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[外观设计]风冷常压开放电堆多叠层单堆-CN202030619998.X有效
发明人：周江东;陈融 -专利权人：南通百应能源有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：风冷常压开放电堆多叠层单堆。2.本外观设计产品的用途：用于燃料电池电堆。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
风冷常压开放电堆多叠层单堆

[实用新型]一种单电池水平装叠电堆工装及电堆装置-CN202221318087.3有效
发明人：李宪才;张侃侃;徐云飞;李飞强 -专利权人：北京亿华通科技股份有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01M8/2404 文献下载
摘要：本实用新型涉及燃料电池生产技术领域，具体涉及一种单电池水平装叠电堆工装及单电池水平叠装电堆装置；其中，单电池水平装叠电堆工装，包括：支撑机构；堆芯夹具，堆芯夹具适用于夹持堆芯结构；升降台，堆芯夹具设于升降台上，升降台具有第一位置和驱动堆芯夹具上升的第二位置；滑动机构，设于支撑机构上，滑动机构上设有壳体，滑动机构驱动壳体朝向堆芯夹具运动，并与处于所述第二位置的所述堆芯夹具位于同一水平面上；压头，设于所述壳体远离所述堆芯夹具的一端，所述压头用于压装所述壳体与所述堆芯结构。该单电池水平装叠电堆工装的结构简单，同时叠装的工序也较少，便于堆芯结构与壳体的叠装，增加了该单电池水平装叠电堆工装的可靠性。
一种池水平装叠电堆工装装置

[发明专利]具有通电功能的堆叠式集成部件装置-CN201380016602.X有效
发明人： R.B.普格;F.A.弗里特施;D.B.奥特斯;J.D.里亚尔;A.托纳 -专利权人：庄臣及庄臣视力保护公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种具有通电功能的堆叠式集成部件装置，所述堆叠式集成部件装置包括至少第一堆叠层(1102)，所述至少第一堆叠层包括电活性装置，所述电活性装置包括一个或多个部件；第二堆叠层(1104)，所述第二堆叠层包括电活性装置，所述电活性装置包括一个或多个部件；和至少第三堆叠层(1106，1107)，所述至少第三堆叠层包括一个或多个通电装置。至少第一电连接件(1103，1105)允许电流在所述第一堆叠层和所述第二堆叠层中的所述一个或多个部件至少其中之一与所述第三堆叠层中的至少一个部件之间流动。所述第一堆叠层包括不同于所述第二堆叠层的技术类型的技术类型。
具有通电功能堆叠集成部件装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011158240.6在审
发明人：纪世良 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括相间隔的第一区域和第二区域，位于第一区域的堆叠结构作为第一堆叠结构，位于第二区域的堆叠结构作为第二堆叠结构；形成保形覆盖第一堆叠结构、第二堆叠结构，且包围第一堆叠结构和第二堆叠结构之间间隔区域的第一介电层，在第一堆叠结构和第二堆叠结构之间形成空气墙；在第一堆叠结构和第二堆叠结构背离所述空气墙的一侧形成第二介电层。本申请实施例，形成介电墙的过程中，第一堆叠结构和第二堆叠结构远离介电墙一侧的第一介电层和第二介电层，能够给第一堆叠结构和第二堆叠结构提供支撑，使得第一堆叠结构和第二堆叠结构的形貌质量好，有利于提高半导体结构的电学性能
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310537785.5在审
发明人：郑嵘健;江国诚;朱熙甯;陈冠霖;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底；第一晶体管，包括位于半导体衬底上方的多个第一堆叠的沟道；第二晶体管，包括位于半导体衬底上方的多个第二堆叠的沟道；隔离结构，包括位于第一堆叠的沟道和第二堆叠的沟道之间的芯介电层；以及高K栅极介电层，位于第一堆叠的沟道和第二堆叠的沟道上、并且位于第一堆叠的沟道和芯介电层之间的、以及第二堆叠的沟道和芯介电层之间的芯介电层的侧壁上。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种多堆燃料电池系统效率优化的分布式控制方法-CN202211507428.6在审
发明人：杨向真;陶燕;杜燕;苏建徽;施永 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01M8/04858 文献下载
摘要：本发明公开了一种多堆燃料电池系统效率优化的分布式控制方法，是考虑到各燃料电池电堆性能不同引起的效率特性的差异，多堆燃料电池系统的各单堆电池先通过辨识得到自身电堆的效率/功率曲线，设定单堆电池的增量氢耗作为一致性变量，采用一致性算法，通过分布式通信拓扑实现相邻燃料电池之间的信息交互迭代达到增量氢耗值一致，求得对应各电堆的输出功率，并设计了单堆燃料电池控制层中电堆控制和DC/DC控制参考功率的不同给定方式。本发明能实现在各单堆系统电堆性能不一致时，多堆燃料电池系统能实现最优效率运行，以避免对集中控制器的依赖以及因氧饥饿对电堆性能造成的损害，从而能提高多堆系统运行的高效性、耐久性。
一种燃料电池系统效率优化分布式控制方法

