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[发明专利]降低线条粗糙度的混合光刻方法-CN201210357244.6有效
发明人：孟令款;李春龙;贺晓彬;李俊峰;闫江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种降低线条粗糙度的混合光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；执行第一光刻/刻蚀，在第一硬掩模层上形成第一光刻胶图形，刻蚀第一硬掩模层，形成第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；执行第二光刻/刻蚀，在第二硬掩模层上形成第二光刻胶图形，刻蚀第二硬掩模层，形成第二硬掩模图形；继续刻蚀第二硬掩模层和第一硬掩模层，形成第三硬掩模图形；以第三硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的线条依照本发明方法，采用材质不同多层硬掩模层并多次刻蚀，防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层，有效降低了线条的粗糙度，提高了工艺的稳定性，降低了器件性能的波动变化。
降低线条粗糙混合光刻方法

[发明专利]一种采用灰度补偿制提高光刻曝光能量均匀性的方法-CN200810018928.7无效
发明人：陈明勇;张放心;王骥;汪飞燕 -专利权人：芯硕半导体（中国）有限公司
申请日： 2008-01-29 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用灰度补偿制提高光刻曝光能量均匀性的方法，适用于使用空间光调制器件作为图形发生器的无掩模光刻机，使用空间光调制器件作为图形发生器的无掩模光刻机中利用空间光调制器的灰度调制能力，依据CCD采集得到光刻物镜像面光强分布信息，通过调制空间光调制器各像素单元的光输出，来改变光刻物镜像面的出射光场分布：由一定微小时间内积分测量出来的光强分布，或者在一定曝光时间内各个像面位置点所发出的光的能量分布，使之像面各位置曝光能量一致，它有效的降低了传统光刻机照明系统的设计、装调难度，能够轻易达到优异的曝光能量均匀性。
一种采用灰度补偿提高光刻曝光能量均匀方法

[发明专利]一种数字掩模投影光刻优化方法及系统-CN202110580510.0有效
发明人：赵圆圆;陈经涛;朱建新;段宣明 -专利权人：暨南大学
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明为解决数字掩模投影光刻存在实际光刻图形偏离目标设计图形、光刻分辨率难以提高的问题，提出一种数字掩模投影光刻优化方法及系统，其方法包括以下步骤：建立以数字掩模的复振幅分布的矩阵表达式，构建数字掩模投影光刻成像模型DDA0003085877640000011.TIF" imgContent="drawing" imgFormat="TIFF" orientation="portrait" inline="yes" />并对所述数字掩模投影光刻成像模型进行数字掩模反演计算，基于所述代价函数F计算对于数字掩模的梯度，对所述数字掩模投影光刻成像模型进行优化，在迭代一定次数或者满足一定条件之后停止迭代，得到数字掩模M；将所述数字掩模M加载在空间光调制器上，得到与目标图形差距最小的光刻图案
一种数字投影光刻优化方法系统

[发明专利]光刻胶掩模及其制作方法-CN02153956.1无效
发明人：侯德胜;冯伯儒;张锦 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2002-12-09 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：光刻胶掩模及其制作方法，该掩模由透明基片上的光刻胶膜层构成，利用光刻胶膜层对不同波长入射光的透过率不同的特性，选用对曝光波长透过率低的光刻胶膜层直接作为掩蔽层，该光刻胶掩蔽层对曝光光束的透过率在5％以内其制作方法是将选用的光刻胶按实验确定的厚度用匀胶机均匀涂敷在玻璃或石英等透明基片上，做成光刻胶版；再对光刻胶版进行曝光、显影等工艺处理后制成有图形的实用掩模。该掩模结构简单，制作容易，成本低，且对环境不造成污染，采用该掩模可达到与普通铬掩模相同的光刻分辨力。
光刻胶掩模及其制作方法

[发明专利]多层硅微机械结构的掩模－无掩模腐蚀技术-CN97106555.1无效
发明人：鲍敏杭;李昕欣;沈绍群;杨恒 -专利权人：复旦大学
申请日： 1997-08-06 - 公布日： 2001-01-17 - 主分类号： C23F1/32 文献下载
摘要：本发明是加工多层硅微机械结构的掩模—无掩模各向异性腐蚀技术。已有技术采用掩模淀积，光刻和在掩模限制下的硅各向异性腐蚀，用以制作多层结构时工艺复杂而且不能形成较深的结构，有很大的局限性。本发明利用了ＫＯＨ腐蚀液对有掩模腐蚀形成的〈１１０〉方向硅台阶作无掩模腐蚀时{３１１}面取代原{１１１}侧面的特性和相对台阶之间的相互作用，可同时产生多个可位于任意深度的新层面。
多层微机结构无掩模腐蚀技术

