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[发明专利]一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构及制备方法-CN201710733462.8有效
发明人：袁俊;黄兴;倪炜江;张敬伟;牛喜平;李明山;徐妙玲;窦娟娟;胡羽中 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构及制备方法，该元胞结构从下至上包括衬底、AlN隔离层、石墨烯掩埋散热层、AlN成核层，GaN缓冲层，n型重掺杂GaN层，n型GaN层，p型GaN电子阻挡层、非掺杂GaN层以及AlGaN势垒层；元胞结构的栅槽孔由元胞结构的顶部一直延伸至所述n型GaN层，所述栅槽孔的侧壁及底部均设置有栅介质层。本申请解决了现有常关型GaN MISFET器件不能同时兼具均匀而稳定的大阈值电压、低的器件导通电阻和高开关速率的技术问题，针对GaN基III‑V族材料功率器件中的常关型类别，提出一种具有纵向栅极结构的常关型GaN MISFET器件元胞结构及其制备方法，以实现GaN MISFET器件稳定大阈值电压常关型操作的同时有效降低器件的开启导通电阻。
一种石墨掩埋散热纵向沟道 gan misfet 结构制备方法

[发明专利]一种合金铸锭缺陷修复方法及一种合金铸锭-CN202310711504.3在审
发明人：岳晓聪;黄宇彬;李明山;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（安徽）有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B22D27/08 文献下载
摘要：本发明属于合金铸锭废品回收加工技术领域，公开了一种合金铸锭缺陷修复方法及一种合金铸锭，该合金铸锭缺陷修复方法包括如下步骤：步骤1：将内部含有缩松和/或气孔的合金铸锭放入浇铸模具内升温软化；步骤2：待合金铸锭软化后振动浇铸模具，并下压铸锭表面；步骤3：降温，取出合金铸锭；其中，振动的振动频率为35‑40kHZ；所述步骤2下压铸锭表面的具体操作为：采用干净怵头在铸锭表面向下压5次，每次下压的压力为200‑300公斤力，下压时间为2‑4s，相邻的两次下压时间间隔为10‑12s；所述合金铸锭为至少含有镍、铬、铝、钇金属的合金铸锭。本发明通过振动浇铸模具和下压铸锭表面结合对合金铸锭施力，合金铸锭内部的缩松、气孔等缺陷减少，修复合金铸锭的缺陷。
一种合金铸锭缺陷修复方法

[实用新型]多功能智能手环-CN202222828433.9有效
发明人： 李明山 -专利权人：唯意康生物科技有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： A44C5/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了多功能智能手环，包括外壳和锁止单元；外壳：其内部的上端设有显示屏，外壳下表面的通孔内部设有心率传感器，外壳内部的前端设有重力加速传感器，外壳内部的右端设有锂电池，外壳的前后两端均安装有转轴，转轴均与腕带转动连接；锁止单元：其包括环形卡槽和卡板一，环形卡槽分别开设于转轴外弧面的右端，卡板一分别滑动连接于外壳内部的前后两端，卡板一分别与相邻的环形卡槽活动卡接；其中：还包括单片机，单片机设置于外壳的中部，心率传感器、重力加速传感器和锂电池的输出端均电连接单片机的输入端，该多功能智能手环，腕带更换快捷方便，保证了使用时的便利性。
多功能智能

[发明专利]一种具有二维电子气去噪屏蔽环的AlGaN紫外探测器-CN201710733463.2有效
发明人：袁俊;倪炜江;黄兴;张敬伟;牛喜平;李明山;徐妙玲;窦娟娟;胡羽中 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有二维电子气去噪屏蔽环的AlGaN紫外探测器，该探测器从下至上包括衬底、GaN或AlN缓冲层、GaN高掺杂背面导电层、非掺杂GaN层、n型AlGaN有源耗尽区以及p型AlGaN雪崩结；非掺杂GaN层与n型AlGaN有源耗尽区之间构成二维电子气沟道屏蔽结构；p型AlGaN雪崩结的上方设置有雪崩结阳极；探测器还包括各电极结构。本申请可以大幅降低有源区外围及背底产生的暗电流，提高探测器的信噪比和探测效率。器件采用GaN/AlGaN二维结构形成2DEG沟道等电势面作为漏电流和噪声的屏蔽结构，通过2DEG沟道等电势面接地滤除有源区周边和背面衬底的噪声电流，有助于实现低噪声高增益，高信噪比和探测效率的紫外探测器。
一种具有二维电子气去噪屏蔽 algan 紫外探测器