[发明专利]三维存储器器件及其制造方法-CN202110476646.7在审
发明人：吴昭谊;杨世海;林佑明;贾汉中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/11587 文献下载
摘要：提供了包括第一堆叠结构和第二堆叠结构以及第一导电柱和第二导电柱的三维存储器器件。第一堆叠结构包括沿垂直方向堆叠的第一堆叠层。第一堆叠层的每个包括第一栅极层、第一沟道层以及第一栅极层和沟道层之间的第一铁电层。第二堆叠结构与第一堆叠结构横向间隔开，并且包括沿垂直方向堆叠的第二堆叠层。第二堆叠层的每个包括第二栅极层、第二沟道层以及第二栅极层和沟道层之间的第二铁电层。第一栅极层和第二栅极层设置在第一铁电层和第二铁电层之间，以及第一导电柱和第二导电柱沿垂直方向延伸并且分别与第一沟道层和第二沟道层接触。本申请的实施例还涉及制造三维存储器器件的方法。
三维存储器器件及其制造方法

[发明专利]存储器组件及其制造方法-CN202110400165.8在审
发明人：王琮玄 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器组件及其制造方法，存储器组件包括：衬底、多个第一堆叠结构以及多个第二堆叠结构。衬底包括阵列区与周边区。第一堆叠结构配置在阵列区的衬底上。每一个第一堆叠结构依序包括：第一穿隧介电层、第一浮置栅极、第一栅间介电层、第一控制栅极、第一金属层、第一顶盖层以及第一停止层。第二堆叠结构配置在周边区的衬底上。每一个第二堆叠结构依序包括：第二穿隧介电层、第二浮置栅极、第二栅间介电层、第二控制栅极、第二金属层、第二顶盖层以及第二停止层。第一堆叠结构的图案密度大于第二堆叠结构的图案密度。
存储器组件及其制造方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202010843263.4在审
发明人：徐崇威;江国诚;程冠伦;陈豪育;蔡庆威;王志豪;朱龙琨;黄懋霖;余佳霓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：例示性的方法包括形成第一堆叠结构与第二堆叠结构于基板上的第一区中，其中堆叠结构各自包括彼此分开且沿着一般垂直于基板的上表面的方向向上堆叠的多个半导体层；沉积第一界面层，以围绕堆叠结构的每一半导体层；沉积栅极介电层，以围绕第一界面层；形成偶极氧化物层，以围绕栅极介电层；移除围绕第二堆叠结构的栅极介电层的偶极氧化物层；进行退火工艺，以形成第一堆叠结构所用的偶极的栅极介电层，以及第二堆叠结构所用的不具偶极的栅极介电层；以及沉积第一栅极，以围绕第一堆叠结构的偶极的栅极介电层与第二堆叠结构的不具偶极的栅极介电层。
半导体装置形成方法

[发明专利]共模电感封装结构及制作方法-CN202111443457.6在审
发明人：刘涛;陈栋;徐虹;陈海杰 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种共模电感封装结构及制作方法，共模电感封装结构包括：基板，所述基板包括相对的第一表面和第二表面；第一堆叠结构，所述第一堆叠结构设置于所述第一表面上，所述第一堆叠结构包括至少一层第一导电层和至少一层第一介电层，每一所述第一导电层和每一所述第一介电层交替层叠；第一包封层，所述第一包封层设置于所述第一堆叠结构远离所述基板一侧的表面上，所述第一包封层覆盖所述第一堆叠结构；以及第二堆叠结构，所述第二堆叠结构设置于所述第一包封层远离所述第一堆叠结构一侧的表面上，所述第二堆叠结构包括至少一层第二导电层和至少一层第二介电层，每一所述第二导电层和每一所述第二介电层交替层叠。
电感封装结构制作方法

