大勇;张寒贫;杜小红;陈建;李美荣;张庆海;成肇安 -专利权人：国内贸易部物资再生利用研究所
申请日： 2005-12-31 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种生长大尺寸(φ5英寸)钽酸锂单晶的方法，尤其是使用铱坩埚在保护性气氛下来进行大尺寸钽酸锂单晶提拉法(Czochralski)的生长技术。该方法在拉晶过程中用铱坩埚取代了铂坩埚，该方法生长的钽酸锂单晶性能指标如下：直径为φ127mm，长度大于50mm，生长方向为：X112、Y36，质量达到制造声表面波器件对钽酸锂单晶质量的要求，成品率＞75
生长英寸钽酸锂单晶方法

[发明专利]一种铌酸锂晶片/钽酸锂晶片局域快速黑化方法-CN202210716285.3有效
发明人：周伟家;辛笛;孙德辉;张运武;刘晓燕;赵莉莉;王东周;刘宏 -专利权人：济南大学
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂晶片/钽酸锂晶片局域快速黑化方法，包括以下步骤：(1)将抛光后的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片置于密闭装置中，然后充满还原性气体；(2)按照设定好的图形，激光欠焦照射铌酸锂晶片或钽酸锂晶片本发明在还原性气体氛围内，采用激光照射铌酸锂晶片或钽酸锂晶片，能够快速实现晶片黑化，同时还可以对黑化的区域进行选择，达到局域化黑化的目的。
一种铌酸锂晶片钽酸锂局域快速方法

[发明专利]一种红外增强吸收金属纳米材料及其制备方法-CN202110026188.7在审
发明人：明安杰;赵永敏;朱婧;张少勋 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L37/02 文献下载
摘要：一种红外增强吸收金属纳米材料及其制备方法，材料包括：钽酸锂晶片，钽酸锂晶片的下表面自上而下依次设有Ti/Cr层和Au层，钽酸锂晶片的上表面自下而上依次设有Ti/Cr层以及Al层和金黑层。方法包括：在钽酸锂晶片的下表面自上而下依次制备Ti/Cr层和Au层，在钽酸锂晶片的上表面自下而上依次制备Ti/Cr层以及Al层；在Al层表面制备一层高分子粘附层；将不锈钢掩模板置于钽酸锂晶片的上方；采用高纯金粒为原料
一种红外增强吸收金属纳米材料及其制备方法

[实用新型]一种钽酸锂陶瓷式继电器-CN201720315538.0有效
发明人：胡登卫;姚方毅;温普红;王玺;崔力夫;郭进宝 -专利权人：宝鸡文理学院
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01H53/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钽酸锂陶瓷式继电器，该继电器包括壳体，壳体的中间设有固定梁，固定梁的上端设有螺孔，固定梁通过螺孔连接固定螺钉，固定梁的中间设有钽酸锂陶瓷孔，钽酸锂陶瓷孔的中间穿有钽酸锂陶瓷，钽酸锂陶瓷的一端设有第一触头该钽酸锂陶瓷式继电器，结构合理，设计新颖，环境友好，性能优异，不仅反应快，而且抗干扰能力强。
一种钽酸锂陶瓷继电器

[发明专利]钬掺杂钽酸锂上转换发光材料、制备方法及应用-CN201210148482.6无效
发明人：周明杰;王平;陈吉星;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C09K11/67 文献下载
摘要：一种钬掺杂钽酸锂上转换发光材料，其化学式为LiTa1-xO3：xHo3+，其中，0.01≤x≤0.06。上述钬掺杂钽酸锂上转换发光材料可由长波辐射激发出蓝光。本发明还提供一种钬掺杂钽酸锂上转换发光材料的制备方法及应用。
掺杂钽酸锂上转换发光材料制备方法应用