[发明专利]一种复合钝化层栅场板GaN HEMT元胞结构及器件-CN201710356749.3有效
发明人：袁俊;杨永江;倪炜江;张敬伟;李明山;牛喜平;胡羽中 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合钝化层栅场板GaN HEMT器件元胞结构，制作该器件的半导体材料为GaN外延片或单晶片，衬底可以是Si，SiC或者蓝宝石等，器件表面在栅和漏之间的钝化层为复合钝化层，如图1所示，在栅场板底下的钝化层淀积或生长的是Low‑K的介质，而栅场板之外的部分为High‑K介质层。其中，High‑K钝化层有助于提高器件的耐压和保持较低的表面漏电，而栅场板结构下的Low‑K介质层降低了器件场板引起的寄生电容，有助于提升器件的频率特性。
一种复合钝化层栅场板 gan hemt 结构器件

[发明专利]一种高温合金旋转靶材的浇铸模具以及靶材浇铸方法-CN202310643273.7在审
发明人：岳晓聪;黄宇彬;李明山;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（安徽）有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B22C9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温合金旋转靶材的浇铸模具以及靶材浇铸方法，涉及靶材生产技术领域，该模具包括底座，所述底座上侧安装有外筒，所述外筒顶端连接有进料漏斗，还包括芯柱，所述芯柱包括金属内芯，所述金属内芯位于外筒内部中心处，且与底座上表面连接；石墨贴片，所述石墨贴片有两个，两个所述石墨贴片分别通过石墨胶粘附于金属内芯的柱身上，两个所述石墨贴片边缘的连接缝隙小于1mm；金属丝套，所述金属丝套套设于两个所述石墨贴片上端，用以对两个石墨贴片进行固定；在金属液冷却时，石墨贴片膨胀带来的形变量可以刚好填满缝隙，不会对金属液造成挤压变形，因此可以防止金属液成型为旋转靶材后而产生开裂现象。
一种高温合金旋转浇铸模具以及方法

[发明专利]一种铝合金铸锭缺陷修复方法及一种铝合金铸锭-CN202310711547.1在审
发明人：岳晓聪;黄宇彬;李明山;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（安徽）有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B23P6/00 文献下载
摘要：本发明属于合金铸锭废品回收加工技术领域，公开了一种铝合金铸锭缺陷修复方法及一种铝合金铸锭，该铝合金铸锭缺陷修复方法包括如下具体步骤：步骤1：将有缺陷的铝合金铸锭放入炉中加热至400‑460℃使铝合金铸锭软化；步骤2：固定铝合金铸锭；步骤3：锻打铝合金铸锭两侧以使铝合金铸锭内部的缩松去除、气孔排除；其中，所述步骤3中锻打过程中施加的锻打力为800‑1000公斤力；所述铝合金铸锭中铝含量为90‑95％。本发明提供了一种铝合金铸锭缺陷修复方法，能够充分修复已成型的铝合金铸锭的内部缺陷，将铝合金铸锭内部的缩松排除、气孔去除，且铝合金铸锭不会开裂。
一种铝合金铸锭缺陷修复方法

