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[发明专利]制造快闪存储器件的方法-CN200610145282.X无效
发明人：李圣勋 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造快闪存储器件的方法，其中在半导体衬底上顺序形成蚀刻防止层、第一和第二层间绝缘层以及第一、第二和第三硬掩模层。蚀刻第三硬掩模层以暴露第二硬掩模层上的部分区域。在整个表面上形成线形的光刻胶图案，使得暴露的光刻胶图案比暴露第二硬掩模层的区域更窄。利用光刻胶图案作为掩模蚀刻第二硬掩模层。利用光刻胶图案作为掩模蚀刻第一硬掩模层，和利用保留的第三和第二硬掩模层作为掩模蚀刻第二和第一层间绝缘层，从而形成方形的漏极接触孔。利用保留的第二和第一硬掩模层作为掩模来蚀刻蚀刻防止层，由此暴露半导体衬底的预定区域和打开漏极接触孔。因此可改善发生在触点之间的桥。
制造闪存器件方法

[发明专利]一种垂向运动机构及光刻设备-CN201810975417.8有效
发明人：陈淮阳;姜杰;郑教增;吴芬;庞飞;郝凤龙 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属于光刻技术领域，具体公开了一种垂向运动机构及光刻机。本发明公开的垂向运动机构包括：驱动装置，包括竖直设置的运动件，运动件的下端连接有掩模吸盘，掩模吸盘用于吸附掩模版，运动件能带动掩模版在第一位置和第二位置间进行垂向运动，第一位置被配置为掩模版在掩模台上的交接位置，第二位置被配置成掩模版的垂向运动最高位置；缓冲装置，缓冲装置被配置成当掩模版非期望地下落时，缓冲装置向运动件施加缓冲力，以防止所述掩模版刚性冲击所述掩模台。本发明还提供了一种光刻设备，包含上述的垂向运动机构。本发明提供的垂向运动机构和光刻设备，安全性高，运行可靠性好。
一种运动机构光刻设备

[发明专利]一种表面等离子体近场光刻掩模拓扑优化的方法及系统-CN202111200406.0有效
发明人：罗先刚;徐明峰;蒲明博;桑迪;马晓亮;李雄;高平;赵泽宇 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本公开提供了一种表面等离子体近场光刻掩模拓扑优化的方法，包括：获取第一掩模数据并对其进行模糊处理与投影处理，得到第二掩模数据；根据第二掩模数据和预设的表面等离子体近场光刻的条件进行正向计算，得到成像数据以及正向场数据；计算成像数据与预期成像数据之间的成像误差；对第二掩模数据进行伴随计算，得到伴随场数据；根据正向场数据和伴随场数据计算成像误差相对于第一掩模数据的梯度矩阵；根据梯度矩阵对第一掩模数据进行更新，重复上述步骤进行迭代计算，直至获得优化的掩模数据并输出最终掩模图形。本公开还提供了一种表面等离子体近场光刻掩模拓扑优化的系统、电子设备、计算机可读存储介质和程序产品。本公开能够解决现有近场光刻图案畸变的问题，补偿亚波长电磁结构中的强耦合现象。
一种表面等离子体近场光刻拓扑优化方法系统

[发明专利]一种在制造光掩模时蚀刻钼层的方法-CN200610066356.0无效
发明人：玛达薇·钱德瑞胡德;艾杰伊·库马;邱伟帆 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造光掩模的方法。在一实施例中，该制造光掩模的方法包括在工艺腔室中提供具有钼层和遮光层的薄膜叠层，图案化遮光层上的第一光刻胶层，使用该第一光刻胶层作为掩模蚀刻遮光层，使用图案化的遮光层和图案化的第一光刻胶层作为复合掩模蚀刻钼层
一种制造光掩模时蚀刻方法

[发明专利]基于离子轰击技术的亚波长表面纳米结构及其制备方法-CN202010063145.1在审
发明人：刘颖;杨高元;蔡茂琦;洪义麟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种基于离子轰击技术的亚波长表面纳米结构及其制备方法，该制备方法包括：在一基底上涂覆光刻胶，经固化得到光刻胶薄膜样品；对所述光刻胶薄膜样品进行离子束轰击，在光刻胶表面形成亚波长纳米结构；刻蚀去除所述亚波长纳米结构底层的剩余光刻胶，将所述光刻胶薄膜样品刻蚀至基底，得到具有亚波长纳米结构的光刻胶掩模；将所述光刻胶掩模的亚波长纳米结构转移到基底上，去除图形转移后的剩余光刻胶掩模，得到基底上的亚波长表面纳米结构。本发明利用离子轰击技术在固体表面诱导产生自组织纳米结构的原理并结合掩模刻蚀方法，可在多种材料表面制备亚波长表面纳米结构，具有特征尺寸小、工艺简单、加工效率高的优势。
基于离子轰击技术波长表面纳米结构及其制备方法

