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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及薄膜晶体管的制备方法-CN202211205487.8在审
发明人：徐琳;丁力栋;孙晓琦 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括衬底和有源层，有源层设置在衬底上，有源层包括源极接触区、漏极接触区和沟道区；源极接触区和漏极接触区的厚度大于沟道区的厚度，源极接触区导体化深度小于或等于源极接触区与沟道区的厚度差；漏极接触区导体化深度小于或等于源极接触区与沟道区的厚度差本申请通过对源极接触区和漏极接触区的厚度大于沟道区的厚度，以及对导体化深度的限制，能够使沟道区相对独立，进而降低源极接触区和漏极接触区中离子横向扩散对沟道区的影响。
一种薄膜晶体管阵列制备方法

[发明专利]阵列基板及其制作方法-CN202211667279.X在审
发明人：李壮 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该阵列基板包括衬底层、有源层、介电绝缘层、源漏极层和顶部栅极层。所述有源层设有位于两端的源极接触区和漏极接触区，以及位于所述源极接触区和所述漏极接触区之间的沟道区；其中所述源极接触区的厚度和所述漏极接触区的厚度均大于所述沟道区的厚度；所述沟道区内还设有沟道重掺杂区，所述沟道重掺杂区与所述漏极接触区的间距小于与所述源极接触区的间距。本申请通过增加源极接触区和漏极接触区的厚度降低漏极电场强度，设置所述沟道重掺杂区邻近所述漏极接触区使得漏极接触区碰撞离化产生的空穴被有效中和，减弱寄生双极结型晶体管效应，降低扭曲效应。
阵列及其制作方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置-CN201510223672.3在审
发明人：李兴华;暴军萍 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：所述低温多晶硅薄膜晶体管包括有源层、源极和漏极，所述有源层包括源极接触区、漏极接触区以及位于所述源极接触区和所述漏极接触区之间的沟道区，所述源极设置在所述源极接触区上方并通过源极过孔与所述源极接触区相连，所述漏极设置在所述漏极接触区的上方并通过漏极过孔与所述漏极接触区相连，所述源极接触区的厚度和所述漏极接触区的厚度均大于所述沟道区的厚度。本发明能够使得源极和漏极与有源层具有较大的接触面积，从而提高了低温多晶硅薄膜晶体管的可靠性和良率。
低温多晶薄膜晶体管制作方法阵列显示装置

[发明专利]薄膜晶体管和阵列基板及其各自制备方法、以及显示装置-CN201310687276.7有效
发明人：高涛;周伟峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的低温多晶硅薄膜晶体管，包括：设置在基底上的有源层，与有源层连接的源极和漏极，所述有源层包括源极接触区、漏极接触区，以及设于源极接触区和漏极接触区之间的半导体区，所述源极接触区和所述漏极接触区均能够导电，且所述源极接触区和所述漏极接触区均包括半导体基体和分布在所述半导体基体内的离子，所述源极直接覆盖所述源极接触区，所述漏极直接覆盖漏极接触区。
薄膜晶体管阵列及其各自制备方法以及显示装置

[发明专利]掩膜版、闪存器件及其制造方法-CN201910172994.8有效
发明人：田志;李娟娟;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩膜版、闪存器件及其制造方法，所述闪存器件的制造方法包括：提供一形成有多条平行的有源区以及与所述有源区平行的初始接触区的衬底；在所述衬底上形成有横跨于所述初始接触区和所有所述有源区上的栅极结构；掩蔽所述初始接触区以及所述栅极结构一侧的有源区，形成源极；掩蔽所述源极，形成漏极和源极接触区；形成覆盖于所述源极、漏极和源极接触区上的介质层；以及，形成与所述源极接触区电接触的源极接触插栓以及与所述漏极电接触的漏极接触插栓于所述介质层中通过本发明的技术方案，使得在闪存器件的尺寸缩小的同时，还能改善源极接触插栓的开态问题和漏极接触插栓的漏电问题，进而使得闪存器件的性能得到提高。
掩膜版闪存器件及其制造方法