[发明专利]一种应用于核磁环境的触摸按键触觉振动反馈结构-CN202010033374.9有效
发明人： 李明山;徐斌;魏永泽;温长华 -专利权人：深圳市巨烽显示科技有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03K17/96 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于核磁环境的触摸按键触觉振动反馈结构，包括无磁支撑架、面壳、触摸板、电磁屏蔽片以及压电执行器；触摸板设于面壳的下方，面壳与无磁支撑架固定连接，电磁屏蔽片位于面壳与无磁支撑架之间，电磁屏蔽片与无磁支撑架构成一屏蔽腔，压电执行器置于屏蔽腔内且与触摸板电性连接；一定力度点击面壳上的按键字符时，触摸板的感应功能被激活并发送振动信号至压电执行器，压电执行器发出振动并将振动的力传导至面壳，以实现触觉振动反馈。本发明通过触觉振动反馈，提高了按键手感，另外，由于电磁屏蔽片和无磁支撑架构成了一屏蔽器，而且电磁屏蔽片和无磁支撑架都是无磁的材质制成的，因此，避免了压电执行器受到核磁信号的干扰。
一种应用于环境触摸按键触觉振动反馈结构

[发明专利]一种波导测试结构、波导测试晶圆及波导测试方法-CN202310449649.0在审
发明人：高颖;李明山;生俊扬 -专利权人：北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01M11/00 文献下载
摘要：本申请提供一种波导测试结构、波导测试晶圆及波导测试方法，所述测试结构包括：至少两个波导结构，每个波导结构包括若干呈弧形的弯曲波导以及若干呈直线的直波导，所述若干直波导位于相邻的弯曲波导之间并连接所述若干弯曲波导；所述若干弯曲波导的形状相同，不同波导结构中的弯曲波导数量各不相同。本申请提供一种波导测试结构及测试方法，测试结构中同时具有弯曲波导和直波导，能够代表实际应用中的波导结构，因而能够准确测试光通过单个弯曲波导的损耗。
一种波导测试结构方法

[发明专利]一种端面耦合器结构及其形成方法-CN202310524329.7在审
发明人： 李明山;高颖 -专利权人：北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请提供一种端面耦合器结构及其形成方法，所述端面耦合器结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅层、埋氧层和顶硅层，所述顶硅层中形成有硅波导结构，所述硅波导结构被包覆层包覆，所述包覆层中包括第一折射率调制区和第二折射率调制区；所述第一折射率调制区中形成有若干与所述硅波导结构的边缘间距相等的第一折射率调制结构，所述第二折射率调制区中形成有若干密度从硅波导结构向远离硅波导结构方向逐渐减小的第二折射率调制结构，所述第一折射率调制结构和第二折射率调制结构的折射率大于所述包覆层的折射率小于所述硅波导结构的折射率。本申请提供一种端面耦合器结构及其形成方法，可以提高端面耦合器的性能，降低耦合损耗。
一种端面耦合器结构及其形成方法

[实用新型]一种多功能减压与缺血预适应训练椅-CN202222828596.7有效
发明人： 李明山 -专利权人：唯意康生物科技有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： A61H1/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多功能减压与缺血预适应训练椅，包括：座椅；支撑块，所述支撑块固定安装于所述座椅的一侧，所述支撑块的内部转动连接有转动杆，所述转动杆的两端分别固定安装有固定板，所述固定板的底部固定安装有支撑板，所述支撑板的一侧固定安装有滑动槽；驱动电机，所述驱动电机固定安装于所述座椅的底部，所述驱动电机的输出端固定安装有螺纹套，所述螺纹套的内侧面螺纹连接有螺纹杆，所述螺纹杆的一端的内部转动连接有滚轮。本实用新型提供的一种多功能减压与缺血预适应训练椅，通过驱动电机、螺纹套、螺纹杆等配件的相互配合，能够对患有下肢动脉硬化闭塞症的患者的下肢进行训练，并且此装置的结构简单，操作起来比较方便。
一种多功能减压缺血适应训练