[发明专利]基于数字微透镜阵列的无掩模曝光方法及光刻机-CN202010635519.2在审
发明人：朱煜;杨开明 -专利权人：北京华卓精科科技股份有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于数字微透镜阵列的无掩模曝光方法及光刻机，方法包括：利用UV‑LED光源作为光刻光源，所述UV‑LED光源的出射光束照射在微透镜阵列上，形成待曝光图形；将晶圆安装在晶圆工件台上；曝光时本发明无需传统的掩模版，并可实现无限大曝光区域，提高了曝光效率。
基于数字透镜阵列无掩模曝光方法光刻

[发明专利]一种高功率光纤布拉格光栅刻写用位相掩模片-CN201810404554.6在审
发明人：林磊;蔡光明 -专利权人：福州高意光学有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功率光纤布拉格光栅刻写用位相掩模片，其包括紫外级熔融石英基片，所述的熔融石英基片上具有一对位置相对的光学面，其中一光学面上具有用光刻法制成的微纳增透结构，另一光学面上具有用光刻法制成的微纳衍射分光结构，该方案能够为制作高功率光纤布拉格光栅应用提供高抗激光损伤，无鬼像，高衍射效率和大干涉对比度的深紫外位相掩模片。
布拉格光栅高功率光纤掩模片刻写熔融石英基片光刻分光结构激光损伤位置相对衍射效率应用提供增透结构光学面高抗鬼像衍射干涉制作

[发明专利]用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质-CN202110034008.X在审
发明人：张双;韦亚一;张利斌;盖天洋;何建芳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明能够提供用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质。用于优化光刻工艺窗口的方法包括：获取理想光刻条件下的理想光源信息和理想掩模信息，依据理想光源信息和理想掩模信息生成理想光刻条件下的工艺窗口信息；基于工艺窗口信息得到用于优化当前光刻工艺窗口的像差系数组合；其中，在当前光刻过程中使用与理想光源信息对应的光源以及与理想掩模信息对应的掩模。本发明能够快速地确定像差系数组合，以利用该像差系数组合提高光刻成像质量，进而提高半导体器件制造的良率。本发明能够有效解决非理想光刻机系统或非理想工艺条件下的光刻工艺匹配问题，可达到与理想光刻机、理想光刻工艺相当的工艺窗口。
用于优化光刻工艺窗口方法装置计算机存储介质

[发明专利]多态存储单元结构的制作方法及存储器-CN202311071750.3在审
发明人：王嘉毅;李云鹏;郭宗夏;张丛;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种多态存储单元结构的制作方法及存储器，该多态存储单元结构的制作方法包括：在底电极上制作磁隧道结与磁性掩模层，磁性掩模层设置于磁隧道结上；沉积介质掩模层并进行平坦化处理；在介质掩模层涂覆光刻胶层并进行曝光、显影；对光刻胶层进行烘焙处理以使光刻胶回流；对回流后的光刻胶层进行刻蚀，以根据需求尺寸修正光刻胶层上的图形；以带有修正图形的光刻胶层为掩膜进行刻蚀，形成穿透磁性掩模层的微孔；对微孔进行金属填充形成金属塞磁性掩模层上较小尺寸的微孔可以形成高密度的偏置磁场，从而辅助自由层形成中间态，进一步提高了存储效率。
存储单元结构制作方法存储器

[发明专利]具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法-CN201810457279.4有效
发明人：林进祥;陈建诚;李信昌;陈嘉仁;许倍诚;苏益辰;李环陵;沈仓辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：光刻掩模包括衬底、设置在衬底的第一侧上方的反射结构和设置在反射结构上方的图案化的吸收层。光刻掩模包括第一区域和在俯视图中围绕第一区域的第二区域。图案化的吸收层位于第一区域中。通过以下方法形成光刻掩模：在衬底上方形成反射结构，在反射结构上方形成吸收层，限定光刻掩模的第一区域，以及限定光刻掩模的第二区域。第一区域的限定包括图案化吸收层。第二区域限定为在俯视图中围绕第一区域。本发明的实施例还涉及具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法。
具有黑色边界区域光刻及其制造方法