[发明专利]富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法-CN201310636441.6无效
发明人：李均;李杨;周忠祥 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法，它涉及钽铌酸钾晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的低铌钽铌酸钾晶体居里温度低，而用现有晶体生长方法无法得到富铌钽铌酸钾单晶的技术问题。本发明的富铌掺锂钽铌酸钾单晶的表示式为K0.95Li0.05Ta1-xNbxO3，其中x=0.50～0.90。方法：将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽和氧化铌粉末并混合均匀和球磨后，压片，然后预烧得到多晶片，再将多晶片捣碎、湿磨得到生长单晶的原料，在晶体提拉生长炉内经籽晶接种、提拉、等径生长后，得到富铌掺锂钽铌酸钾单晶。
富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法

[发明专利]成分均匀的球状掺杂钽酸锂多晶原料的合成方法-CN200810016746.6有效
发明人：吴剑波;夏宗仁;郑斐斐;秦晓勇;朱怀列;王继扬;姚淑华;颜涛;刘宏 -专利权人：中电科技德清华莹电子有限公司;山东大学
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种成分均匀的球状掺杂钽酸锂多晶原料的合成方法，是将钽源原料在含羧酸基的有机溶剂中均匀混合，形成含钽配合物，通过热重分析的方法计算出钽的准确量，再加入Li⁺，MgO或ZnO本发明合成的多晶料的一级颗粒尺寸在纳米尺度，其熔点明显低于固相反应多晶料，不但可以节省能源，而且对于连续加料生长工艺来说，可实现掺杂化学计量比钽酸锂晶体生长的自动化。
成分均匀球状掺杂钽酸锂多晶原料合成方法

[发明专利]一种碳化硅基异质复合衬底材料-CN202311009640.4在审
发明人：王含冠;梁庆瑞;王瑞;国洪晨;张超;徐汇祥;宋生;赵树春;杨晓俐;宁秀秀;王宗玉 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10N30/00 文献下载
摘要：一种碳化硅基异质复合衬底材料，包括基底层，中间层，表面层，所述基底层为碳化硅，所述中间层为多晶硅和二氧化硅，所述表面层为铌酸锂或钽酸锂；所述碳化硅基异质复合衬底材料的面型数据为：Warp＜50μm，BOW
一种碳化硅基异质复合衬底材料

[发明专利]高硬度钽喷丝头的制备方法-CN202310587602.0在审
发明人：赵梓源;沈欢;薛翌倩;赵明轩;李均明 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C12/02 文献下载
摘要：本发明公开的高硬度钽喷丝头的制备方法，包括以下步骤：将金属钽板加工制造成钽喷丝头；利用表面技术在钽喷丝头表面制备一层铁镍合金；对钽喷丝头进行碳氮共渗，在其表面形成固溶铁、镍原子的碳氮化钽陶瓷层；将喷丝头抛光后进行清洗并烘干，然后放入由硝酸盐组成的熔融盐浴中，用电化学方法在喷丝头表面制备钽酸锂膜；将喷丝头出丝面钽酸锂膜抛掉，留下碳氮化钽层和镀钽酸锂膜时产生的过渡层；本发明可显著增强钽喷丝头表面强度、硬度，使其具备优异的抗划伤及抗变形能力，以提高钽喷丝头纺织质量和使用寿命。
硬度喷丝头制备方法

[发明专利]钽酸锂晶体的制造装置和钽酸锂晶体的制造方法-CN201710831003.3在审
发明人：干川圭吾;小林拓实;大叶悦子 -专利权人：国立大学法人信州大学;不二越机械工业株式会社
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明提供钽酸锂晶体的制造装置和钽酸锂晶体的制造方法，该制造装置能够使用铂制坩埚制造高品质的钽酸锂晶体。本发明的钽酸锂晶体的制造装置(10)由垂直布里奇曼炉或垂直梯度凝固炉构成，该垂直布里奇曼炉或垂直梯度凝固炉具备基体(12)；配设于基体(12)上的具有耐热性的筒状的炉主体(14)；将炉主体(14)封闭的盖体(18)；配设于炉主体(14)内的发热体(20)；贯通基体(12)并以上下自由移动的方式设置的坩埚支承轴(24)；和配设于坩埚支承轴(24)上并由发热体(20)进行加热的坩埚(30)，所述钽酸锂晶体的制造装置
钽酸锂晶体制造装置方法