[实用新型]一种滑轨包装袋送料套袋设备-CN202222779254.0有效
发明人：区坤朋;阮嘉浩;李明山 -专利权人：佛山市顺德区福赛尔金属制品有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B65B35/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种滑轨包装袋送料套袋设备，涉及滑轨加工技术领域，包括机架台板、输送平台、夹持装置、包装袋成型装置、下吸袋盘、夹袋装置和套袋吸盘，旨在解决现有技术中对滑轨进行套袋包装时，包装带无法进行自动送料和套袋包装，导致滑轨的套袋包装效率低的问题。相比于现有技术，输送平台对滑轨进行直线步进送料，夹持装置对输送平台上的滑轨进行升降夹持，包装袋成型装置对包装袋条进行剪切封边形成包装袋，夹袋装置夹取拉扯出包装袋并放入下吸袋盘上，套袋吸盘吸取下吸袋盘上的包装袋并滑动套入夹持装置升降夹持的滑轨上，能够对滑轨进行自动送料和套袋包装，提高滑轨的套袋包装效率，有助于提高生产效率。
一种滑轨装袋送料套袋设备

[实用新型]一种沟槽碳化硅MOSFET器件-CN202122914247.2有效
发明人：史田超;乔庆楠;钮应喜;王敬;赵清;单卫平;袁松;彭强;李明山;毕匀雨 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种沟槽碳化硅MOSFET器件，包括：N‑外延层；至少两个P+型注入区，悬浮设置于N‑外延层内；沟槽栅结构，沟槽栅结构的两个底角分别与两个P+型注入区接触。增强了栅氧的可靠性，特别有效降低栅槽底部和侧面氧化层的电场强度，提高栅氧可靠性；浮空式P型埋层反向阻断时形成耗尽区，使器件的反向耐压特性得到明显改善；减少了栅漏接触面积，降低了栅漏电容，提升开关速率。
一种沟槽碳化硅 mosfet 器件

[发明专利]一种SiC VDMOSFET功率器件及其制备方法-CN202211557686.5在审
发明人：赵超越;袁松;史田超;乔庆楠;彭强;李明山;钮应喜 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种SiC VDMOSFET功率器件的结构，所述结构包括：N型SiC衬底，位于N型SiC衬底的背面及正面的漏极、N型外延层；在N型外延层的两侧注入形成两个P阱区，在每个P阱区内依次形成P+接触区、N+源区，P+接触区远离JFET区设置，N+源区邻接P+接触区，且靠近JFET区设置；设于N型外延层上的第一层栅极氧化层，位于JFET区、沟道及部分N+源区上方，沟道上方的第一层栅极氧化层向下凹，在第一层栅极氧化层上形成栅极，在P+接触区及部分N+源区上形成源极。通过干法刻蚀形成了凹式栅极氧化层，栅极氧化层在JFET区上方厚度厚，在沟道上方厚度薄，在不影响栅极氧化层所承受的电场强度的情况下，降低了器件阈值电压，提高了器件的性能与可靠性。
一种 sic vdmosfet 功率器件及其制备方法

[实用新型]一种阿胶生产废气净化装置-CN202223108302.X有效
发明人： 李明山 -专利权人：山东东阿一品堂阿胶生物有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种阿胶生产废气净化装置，涉及废气净化装置技术领域，包括废气净化塔，所述废气净化塔的顶面贯穿连接有连通管，所述废气净化塔的底面贯穿连接有输气管，所述废气净化塔的中部固定连接有连接箱，所述连接箱的数量设置有两个，两个所述连接箱的内部均设置有连接槽，其中一个所述连接箱的内部活动连接有第一填料箱。本实用新型通过第一填料箱和第二填料箱内装载的反应原料与通过的废气进行反应净化过滤，在长期使用过程中，使用者可以通过固定板将第一填料箱和第二填料箱从连接箱内抽出，从而便于使用者对第一填料箱和第二填料箱表面附着的烟尘进行清理并对原料进行更换补充，然后在重新安装放置，方便了使用者使用。
一种阿胶生产废气净化装置

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