“底层介质层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3491640个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]提取介质材料的特性结构-CN202123061202.1有效
发明人：隋磊;卢煜旻;朱欣恩 -专利权人：上海矽杰微电子有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01P7/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提取介质材料的特性结构，用于提取介质材料的绝对介电常数和损耗角正切，包括顶层、介质层和底层，所述介质层位于顶层和底层之间，所述顶层、所述介质层和所述底层通过若干过孔结构进行连接，所述过孔结构通过预设的直径和间距进行排布，所述过孔结构的内壁设有金属连接层，所述顶层和所述底层通过金属连接层电气连接。本实用新型公开的一种提取介质材料的特性结构，其通过谐振器来提取介质材料的绝对介电常数以及损耗角正切。
提取介质材料特性结构

[发明专利]超窄带超表面吸收器-CN202210571503.9在审
发明人：高扬;刘畅;张景煜;冯恒利;房冬超;王金成;张作鑫 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明超窄带超表面吸收器涉及纳米级超表面吸收器技术领域；所述超窄带超表面吸收器，由多个相同细胞单元阵列组成，每个细胞单元由基底层、介质层、底层圆环、中层介质圆环、顶层圆环、底层长方体、中层介质长方体和顶层长方体组成；所述介质层紧贴于基底层上方，介质层上设置有由底层圆环和底层长方体组成的结构；所述底层圆环上依次覆盖有中层介质圆环和顶层圆环；所述底层长方体上依次覆盖有中层介质长方体和顶层长方体；本发明超窄带超表面吸收器结构简单
窄带表面吸收

[实用新型]超窄带超表面吸收器-CN202221258913.X有效
发明人：刘畅;高扬;张景煜;冯恒利;房冬超;王金成;张作鑫 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明超窄带超表面吸收器涉及纳米级超表面吸收器技术领域；所述超窄带超表面吸收器，由多个相同细胞单元阵列组成，每个细胞单元由基底层、介质层、底层圆环、中层介质圆环、顶层圆环、底层长方体、中层介质长方体和顶层长方体组成；所述介质层紧贴于基底层上方，介质层上设置有由底层圆环和底层长方体组成的结构；所述底层圆环上依次覆盖有中层介质圆环和顶层圆环；所述底层长方体上依次覆盖有中层介质长方体和顶层长方体；本发明超窄带超表面吸收器结构简单
窄带表面吸收

[发明专利]一种透射式动态超构表面器件-CN202210929736.1有效
发明人：李朝晖;卓少斌;李焱 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种透射式动态超构表面器件，其中，该器件包括：介质基底层，介质基底层的厚度大于目标波长；底层动态超构表面层，底层动态超构表面层由动态超构表面单元阵列组成，每个动态超构表面单元由动态共振主体结构及周围介质填充结构组成；介质缓冲层，介质缓冲层的厚度小于波长；介质热电极层，介质热电极层与底层动态超构表面层和顶层动态超构表面层的距离相同；顶层动态超构表面层，顶层动态超构表面层由动态超构表面单元阵列组成；介质保护层，设置于顶层动态超构表面层的表面；电极对层，两个电极对分设于介质热电极层的两侧，通过金属引线与外部电源相连。
一种透射动态表面器件

[发明专利]一种浮栅结构的场效应型气体传感器及制备方法-CN202310721213.2在审
发明人：赵腾飞 -专利权人：湖南元芯传感科技有限责任公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明提供一种浮栅结构的场效应型气体传感器及制备方法，包括：衬底层、底栅电极、底栅介质层、沟道层、源电极、漏电极、浮栅介质层和气体敏感层；衬底层设置于气体传感器最底层，起支撑作用；底栅电极设置于衬底层上方中部；底栅介质层设置于衬底层和底栅电极上方，并包覆底栅电极；沟道层设置于底栅介质层上方；源电极和漏电极分别设置于沟道层上方两端，在水平方向上，源电极和漏电极互不接触；浮栅介质层设置于沟道层上方、源电极和漏电极之间；气体敏感层设置于浮栅介质层上方。本发明气体传感器的气体敏感层无需电气连接，选材不受限制，适用于多种应用场景；同时，无需驱动电路，简化制备流程，降低成本，增强传感器的抗干扰性。
一种结构场效应气体传感器制备方法

