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[发明专利]一种抗氧化纳米等离激元超表面生物传感器及其制备方法-CN202211326019.6在审
发明人：朱锦锋;苏圣东;李法君;关超恒;申家情;刘雪莹;邓柏昌;姜远远 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01N21/552 文献下载
摘要：该传感器包括：衬底层、金属层和介质层，衬底层和金属层自下而上复合形成，介质层连接在金属层的表面，其中，介质层的材质为氮化钛，衬底层为周期性纳米孔洞结构，金属层和介质层依次镀设于周期性纳米孔洞结构的衬底层表面，使得衬底层、金属层和介质层形成的复合层为周期性纳米孔洞结构。
一种氧化纳米离激元超表面生物传感器及其制备方法

[发明专利]热敏记录介质和产生热敏记录介质的方法-CN202180023091.9在审
发明人：杉浦海斗;清水健司 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B41M5/30 文献下载
摘要：热敏记录介质包括：载体；第一底层，其设置在载体上或上方；第二底层，其设置在第一底层上或上方；以及热敏记录层，其设置在第二底层上或上方，其中第二底层和热敏记录层通过同步幕涂形成，并且热敏记录介质表面的表面平滑度为
热敏记录介质产生方法

[发明专利]一种基于折叠基片集成波导和互补开口谐振环的宽带带通滤波器-CN201910072173.7有效
发明人：杨玲;许锋;陈洋 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明揭示了一种基于折叠基片集成波导和互补开口谐振环的宽带带通滤波器，该宽带带通滤波器包括顶层介质基片、底层介质基片及设置在二者之间的中间层金属层，所述中间层金属层上开设有至少五个互补开口谐振环；所述顶层介质基片与底层介质基片上均设置有两组相互对称的金属化通孔，顶层介质基片和底层介质基片上的两组金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片、中间层金属层、底层金属层、底层介质基片构成折叠基片集成波导。
一种基于折叠集成波导互补开口谐振宽带带通滤波器

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510011973.X有效
发明人：张海洋;黄敬勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供具有底层金属层的基底；形成覆盖于所述基底表面以及底层金属层表面的介质层；在所述介质层表面形成图形层，所述图形层内具有开口；以所述图形层为掩膜，沿所述开口刻蚀所述介质层，直至暴露出底层金属层表面，在所述介质层内形成接触孔，所述接触孔内具有含氟聚合物杂质；去除所述图形层；采用氢等离子体对所述接触孔进行第一刻蚀后处理，去除所述含氟聚合物杂质中的氟离子；在进行所述第一刻蚀后处理之后，对所述接触孔进行湿法清洗处理；形成填充满所述接触孔的导电层。本发明避免在Q‑time内氟离子对介质层和底层金属层造成损伤，提高半导体结构的生产良率，提高芯片产出量。
半导体结构形成方法

[发明专利]具有精确导体的互连结构-CN02105296.4有效
发明人：斯蒂芬·M.·盖茨;杰弗里·C.·罕德里克;萨特亚纳拉雅纳·V.·尼塔;山帕施·珀舍沙曼;克里斯蒂·S.·蒂伯格 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2002-02-26 - 公布日： 2002-10-09 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本发明提供一种包括带有蚀刻图案的多层旋压电介质层的互连结构及用于制作该互连结构的方法。这种互连结构包括在一个衬底表面上形成的带有蚀刻图案的多层旋压电介质层。该带有蚀刻图案的多层旋压电介质层包括底层低k电介质层、埋入阻蚀层和顶层低k电介质层,其中,底层和顶层低k电介质层具有第一成分,所述埋入阻蚀层具有与第一成分不同的第二成分,且该埋入阻蚀层与所述顶层和底层低k电介质层以共价键形式键合。该互连结构还包括一层在带有蚀刻图案的多层旋压电介质层上形成的抛光阻挡层;和一些在带有蚀刻图案的多层旋压电介质层中形成的金属导电区。共价键合用一种有机硅烷实现,该有机硅烷包括一些能与顶层和底层电介质层键合的功能团。
具有精确导体互连结构