[发明专利]掩模台、光刻系统及光刻方法-CN202310811587.3在审
发明人：刘利晨;夏忠平 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模台、光刻系统及光刻方法。其中，所述掩模台设置有切换单元，且所述切换单元装载多块掩模板，以在不同的光刻需求下，通过移动所述掩模板来实现对掩模板种类的直接切换，无需将掩模板卸载下来，再另行安装，不仅降低了更换掩模板的操作难度，还大大缩短了更换时间，有利于提高光刻效率。以及，所述光刻方法利用可移动切换掩模板的掩模台来提高光刻效率。此外，在处理无效芯片区域时，选用透明掩模板作为光罩，不仅可以明确界定曝光区域，还可以令无效芯片区域上的膜层均被曝光，以在后续清洗的过程中能避免出现膜层坍塌，以及存在污染颗粒影响其他有效芯片，提高了曝光处理的效果
掩模台光刻系统方法

[发明专利]改进的光刻方法-CN202010302191.2在审
发明人：田范焕;梁时元;贺晓彬;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种改进的光刻方法，所述方法包括：提供一光掩模板；测量所述光掩模板上光刻标记的放置误差；根据所述放置误差执行光刻工艺的校准流程。本申请通过测量光刻标记在光掩模板上的放置误差，并将放置误差应用到后续使用光掩模板的光刻工艺流程中的校准流程，以提高光刻工艺流程中的校准准确性。执行光刻工艺的校准流程。
改进光刻方法

[发明专利]一种X射线曝光间隙控制方法-CN200910241924.X无效
发明人：刘刚;熊瑛;周杰;张晓波;田扬超 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种X射线曝光间隙控制方法，在X射线掩模的非窗口区域上制作台阶，所述台阶的制作工艺为：首先利用旋涂工艺在掩模上涂上所需厚度的光刻胶或其它聚合物，然后采用光刻工艺或刻蚀工艺在掩模上得到所需高度的台阶；将涂有光刻胶的样品放在夹具上，样品上的光刻胶面朝上，然后将有台阶的掩模放在所述样品上，使得掩模有图形的一面与光刻胶面相对；利用等厚干涉原理来判断掩模和样品之间的平行度，同时利用夹具来调节两者之间的平行度。本发明解决了X射线曝光中间隙难以控制、掩模与光刻胶的平行性难以保证的问题，同时实现对掩模的有效保护。
一种射线曝光间隙控制方法

[发明专利]飞秒激光直写与DMD无掩模光刻复合加工方法-CN202110463256.6在审
发明人：刘华;谭明月 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：飞秒激光直写与DMD无掩模光刻复合加工方法，属于3D微纳加工技术领域，包括复合加工系统搭建，加工前标记制作，映射关系建立，待加工工件的数据拆分，以及精密加工过程中的横向对准和纵向对准。本发明将飞秒激光直写技术所具有的高分辨率和卓越的设计灵活性特性与DMD无掩模光刻技术所具有的快速连续制造特性完美结合，取长补短，获得了高效高精度的加工效果。
激光 dmd 无掩模光刻复合加工方法

[发明专利]一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法-CN201310361799.2有效
发明人：罗先刚;王长涛;赵泽宇;王彦钦;沈同圣;刘玲;胡承刚;黄成;杨磊磊;潘思洁;崔建华;赵波 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其主要步骤为：在平面或者曲面基底上沉积铬膜层并制备掩模图形，之后在其上先后涂敷光刻胶A和光刻胶B，采用中心波长为365nm的紫外曝光光源从基底的背面入射，使光刻胶B感光，利用光刻胶A在光刻胶B显影液中的溶解速率大于光刻胶B在光刻胶B显影液中的显影速率的特性形成侧向沟槽，再利用电子束蒸镀沉积二氧化硅，厚度和掩模铬层厚度相等。将掩模浸泡于有机溶剂中去除A、B光刻胶，最后得到平坦化的掩模。该方法可以应用到一体式曝光器件的掩模平坦化工艺中，如Superlens和缩小Hyperlens器件的掩模平坦化工艺。
一种基于双层技术平坦方法