[发明专利]一种MOSFET器件的元胞结构-CN202111566045.1在审
发明人：李明山;孙博韬;徐妙玲;张晨;邱艳丽;李天运 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供了一种MOSFET器件的元胞结构，属于H01L半导体器件的技术领域，为了解决相关技术中MOSFET器件的元胞结构性能欠佳的问题，其包括漂移层、源极构造和栅极构造，其中源极构造和栅极构造间隔排列设置于漂移层顶部，相对每一源极构造设置一第一源接触区、第二源接触区以及基区，第一源接触区和第二源接触区沿漂移层宽度排列且导电类型相反，基区深于第二源接触区且接触第二源接触区，第一源接触区深于基区，所有第二源接触区位于第一源接触区同一侧
一种 mosfet 器件结构

[发明专利]薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法-CN201410841792.5在审
发明人：左岳平;李良坚 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该薄膜晶体管的制作方法包括：在衬底基板上形成有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极，层间绝缘层和栅极绝缘层上设置有对应于源极和漏极的过孔；有源层包括与源极连接的源极欧姆接触区、与漏极连接的漏极欧姆接触区、位于栅极下方的用于作为沟道的沟道区以及位于漏极欧姆接触区与沟道区之间的轻掺杂区，或者，有源层包括与源极连接的源极欧姆接触区、与漏极连接的漏极欧姆接触区、位于栅极下方的用于作为沟道的沟道区以及位于漏极欧姆接触区与沟道区之间和源极欧姆接触区与沟道区之间的两个轻掺杂区
薄膜晶体管制作方法阵列

[发明专利]具有源极镇流的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管-CN201910876410.5有效
发明人：维平达斯·帕拉 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：该集成器件包含多个平面金属氧化物半导体场效应晶体管，后者具有于多个源极区的第一源极区中形成的第一接触区，以及于多个源极区的第二源极区中形成的第二接触区。第一接触区和第二接触区具有掺杂第二导电类型的源极区相应部分，且第一接触区和第二接触区经由结型场效应晶体管区域分离；其中结型场效应晶体管区域的一个平面尺寸长于另一个，且第一接触区和第二接触区经由较长平面尺寸分离结型场效应晶体管区域通过导电接触至少一个接触区的源极区和体区，界定于对应较长平面尺寸的至少一侧。
有源极镇流碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]薄膜晶体管、显示基板及显示装置-CN202310402903.1在审
发明人：宋尊庆 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置，该薄膜晶体管包括：栅极、有源层、源极以及漏极。其中，有源层包括源极接触区域、漏极接触区域以及位于源极接触区域与漏极接触区域之间的沟道区域。沟道区域包括靠近漏极接触区域的第一沟道区，沿远离漏极接触区域的方向，第一沟道区的沟道宽度减小。
薄膜晶体管显示显示装置

[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板-CN201810390114.X有效
发明人：颜源;李立胜;宋德伟 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的TFT基板的制作方法，通过在有源层两端的源漏极接触区内分别设置接触区过孔，在缓冲层对应于所述接触区过孔下方形成缓冲层凹槽，并使缓冲层凹槽和有源层之间在接触区过孔处形成底切结构，从而使得透明导电层在接触区过孔处发生断裂，后续使得源漏极穿过绝缘层过孔和接触区过孔在缓冲层凹槽内从下方与有源层的源漏极接触区相接触，避开了7Mask技术中多晶硅与氧化铟锡接触而出现的肖特基接触势垒，使得源漏极从下方直接与有源层的源漏极接触区形成欧姆接触
tft 制作方法基板

