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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]三维半导体装置-CN202211532530.1在审
发明人： 李槿熙;金景洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：提供三维半导体装置。所述三维半导体装置包括：第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案、第三源极/漏极图案和第四源极/漏极图案，顺序地堆叠在基底上；接触结构，在第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案上；和接触线，在接触结构上。接触结构包括：第一源极/漏极图案上的第一有源接触件、第二源极/漏极图案上的第二有源接触件、第三源极/漏极图案上的第三有源接触件、和第四源极/漏极图案上的第四有源接触件。第一有源接触件的第一垂直延伸部分邻近于接触结构的一侧，第二有源接触件的第二垂直延伸部分邻近于接触结构的另一侧。第三有源接触件的第三垂直延伸部分置于第一垂直延伸部分与第二垂直延伸部分之间，更靠近第一垂直延伸部分。
三维半导体装置

[发明专利]具有二维输入输出装置的半导体封装件-CN202211614835.7在审
发明人：金景洙;李槿熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括第一半导体芯片，第一半导体芯片包括：第一接合结构；第一前端层级层，包括第一集成电路装置；第一子后端层级层，包括多个第一金属布线层；输入输出装置层级层，包括二维输入输出装置；以及第二子后端层级层，包括电连接到第一集成电路装置和二维输入输出装置的多个第二金属布线层。所述半导体封装件还包括第二半导体芯片，第二半导体芯片包括：第二接合结构，接合到第一接合结构；第二前端层级层，包括第二集成电路装置；以及第二后端层级层，包括电连接到第二集成电路装置的多个第三金属布线层。
具有二维输入输出装置半导体封装

[发明专利]半导体存储器设备-CN202211345568.8在审
发明人：李容在;金景洙;朴珍荣;李槿熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器设备。半导体存储器设备可以包括磁隧道结图案、与磁隧道结图案的第一部分接触的自旋轨道矩(SOT)图案、电连接到磁隧道结图案的第二部分且被配置为通过第一字线控制的第一晶体管、以及电连接到自旋轨道矩图案的第一端并且被配置为通过第二字线控制的第二晶体管。第一晶体管的有效沟道宽度可以不同于第二晶体管的有效沟道宽度。
半导体存储器设备

[发明专利]半导体器件-CN202211248215.6在审
发明人： 李槿熙;金景洙;朴星一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：下纳米片；在下纳米片上的上纳米片；在基板上并提供在每个纳米片周围的栅电极；在第一栅电极和第二栅电极的第一侧的第一下源极/漏极区；在第一栅电极和第二栅电极的第二侧的第二下源极/漏极区；在第一下源极/漏极区上的第一上源极/漏极区；以及在第二下源极/漏极区上的第二上源极/漏极区。第二下源极/漏极区的第一长度大于第二上源极/漏极区的第二长度。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202211195925.7在审
发明人：金景洙;李槿熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括在第一方向上延伸的有源区；栅电极，在第二方向上延伸，与有源区交叉；源区/漏区，设置在有源区凹陷的区域中；掩埋互连线，设置在基底中；第一下接触插塞，穿透基底的一部分，并且将源区/漏区中的至少一个与掩埋互连线中的至少一条连接；第二下接触插塞，穿透基底的一部分，并且将栅电极中的至少一个与掩埋互连线中的至少一条连接；以及上接触插塞，连接到源区/漏区的一部分和栅电极的一部分，其中，第一下接触插塞和第二下接触插塞的上表面设置在比栅电极的上表面的水平低的水平上。
半导体装置

[发明专利]包括三维堆叠的场效应晶体管的静态随机存取存储器器件-CN202211055693.5在审
发明人：金景洙;李槿熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括具有最小化的平面面积和简单布线连接结构的三维结构的(3DS)场效应晶体管(FET)的静态随机存取存储器(SRAM)器件，其包括：半导体衬底；第一鳍有源区，在半导体衬底上在第一方向上延伸；第二鳍有源区，在半导体衬底上在第一方向上延伸并在垂直于第一方向的第二方向上与第一鳍有源区分开；以及四个栅极，在第二方向上延伸并与第一鳍有源区或第二鳍有源区的部分交叉。第一鳍有源区和第二鳍有源区中的每个包括其中仅布置下层的第一区和其中上层布置在下层上的第二区。
包括三维堆叠场效应晶体管静态随机存取存储器器件

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202210722726.0在审
发明人：金景洙;朴珍荣;李槿熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置和制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：有源图案，在基底上；源极/漏极图案，在有源图案上；栅电极，在连接到源极/漏极图案的沟道图案上；有源接触件，在源极/漏极图案上；第一下互连线，在有源接触件上；第二下互连线，在栅电极上；第一间隔件，在栅电极与有源接触件之间；以及第二间隔件，与第一间隔件分隔开，并且栅电极或有源接触件置于其间。栅电极包括电极主体部和从其顶表面突出且接触第二下互连线的电极突出部。有源接触件包括接触件主体部和从其顶表面突出且接触第一下互连线的接触件突出部。第一间隔件的顶表面比第二间隔件的顶表面高。
半导体装置制造方法

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