[发明专利]一种用混合技术制作X光光刻掩模的方法-CN94103513.1无效
发明人：高士平;孙宝银;程秀玲 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 1994-04-19 - 公布日： 1995-10-25 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种用混合技术制作X光光刻掩模的方法，涉及一种制作含有深亚微米金吸体图形的X光光刻掩模的方法，特别是涉及一种在掩模基片上制作三层结构，通过特殊设计的常规光刻掩模版的套准光刻和垂直定向刻蚀，采用常规电镀和在图形侧面覆盖金膜相结合的混合技术，制备含有深亚微米线宽的金吸收体图形的X光光刻掩模的方法。
一种混合技术制作光刻方法

[发明专利]用氦气去除浮渣-CN200980118478.1无效
发明人：艾伦·詹森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明还提供了一种晶片，所述晶片上有图案化的光刻胶掩模，其中所述光刻胶掩模有图案化的光刻胶掩模特征，在所述光刻胶掩模特征的底部有浮渣。将所述浮渣从所述光刻胶掩模特征的底部去除，包括：提供一种主要包括氦气的去除浮渣气体，并使所述氦气形成等离子体，从而去除所述浮渣。
氦气去除浮渣

[发明专利]相移掩模的制作方法-CN202110839905.8在审
发明人：居碧玉;栾会倩;张丽娜;王影;王奇 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种相移掩模的制作方法，涉及半导体制造领域。该相移掩模的制作方法包括提供掩模基板；根据第一层图形设计数据，对掩模基板进行第一次图形化处理；在掩模基板表面涂布光刻胶；根据第二层图形设计数据，对光刻胶进行曝光和显影，显影后的光刻胶完全包裹划片道内需要被保留的不透光层，且划片道内需要被去除的不透光层不被光刻胶覆盖；以光刻胶为掩模，对掩模基板上的不透光层进行刻蚀；解决了目前相移掩模板的划片道内的条状缺陷的问题；达到了提高优化相移掩模的图形设计数据，提高相移掩模的良品率的效果
相移制作方法

[发明专利]在超高密度集成电路中产生对准的过孔的方法-CN201811116294.9在审
发明人：常润滋;佘敏 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括：形成堆叠的电介质层、加帽层、硬掩模层以及第一膜层和第一光刻胶层；图案化第一光刻胶层以提供金属线掩模；基于图案化的第一光刻胶层蚀刻硬掩模层，以形成金属线掩模；灰化第一光刻胶层和第一膜层；在硬掩模层上形成第二膜层和第二光刻胶层；图案化第二光刻胶层以跨金属线掩模的相对侧形成过孔掩模；基于图案化的第二光刻胶层蚀刻第二膜层和加帽层；灰化第二光刻胶层和第二膜层；基于硬掩模层的图案蚀刻电介质层和加帽层，以提供过孔区域和金属线区域；蚀刻硬掩模层和加帽层
光刻胶层硬掩模层金属线图案化加帽蚀刻膜层掩模金属线区域第一膜层电介质层孔区域灰化对准超高密度集成电路双镶嵌工艺过孔掩模图案蚀刻堆叠集成电路

[发明专利]环型磁性随机存取存储器单元结构的制造方法-CN201410071631.2有效
发明人：张永兴;王灵玲;张宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供一种环型MRAM单元结构的制造方法，包括提供衬底，在衬底上依次淀积下电极层、MTJ薄膜、上电极层和硬掩模层；在硬掩模层上旋涂对光线强度敏感的双重显影技术专用的光刻胶层；提供针对环形MTJ而专门设计的掩模版，对光刻胶层作曝光；用正性水成显影液对光刻胶层作初次显影，留下被掩模版遮挡的正下方处的柱状光刻胶层；用负性有机显影液对留下的光刻胶层作再次显影，去除柱状光刻胶层中靠近中心的部分，留下靠外侧的部分，形成筒状光刻胶层；以光刻胶层为掩模，刻蚀下方的硬掩模层；以硬掩模层为掩模，依次刻蚀下方的上电极层和MTJ薄膜，形成环型的MTJ。本发明使用专门设计的掩模版并结合双重显影工艺实现了制造小尺寸环型MRAM单元结构。
磁性随机存取存储器单元结构制造方法