[发明专利]具有为块状半金属的半导体材料的器件及其形成方法-CN201510724065.5有效
发明人：让-皮埃尔·科林格;卡洛斯·H·迪亚兹;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：示例性结构包括衬底、第一源极/漏极接触区、沟道结构、栅极电介质、栅电极和第二源极/漏极接触区。衬底具有上表面。沟道结构连接至第一源极/漏极接触区并且位于第一源极/漏极接触区上方，并且沟道结构位于衬底的上表面上方。沟道结构具有在第一源极/漏极接触区之上延伸的侧壁。沟道结构包括含铋半导体材料。第二源极/漏极接触区连接至沟道结构并且位于沟道结构上方。本发明涉及具有为块状半金属的半导体材料的器件及其形成方法。
有为块状金属半导体材料器件及其形成方法

[实用新型]具有高崩溃电压的化合物半导体装置-CN201821958118.5有效
发明人：吴俊鹏;大藤彻;谢明达 -专利权人：捷苙科技股份有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种具有高崩溃电压的化合物半导体装置，其特征在于，衬底层；缓冲层，形成于所述衬底层上；主动层，形成于缓冲层上，所述主动层包括，源极欧姆接触区，形成于主动层的一侧边上；漏极欧姆接触区，形成于相对源极欧姆接触区的另一侧边，其中，漏极欧姆接触区是形成在主动层上的纵向突起部；栅极区，形成于所述源极欧姆接触区及所述漏极欧姆接触区之间的主动层上。
欧姆接触区主动层漏极源极化合物半导体装置高崩溃电压衬底层缓冲层崩溃电压纵向突起电场漏极端栅极区

[发明专利]驱动基板及其制备方法、显示面板-CN202110320975.2在审
发明人：高磊;何昆鹏 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种驱动基板及其制备方法、显示面板，所述驱动基板包括衬底和薄膜晶体管，薄膜晶体管设置于衬底上，薄膜晶体管包括子薄膜晶体管组件、源极以及漏极，子薄膜晶体管组件包括同轴且沿径向由内向外依次设置的半导体层、第一绝缘层以及栅极，半导体层沿轴向依次具有源极接触区、沟道区以及漏极接触区，源极接触区和漏极接触区位于半导体层的端部，源极位于源极接触区，漏极位于漏极接触区。
驱动及其制备方法显示面板

[发明专利]薄膜晶体管及制作方法、阵列基板和显示装置-CN201710294861.9在审
发明人：卢鑫泓 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括有源层以及同层且间隔设置的源极和漏极，所述有源层包括源极接触区、漏极接触区和连接所述源极接触区和所述漏极接触区的沟道区，所述源极接触区覆盖所述源极的至少一部分，所述漏极接触区覆盖所述漏极的至少一部分，所述沟道区位于所述源极和漏极之间的间隔区。该结构的薄膜晶体管，在制作工艺中，不会产生轻掺杂区，同时，由于源极和漏极之间的区域为沟道区，能够准确定义所形成的沟道区的长度，沟道区的长度确定后，可以准确地确定驱动电压的大小，有利于包括该薄膜晶体管的显示装置进行精确的显示
薄膜晶体管制作方法阵列显示装置

[发明专利]双RESURF LDMOS器件-CN201310385923.9在审
发明人：刘正超 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种双RESURF LDMOS器件，包括：布置在衬底表面的漏极阱区；布置在衬底表面的与漏极阱区邻接并且相对于漏极阱区对称布置的第一源极阱区和第二源极阱区；布置在漏极阱区表面中央位置的漏极接触区；布置在漏极阱区表面与漏极接触区邻接并且相对于漏极接触区对称布置的第一浅沟槽区域和第二浅沟槽区域；布置在漏极阱区中并且分别布置在第一浅沟槽区域和第二浅沟槽区域下方的第一掩埋区域和第二掩埋区域；布置在第一源极阱区表面的具有第二掺杂类型的第一源极接触区；布置在第二源极阱区表面的第二源极接触区；布置在衬底表面上的位于漏极阱区和第一源极阱区上方的第一栅极；以及布置在衬底表面上的位于漏极阱区和第二源极阱区上方的第二栅极。
resurf ldmos 器件

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