[发明专利]近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器-CN202210542526.7在审
发明人：高扬;王金成;张景煜;冯恒利;张作鑫;房冬超;刘畅 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器属于纳米超材料吸收器技术领域；该超材料吸收器为多个相同单元组成的阵列结构，每个单元由基底层(1)、介质层(2)和超材料层(3)组成；所述基底层(1)和介质层(2)均为长方体，所述超材料层(3)为半圆环体；基底层(1)上方紧贴有介质层(2)，介质层(2)上方设置有超材料层(3)，所述超材料层(3)为半圆环体开口向下设置在介质层(2)中间；本发明近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器，结构简单、成本低廉、易于加工，只需基底层、介质层和超材料层三个实体结构，即可在近红外波段实现很好的吸收效果。
红外波段半圆环型银纳米材料吸收

[实用新型]近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器-CN202221196732.9有效
发明人：王金成;高扬;张景煜;冯恒利;张作鑫;房冬超;刘畅 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器属于纳米超材料吸收器技术领域；该超材料吸收器为多个相同单元组成的阵列结构，每个单元由基底层(1)、介质层(2)和超材料层(3)组成；所述基底层(1)和介质层(2)均为长方体，所述超材料层(3)为半圆环体；基底层(1)上方紧贴有介质层(2)，介质层(2)上方设置有超材料层(3)，所述超材料层(3)为半圆环体开口向下设置在介质层(2)中间；本发明近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器，结构简单、成本低廉、易于加工，只需基底层、介质层和超材料层三个实体结构，即可在近红外波段实现很好的吸收效果。
红外波段半圆环型银纳米材料吸收

[实用新型]一种低漏电流单向TVS结构-CN202122886000.4有效
发明人：彭时秋;喻先坤;王涛;肖步文;贺琪;张世权;张继 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种低漏电流单向TVS结构，属于浪涌保护器件领域，包括衬底层、外延层、有源区、欧姆接触区、隔离区、介质层、金属层和钝化层；所述外延层形成于所述衬底层上；所述有源区和所述欧姆接触区均形成于所述外延层中；所述隔离区形成于所述外延层和所述衬底层中，贯穿所述外延层并延伸至所述衬底层中；所述介质层形成于所述外延层的表面；所述金属层形成于所述介质层和所述有源区及所述欧姆接触区上；所述钝化层形成于所述金属层及所述介质层上，为电绝缘层。
一种漏电单向 tvs 结构

[发明专利]磁记录介质和磁存储器-CN200510065151.6无效
发明人：乡家隆志 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-04-04 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁记录介质，该磁记录介质可以提高记录层的矫顽力Hc并改善记录层的信噪比，而不降低记录层的耐热波动性，并且可以实现高密度记录。该磁记录介质包括基底、由晶体材料形成的籽晶层、粒径控制层、底层和记录层。该粒径控制层由Ag膜或者W膜形成，是在籽晶层上的散布膜或者连续膜。该粒径控制层用作在其上形成的底层的生长核，并控制底层的晶粒直径。具体而言，当粒径控制层淀积为散布层时，底层在籽晶层和粒径控制层上生长，由于籽晶层表面的影响，可以提高底层的晶体性能。
记录介质磁存储器

[实用新型]表面等离子激元纳米激光器的增益波导结构-CN201620268264.X有效
发明人：李芳;魏来 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种表面等离子激元纳米激光器的增益波导结构，该增益波导结构包括增益介质腔体、绝缘介质层、金属层和基底层；增益介质腔体、绝缘介质层和金属层均置于所述基底层的裸露表面上；所述增益介质腔体置于所述基底层表面的中部，所述增益介质腔体的两侧依次为所述绝缘介质层和所述金属层。本实用新型在一定程度降低了激光器的阈值和损耗，并且解决了制备时增益介质腔体与金属层之间的介质层与两者的接触问题，使制备更加容易。
表面等离子纳米激光器增益波导结构

[发明专利]一种半导体器件及制备方法-CN202110991978.9有效
发明人：杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：通过先在第一介质层上形成底层源场板，使得底层源场板位于栅极金属和漏极金属之间，且底层源场板在衬底的正投影与栅极金属在衬底的正投影不相交；然后在底层源场板上形成第二介质层；在第二介质层上制作与底层源场板连接的互连结构。通过第二介质层以及与底层源场板连接的互连结构，能够有效降低栅源之间的寄生电容，同时，由于底层源场板与栅极金属之间的第一介质层的厚度并未发生变化，因此，也可以保证底层源场板的电场调制作用，从而能够在源场板调制作用和降低栅源之间
一种半导体器件制备方法

