专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种电子结构精修模型的新方法-CN202211703421.1有效
  • 姜小明;郭国聪 - 中国科学院福建物质结构研究所
  • 2022-12-29 - 2023-10-03 - G16C60/00
  • 本发明属于材料细分领域,尤其是一种电子结构精修模型的新方法,步骤包括:建立参数价电子数Pi价和价电子收缩因子κi参数的电子密度模型,计算出每个衍射点的理论结构因子Fk理论(P);通过X射线单晶衍射实验,获得每个衍射点的实验强度,计算出实验结构因子;建立理论结构因子与实验结构因子的差值函数;采用最小二乘法计算出差值函数中的最小值,获得最优模型的参数价电子数Pi价和价电子收缩因子κi,通过本发明得到材料分析领域精修后的电子结构;后续依据该电子结构进行拓扑分析和材料设计更加精准。
  • 一种电子结构模型新方法
  • [发明专利]单斜相Ga2-CN202011377984.7有效
  • 郭国聪;王国强;刘彬文;姜小明 - 中国科学院福建物质结构研究所
  • 2020-11-30 - 2023-09-08 - C30B23/00
  • 本申请公开了一种单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法及其生长装置。单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法,包括以下步骤:将含有Ga2S3多晶原料和单斜相Ga2S3籽晶的真空密闭容器在温度梯度区内进行加热恒温;晶体生长后降温,得到所述单斜相Ga2S3晶体;所述Ga2S3多晶原料位于高温区;所述单斜相Ga2S3籽晶位于低温区。该生长方法操作简单,且经济实用,得到了能够符合实用要求的厘米级高质量大尺寸单斜相Ga2S3,且在紫外可见近红外光区域透过率高。
  • 单斜gabasesub
  • [发明专利]一种电子结构拓扑分析的方法-CN202211703386.3有效
  • 姜小明;郭国聪 - 中国科学院福建物质结构研究所
  • 2022-12-29 - 2023-08-29 - G16C60/00
  • 本发明属于材料细分领域,一种电子结构拓扑分析的方法,包括:通过实验或理论计算获得一个单胞中的电子密度ρ(i,j,k)和波函数其中,i,j,k为三维空间中的位置坐标,m为波函数的序号,ρ和在一个单胞三个方向的取值点个数分别为nx,ny,nz;通过电子局域函数ELF(i,j,k),计算ELF(i,j,k)值;通过计算出分数维度FD,获取ELF‑FD曲线图,可以提取出电子结构,如电子密度、波函数的深层次的拓扑几何特征,用于分析材料电子结构与性能的关系和高性能材料的研究。
  • 一种电子结构拓扑分析方法
  • [发明专利]一种MCHN7-CN202010044346.7有效
  • 徐建刚;郑发鲲;郭国聪;徐忠宁;吴慧芳;卢健 - 中国科学院福建物质结构研究所
  • 2020-01-15 - 2023-07-25 - C07F1/08
  • 本申请公开了一种MCHN7含能材料、其制备方法及作为起爆药、炸药和烟火剂的应用。所述含能材料的化学式是MCHN7;其中,M选自IB族金属元素、IIB族金属元素、VIIB族金属元素、VIII族金属元素中的至少一种;所述含能材料的晶体结构属于正交晶系,空间群P212121。所述含能材料具有优异的稳定性和安全性,绿色环保。实验测定热稳定性不小于255℃,撞击感度为0.8~2.0J,摩擦感度大于等于5N,静电火花感度2~200mJ。与目前商业化的起爆药相比,本申请所述含能材料的爆炸热量是其2~4倍,且克服了其存在的严重的铅污染和爆炸性能不足的缺点,在绿色高性能含能材料领域具有重要商业应用价值。
  • 一种mchnbasesub

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