[实用新型]共模电感封装结构-CN202122982002.3有效
发明人：刘涛;陈栋;徐虹;陈海杰 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种共模电感封装结构，共模电感封装结构包括：基板，所述基板包括相对的第一表面和第二表面；第一堆叠结构，所述第一堆叠结构设置于所述第一表面上，所述第一堆叠结构包括至少一层第一导电层和至少一层第一介电层，每一所述第一导电层和每一所述第一介电层交替层叠；第一包封层，所述第一包封层设置于所述第一堆叠结构远离所述基板一侧的表面上，所述第一包封层覆盖所述第一堆叠结构；以及第二堆叠结构，所述第二堆叠结构设置于所述第一包封层远离所述第一堆叠结构一侧的表面上，所述第二堆叠结构包括至少一层第二导电层和至少一层第二介电层，每一所述第二导电层和每一所述第二介电层交替层叠。
电感封装结构

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN201210273265.X有效
发明人：徐震球;赖东明;薛凯安;黄铭德 -专利权人：钜晶电子股份有限公司
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：在晶胞区及周边区的基底上依序形成氧化材料层及第一导体材料层。进行一图案化步骤，以于晶胞区的基底上形成第一堆叠结构以及于周边区的基底上形成第二堆叠结构。于第一堆叠结构的侧壁上形成第一间隙壁以及于第二堆叠结构的侧壁上形成第二间隙壁。在第一堆叠结构两侧的基底中形成至少二第一掺杂区以及于第二堆叠结构两侧的基底中形成二第二掺杂区。至少于第一堆叠结构上形成介电层及第二导体层。晶胞区中的第一堆叠结构、介电层及第二导体层构成一电荷存储结构。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体元件及其制备方法-CN202111134499.1在审
发明人：周良宾 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：该半导体元件包括一第一堆叠结构设置于一第一基底；一第一杂质区域与一第二杂质区域分别设置于该第一堆叠结构相对的侧边并与该第一堆叠结构操作性地关联；一第二堆叠结构设置于该第一堆叠结构，且一中间绝缘层设置于其间；及一第三杂质区域设置于该第二堆叠结构的一侧边，且与该第二杂质区域电性耦合。该第一堆叠结构包括交替地排列的多个第一半导体层与多个栅极组合。所述栅极组合包括一栅极介电层与一栅极电极。该第二堆叠结构包括交替地排列的多个第二半导体层与多个电容次单元。所述电容次单元包括一电容介电层与一电容电极。
半导体元件及其制备方法

[发明专利]半导体对位结构及其制造方法-CN202111156983.4在审
发明人：赖朝文;龚耀雄 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种对位结构的制造方法包括：提供基板及复数个导电特征，导电特征间隔排列于基板上；在基板及导电特征上共形地沉积第一堆叠层，第一堆叠层上具有复数个凹入部；在第一堆叠层上形成牺牲层，移除部分的牺牲层以形成分别位于凹入部的复数个遮盖；以遮盖作为蚀刻遮罩对第一堆叠层进行非等向性蚀刻工艺，形成复数个第一堆叠部并露出导电特征；在第一堆叠部及导电特征上共形地沉积第二堆叠层；以及对第二堆叠层执行蚀刻光刻工艺，形成分别在第一堆叠部上的复数个第二堆叠部及分别暴露导电特征的复数个对位通孔借此，能精准地利用对位通孔将半导体元件放置到导电特征上，使得半导体元件与导电特征接触并电性连接。
半导体对位结构及其制造方法

[发明专利]一种可斜面堆叠双面施压燃料电池组装装置-CN202011641709.1在审
发明人：贺丹丹;刘文明;黄林;姚颖方;吴聪萍;邹志刚 -专利权人：南京大学昆山创新研究院;江苏延长桑莱特新能源有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01M8/2404 文献下载
摘要：本发明公开了一种可斜面堆叠双面施压燃料电池组装装置，包括机架，所述机架上方设有电堆支撑夹具、单杆气缸组、多杆气缸组，所述单杆气缸组平行设置于所述机架的两端，所述电堆摆放夹具设于两组单杆气缸组之间；燃料电池电堆组件设置在所述电堆支撑夹具上，所述多杆气缸组垂直于机架并且设置在所述燃料电池电堆组件的下方。本发明可用于燃料电池电堆的组装工作，该发明使得电堆组装时定位精度和电堆内部受力的均匀性得到了很大提高。
一种斜面堆叠双面施压燃料电池组装装置

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