[发明专利]一种用于5G和高速应用的低容TVS及制造方法-CN202110324201.7在审
发明人：陆亚斌;吴昊;王成 -专利权人：傲威半导体无锡有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提出一种用于5G和高速应用的低容TVS及制造方法，该TVS包括：衬底层，该衬底层为P型；P阱区域，该P阱区域形成于衬底层上；N阱区域，该N阱区域形成于衬底层上；N+区域，该N+区域形成于P阱区域及N阱区域中；P+区域，该P+区域形成于P阱区域及N阱区域中；第一绝缘介质层，该第一绝缘介质层形成于衬底层表面；接触孔，该接触孔开设于第一绝缘介质层中，并位于N+区域及P+区域；第一层金属，该一层金属形成于第一绝缘介质层上；第二绝缘介质层，该第二绝缘介质层形成于第一层金属上；通孔，该通孔开设于第二绝缘介质层中；第二层金属，该第二层金属形成于第二绝缘介质层上；钝化层，该钝化层形成于第二层金属上。
一种用于高速应用 tvs 制造方法

[实用新型]一种用于5G和高速应用的低容TVS-CN202120615149.6有效
发明人：陆亚斌;吴昊;王成 -专利权人：傲威半导体无锡有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提出一种用于5G和高速应用的低容TVS及制造方法，该TVS包括：衬底层，该衬底层为P型；P阱区域，该P阱区域形成于衬底层上；N阱区域，该N阱区域形成于衬底层上；N+区域，该N+区域形成于P阱区域及N阱区域中；P+区域，该P+区域形成于P阱区域及N阱区域中；第一绝缘介质层，该第一绝缘介质层形成于衬底层表面；接触孔，该接触孔开设于第一绝缘介质层中，并位于N+区域及P+区域；第一层金属，该一层金属形成于第一绝缘介质层上；第二绝缘介质层，该第二绝缘介质层形成于第一层金属上；通孔，该通孔开设于第二绝缘介质层中；第二层金属，该第二层金属形成于第二绝缘介质层上；钝化层，该钝化层形成于第二层金属上。
一种用于高速应用 tvs

[发明专利]一种1比特可重构宽带多极化反射阵列单元-CN201811617374.2在审
发明人：范逸风;孙永志;曹军;杨天杨 -专利权人：中国航天科工集团八五一一研究所
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种比特可重构宽带多极化反射阵列单元，包括顶层金属层、中间层金属层、底层金属层、金属化过孔、上介质板、下介质板；顶层金属层设置于上介质板上底面，顶层金属层上设置四个尺寸相同的圆形馈电端，中间层金属层设置于上、下介质板之间，底层金属层设置于下介质板下底面，金属化过孔设置四个且分别穿过中间层金属层和上、下介质板与馈电端和底层金属层连接；底层金属层上设置与金属化过孔连接的金属贴片，每一金属贴片向相邻金属化过孔延伸等长的金属微带线
底层金属层下介质板中间层金属层顶层金属层金属化过孔金属微带线反射阵列金属贴片上介质板相邻金属可重构馈电端宽带开关二极管多极化上底面下底面等长穿过延伸

[发明专利]大孔径声光可调滤光器-CN201711449207.7有效
发明人：张泽红;何晓亮;王晓新 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种大孔径声光可调滤光器，包括声光介质、换能器和焊接层，换能器通过焊接层与声光介质键合连接，焊接层为五层，从声光介质到换能器依次为打底层Ⅰ、过渡层Ⅰ、键合层、过渡层Ⅱ和打底层Ⅱ；在换能器上镀制表电极；所述打底层Ⅰ和打底层Ⅱ均为钛薄膜层；所述过渡层Ⅰ和过渡层Ⅱ均为铜薄膜层；所述键合层为锡银铟合金层。制作时，在换能器和声光介质的两侧分别设有一个蒸发源，同时对换能器和声光介质蒸发键合层材料，以获得大面积的厚度均匀的键合层薄膜，键合层薄膜同时覆盖在换能器和声光介质的铜薄膜层之上。
孔径声光可调滤光