[发明专利]一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法-CN201611213934.9有效
发明人：陈铭欣;刘明章;林飞;吴柯宏 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法，在化学还原气氛中，将金属片与钽酸锂晶体基片之表面进行粗化后以接触方式交替堆叠，置于低于居里温度的环境中，对钽酸锂晶体基片进行还原处理，使钽酸锂晶体基片由白色或淡黄色转变为有色不透明化钽酸锂晶体基片经还原处理可降低其体电阻率，可改善声表面波滤波器（SAW filter）制造过程中因温度差异引起热释电效应产生的放电现象，并提高叉指电极线条于光刻工艺的精度，有助于提升SAW器件制作的成品率降低生产成本
一种钽酸锂晶体处理方法

[发明专利]作为锂超离子导体的钽酸锂钾化合物、固体电解质以及用于锂金属电池和锂离子电池的涂层-CN202010959070.5在审
发明人：莫一非;Q·白;X·何;凌晨 -专利权人：丰田自动车工程及制造北美公司;马里兰大学派克分院
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：提供含有能够传导锂离子的阴离子框架的钽酸锂钾基化合物的固态锂离子电解质。锂金属硅酸盐复合材料的活化能为0.12eV至0.45eV，并且在300K下的导电性为10‑3mS/cm至40mS/cm。还提供含有钽酸锂钾基材料的电极和具有这种电极的电池。
作为离子导体钽酸锂钾化合物固体电解质以及用于金属电池锂离子电池涂层

[发明专利]一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法-CN201210203315.7有效
发明人：孙军;许京军;李威;杨金凤;张玲;孔勇发;张华 -专利权人：南开大学
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C01G35/00 文献下载
摘要：一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法,包括：将碳酸锂质量含量为15.8%~20.1%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到富锂多晶粉末A，将A装入耐高温的坩埚下部；把待扩散的缺锂钽酸锂晶体放置在A上，晶体周围裸露的A用铂金片覆盖；再用碳酸锂质量含量为10.0%~13.5%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到贫锂多晶粉末B，将B装入坩埚上部；然后将坩埚在高温炉中进行扩散处理经过扩散处理后，可以获得高质量的近化学计量比钽酸锂晶体。
一种化学计量钽酸锂晶体制备方法

[发明专利]一种钽酸锂晶体的退火极化工艺-CN202111067158.7在审
发明人：马立强;范子亮;胡振武;刘红桥;姚辉 -专利权人：无锡亮睿智能传感技术有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及晶体极化技术领域的一种钽酸锂晶体的退火极化工艺，通过钽酸锂晶体的两端分别与多晶料块体、电极片相互配合，然后施加电流极化，避免电流导通时产生发散降低极化效果，也避免了钽酸锂晶体与电极片直接接触，可以以较小的电流密度获取优良的极化效果，避免了传统的长时间、大电流密度方式的极化造成钽酸锂晶体开裂、变色等情况的产生，极化过程中通过适宜的温度、时间、电流值相互匹配，并以光轴方向施加电流增加了钽酸锂晶体的极化效率，解决了钽酸锂晶体长期存在极化不完善的技术问题；避免了金属离子侵入造成的晶体光电特性受损；避免了极化过程中晶体产生共融的问题；且退火与极化可一次性完成，进一步提高了生产效率。
一种钽酸锂晶体退火极化工艺

[发明专利]压电性材料基板与支撑基板的接合体及其制造方法-CN201880090900.6在审
发明人：堀裕二;山寺乔纮;高垣达朗 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：在将由钽酸锂等形成的压电性材料基板和设置有氧化硅层的支撑基板接合时，使接合强度得到提高。接合体具备：支撑基板4；氧化硅层5，其设置于支撑基板4上；以及压电性材料基板1，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于氧化硅层5上。
压电材料支撑接合及其制造方法

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