[发明专利]一种器件及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置-CN201910132319.2有效
发明人：秦斌;张方振;彭锦涛 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种器件、制作方法、柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板和显示装置，所述器件包括硬性衬底；形成在所述硬性衬底上的第一柔性衬底层；形成在所述第一柔性衬底层上的介质层；形成在所述介质层上的第二柔性衬底层；通孔，贯通所述第二柔性衬底层及所述介质层；至少形成在所述通孔侧壁及底部的金属导线；以及覆盖所述第二柔性衬底层以及所述金属导线的平坦化层。本发明提供的实施例能够解决现有技术中剥离硬性衬底所导致的过刻蚀引起与控制电路的接触不良问题，并实现对所述介质层的均匀刻蚀。
一种器件制作方法显示面板显示装置

[发明专利]针对介质集成悬置线和金属-介质集成悬置线有源器件的封装结构-CN202210256342.4有效
发明人：马凯学;冯婷;王勇强;闫宁宁 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明公开一种针对介质集成悬置线和金属‑介质集成悬置线有源器件的封装结构，包括自上而下布置的顶层介质\金属板、第二层介质板、第三层介质板、第四层介质板及底层介质\金属板，第三层介质板为有源器件电路所在的介质板：第二层介质板的长度方向一侧开两个方槽，用于直流供电接触端子的两个金属方棒嵌置安装于两个方槽中；第二层介质板及底层介质\金属板的宽度方向上两侧开有接头卡接方槽，两个射频接头通过接头卡接方槽卡套焊接在第三层介质和第四层介质板上；顶层介质\金属板和底层介质\金属板上的连接通孔为沉头孔，使紧固件的帽檐或螺钉内嵌于顶层介质\金属板和底层\金属板中保持器件表面平整。
针对介质集成悬置金属有源器件封装结构

[发明专利]一种平坦化方法-CN201010545902.5有效
发明人：肖志强;黄蕴;张明;吴建伟 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2010-11-16 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种平坦化方法，其包括如下步骤：a、提供衬底，衬底上设置底层金属连线；b、淀积绝缘介质层；c、涂布光刻胶；d、对衬底及光刻胶进行热处理；e、对衬底及光刻胶进行干法刻蚀，并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层；f、用EKC溶液清洗；g、再次淀积绝缘介质层；h、再次涂布光刻胶；i、对上述衬底及光刻胶进行热处理；j、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀，去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶，并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层；所述保留的绝缘介质层的厚度与所述底层金属连线的厚度相当；k、对上述衬底通过干法去胶后，再用EKC溶液清洗。
一种平坦方法

[发明专利]压力感测结构及其制作方法、压力传感器及其制作方法-CN202211081410.4在审
发明人：赫鑫;肖滨;李刚 -专利权人：昆山灵科传感技术有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：所述结构包括：所述压力感测结构包括具有相对的第一表面和第二表面的第一衬底层、第二衬底层、具有相对的第一侧和第二侧的介质层，所述介质层的所述第一侧与所述第一衬底层的所述第一表面相贴合，所述介质层的所述第二侧与所述第二衬底层的所述第三表面相贴合，所述第一衬底层、第二衬底层和介质层围成空腔。在第一衬底层的第二表面上设有过孔连接所述第一压力感测电极和/或所述第二压力感测电极连接，在第一衬底层的第一表面上无需印刷一层银引出电容信号，减小第一衬底层的表面积，使得组装后的压力传感器体积缩小。
压力结构及其制作方法压力传感器

[发明专利]一种窄离散距离的多频吸波结构、吸波器件及其制备工艺-CN202111633003.5在审
发明人：陈磊 -专利权人：杭州灵芯微电子有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种窄离散距离的多频吸波结构，吸波器件及其制备工艺，多频吸波结构包括：底层金属接地板；介质层，设置于所述底层金属接地板上；至少一个中间矩形金属贴片，自下而上依次嵌入所述介质层内；顶层矩形金属贴片，设置于所述介质层上；其中，嵌入所述介质层内的中间矩形金属贴片的长度自下而上依次递减，且位于最底层的中间矩形金属贴片的长度小于所述底层金属接地板的长度，位于最顶层的中间矩形金属贴片的长度大于所述顶层矩形金属贴片的长度，位于最底层的中间矩形金属贴片与所述顶层矩形金属贴片之间的长度差小于10μm。
一种离散距离多频吸波结构器件及其制备工艺