[发明专利]表面等离子体共振曝光光刻方法-CN200810207793.9无效
发明人：叶志成;郑君 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电技术领域的表面等离子体共振曝光光刻方法，由不同金属材料图形或者同种金属材料不同厚度图形构成不透光掩模版，利用棱镜耦合激发某些图形对应的表面等离子体进行曝光光刻，步骤为：将棱镜、带有金属薄膜掩模版的基板和带有光刻胶的基片从上到下放置入射光被折射到基板和金属薄膜掩模版的交界面，共振耦合成为和金属薄膜掩模版图形对应的表面等离子体光波，这些光波使光刻胶层曝光，显影得到光刻图形，利用此光刻图形做掩模，刻蚀和去胶，最后在基片上得到和金属薄膜掩模版对应的图形
表面等离子体共振曝光光刻方法

[发明专利]掩模版移动装置、光刻机及光刻方法-CN201810145886.7在审
发明人：丁功明 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种掩模版移动装置、光刻机及光刻方法。该掩模版移动装置包括：加热模块；所述加热模块包括掩模支架和加热单元；所述掩模支架内设置有掩模版设置区；所述加热单元固定于所述掩模支架上，所述加热单元包括第一加热面，所述第一加热面与所述掩模版设置区对应。本发明提供的掩模版移动装置，可以解决现有技术中，在光刻过程中，因掩模版受热膨胀后会产生弯曲，进而造成受热膨胀后掩模版上的图形偏离最佳的物面位置，致使出现物像距误差的问题，达到了提高掩模版定位的正确率，进而提高半导体集成电路的制作良率的目的
掩模版移动装置加热单元掩模支架加热模块受热膨胀光刻机加热面设置区光刻半导体集成电路光刻过程图形偏离物面位置物像距正确率良率制作

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN03102958.2无效
发明人：山田哲也;上野敦史;辻田好一郎;山口敦美;冈川崇 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-01-21 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：为了抑制随栅电极的细线化而引起的长度方向的缩短，而对在蚀刻栅电极材料膜4形成栅电极时成为掩模的硬掩模5a作细线化处理。这时，预先形成有源区1上有开口部11的光刻胶掩模10；至少用光刻胶掩模10覆盖硬掩模5a的长度方向上的两端部分，且至少将开口部11处硬掩模5a的有源区1正上方部分整个露出。通过以光刻胶掩模10为掩模的蚀刻使硬掩模5a细线化，硬掩模5a的有源区1上的部分被细线化，但其长度方向上不随之被缩短。结果，用经细线化的硬掩模5a形成的栅电极的长度不被缩短。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]改善金属硅化物掩模层缺陷的方法-CN201310393694.5有效
发明人：顾梅梅;张景春;陈建维;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及改进金属硅化物研磨层技术领域，尤其涉及一种改善金属硅化物掩模层缺陷的方法。本发明公开了一种改善金属硅化物掩模层缺陷的方法，通过在制备金属硅化物掩模层后，于该金属硅化物掩模层上覆盖一层氧化薄膜，以作为其保护层，在后续的光刻工艺中，以隔绝金属硅化物掩模层与光刻胶接触，进而有效避免因金属硅化物掩模层与光刻胶反应形成缺陷
改善金属硅化物掩模层缺陷方法

[发明专利]降低光掩模板条纹的方法及装置-CN201410211411.5有效
发明人：邓振玉;张沛;李跃松 -专利权人：深圳清溢光电股份有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明适用于光掩模生产领域，尤其涉及降低光掩模板条纹的方法及装置，所述方法包括下述步骤设计制作光掩模检测板；根据划分间隔通过光掩模检测板对光掩模板的涂胶或不同区域的光强度进行矩阵测量，测量每个矩阵点，得到每个矩阵点的偏差；将图形按照矩阵点划分间隔进行分割，分割成小单元，按照分割后图形每个顶点所在的坐标测量小单元矩阵中的四个点围成的区域，根据小单元矩阵中的四个点求出此点的偏差，在进行光刻前对图形进行反补。本发明通过对产生光掩模板条纹的原因，对光掩模板进行光刻前光刻采用的图形进行反补，使得光刻后反补的效果抵消了由于误差导致的出现条纹的情况，使得降低光掩模板出现条纹的情况。
降低模板条纹方法装置