[实用新型]一种窄离散距离的多频吸波结构及吸波器件-CN202123354403.0有效
发明人：陈磊 -专利权人：杭州灵芯微电子有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种窄离散距离的多频吸波结构以及吸波器件，多频吸波结构包括：底层金属接地板；介质层，设置于所述底层金属接地板上；至少一个中间矩形金属贴片，自下而上依次嵌入所述介质层内；顶层矩形金属贴片，设置于所述介质层上；其中，嵌入所述介质层内的中间矩形金属贴片的长度自下而上依次递减，且位于最底层的中间矩形金属贴片的长度小于所述底层金属接地板的长度，位于最顶层的中间矩形金属贴片的长度大于所述顶层矩形金属贴片的长度，位于最底层的中间矩形金属贴片与所述顶层矩形金属贴片之间的长度差小于10μm。
一种离散距离多频吸波结构器件

[发明专利]一种新型阻燃打印介质-CN202210880099.3在审
发明人：荆柏华;杜云舒;王冰心;仇发鑫;王民清;马天凤 -专利权人：潍坊佳诚数码材料有限公司;潍坊佳明新材料有限公司;山东佳宇织造有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B41M5/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种新型阻燃打印介质，属于打印介质技术领域。该打印介质包括：基底层；胶底层，所述胶底层设置在所述基底层上方；阻燃层，所述阻燃层设置在所述胶底层上方，按重量份数计，所述阻燃层包括40‑70份热塑性聚合物和30‑60份阻燃剂，油墨接收层，所述油墨接收层设置在所述阻燃层的上方阻燃层中的阻燃剂能够与热塑性聚合物混合均匀，环状的磷型阻燃剂可起到较好的阻燃效果，阻燃剂体系中含有的O、H在脱水过程中形成碳化层，来隔绝氧气，满足阻燃要求，并且该阻燃剂不会产生有害物质，符合环保要求。
一种新型阻燃打印介质

[发明专利]一种双地槽平行微带线90度相位移相器-CN201710245811.1在审
发明人：何进;陈鹏伟;王豪;刘峰 -专利权人：武汉大学
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01Q3/34 文献下载
摘要：本发明涉及毫米波无线通信技术，特别涉及一种双地槽平行微带线90度相位移相器，采用工艺130nm SiGe BiCMOS；包括地金属层和顶层金属层，输入、输出端口，电介质层和衬底层，还包括地金属层中心设置一条底层金属传输线，同时在顶层金属层上设置一条平行对称的顶层金属传输线；底层金属传输线与顶层金属传输线中心设置有180度相位反相器；地金属层上以底层金属传输线中线为轴设置两平行对称沟槽，输入端口与顶层金属传输线和底层金属传输线的左端连接，输出端口与顶层金属传输线和底层金属传输线的右端连接；电介质层包围在地金属层和顶层金属层的底部和外围，衬底层设置于电介质层底部。
一种地槽平行微带 90 相位移相器

[发明专利]冷源晶体管器件及其制备方法-CN202210976880.0在审
发明人：何百哲;司佳;张志勇;彭练矛;赵春松;张强;候朝昭;许俊豪 -专利权人：北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司;华为技术有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供一种冷源晶体管器件，其包括：基底层，冷源层，所述冷源层设置于所述基底层；其中，所述冷源层通过可打开带隙的冷源材料制备；过渡区，所述过渡区设置于所述基底层，并且与所述冷源层连接；沟道层，所述沟道层设置于所述基底层，并且与所述过渡区连接；第一栅介质层，所述第一栅介质层的至少部分形成于所述沟道层的部分，所述第一栅介质层的至少部分形成于所述过渡区的部分；以及第一栅电极，所述第一栅电极设置于所述第一栅介质层。
晶体管器件及其制备方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510446426.4有效
发明人：张海洋;周俊卿;袁光杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底内形成有底层金属层；形成覆盖基底表面以及底层金属层表面的介质层，介质层的材料具有多孔结构；在介质层表面形成图形化的掩膜层；以图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述介质层，形成贯穿介质层的开口，且开口底部暴露出底层金属层顶部表面；采用含碳气体对所述开口进行第一刻蚀后处理，在开口侧壁表面形成密封层；在形成密封层之后，采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除图形化的掩膜层；形成填充满开口的导电层，且导电层顶部与介质层顶部齐平。本发明增加了形成导电层的工艺窗口，改善形成的半导体结构的电学性能。
半导体结构形成方法