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[实用新型]一种镭射防伪模内标签-CN202023307563.5有效
发明人：林庆贵 -专利权人：广东德睿新材料科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G09F3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种镭射防伪模内标签，包括基底层；所述基底层的一面设有第一透明介质层，所述第一透明介质层的另一面设有透明保护层，且所述第一透明介质层内部嵌有防伪图案层；所述基底层的另一面设有第二透明介质层，所述第二透明介质层的另一面依次设有印刷层和粘接层，且所述第二透明介质层内部嵌有镭射防伪条。本实用新型中采用防伪图案层和镭射防伪条双重防伪措施提供防伪效果，同时以亚克力透明介质层对防伪进行保护，有效避免防伪信息图案直接与其他层接触接触；以PET作为基底，有效提高本实用新型镭射防伪膜耐温耐压性能
一种镭射防伪标签

[发明专利]传热打印机用记录介质-CN200710085007.8无效
发明人：郑泽龙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-02-28 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： B41M5/42 文献下载
摘要：传热打印机用记录介质，包括：基底层；施加在基底层表面的染料接受层；及置于基底层和染料接受层之间的无机材料助层。该无机材料助层包含有机粘合剂树脂、粒径为10μm或更大的无机材料和增亮剂。该记录介质具有置于基底层和染料接受层之间的无机材料助层，其有助于转移记录带的染料。由此，能够获得无污点和皱褶及清晰的图像品质，并且还能够提高耐光性。
传热打印机记录介质

[发明专利]具有改进的可靠性的盘驱动器头部悬架结构-CN201680038786.3有效
发明人： M·C·克里斯滕松;D·M·格勒申 -专利权人：哈钦森技术股份有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： G11B5/48 文献下载
摘要：实施例包括诸如端子焊盘或悬空引线的部分，其包括基底层，基底层上的电介质层，导体层，电介质层和导体层之间的种子层以及导体层的种子层侧上的抗腐蚀性金属层。种子层具有延伸超过电介质层的边缘的条带。抗腐蚀性金属层在种子层的条带上方延伸并与电介质层的边缘接触。
具有改进电介质接合可靠性驱动器头部悬架结构

[实用新型]一种能够发出白色光源的灯光新材料-CN201621239905.5有效
发明人：王华生 -专利权人：重庆优优新材料有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够发出白色光源的灯光新材料，设置有基底层，在所述基底层上设置有第一电极、碱金属锶为基础的骨架层和第二电极层，在基底层上，所述骨架层置于第一电极和第二电极层之间，所述第二电极层包括介质层和导体层，所述介质层设置在基底层上，导体层设置在介质层上，解决现有技术必须使用稀土元素才能制作能够发出白光的LED灯，采用一种新的结构而设计的能够发出白色光源的灯光新材料，在不需要稀土的情况下，亦可发出白光，有效解决现有技术不足之处
一种能够发出白色光源灯光新材料

[发明专利]一种使5G信号稳定传输的柔性线路板-CN202010857364.7有效
发明人：孙士卫;黄庆林 -专利权人：大连吉星电子股份有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种使5G信号稳定传输的柔性线路板，包括从上至下依次设置的顶层覆盖膜a、顶层电磁屏蔽膜、顶层覆盖膜b、顶层线路层、顶层介质层、中间层线路层、底层介质层、底层线路层、底层覆盖膜b、底层电磁屏蔽膜和底层覆盖膜a，在顶层覆盖膜a、顶层电磁屏蔽膜、顶层覆盖膜b一端设有露出线路连接位置的顶层功能线路开窗，所述顶层覆盖膜b一侧设有露出接地区的顶层接地层开窗；所述底层覆盖膜b另一侧设有露出接地区的底层接地层开窗；所述底层覆盖膜b、底层电磁屏蔽膜、底层覆盖膜a另一端设有露出线路连接位置的底层功能线路开窗。
一种信号稳定传输柔性线路板

[实用新型]多膜层复合包裹薄膜-CN201220731864.7有效
发明人：曾光伟;李学平;费三国 -专利权人：雅化集团绵阳实业有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多膜层复合包裹薄膜。包括单晶硅材料衬底层、二氧化硅薄膜介质层、掺杂多晶硅薄膜层和氮化硅薄膜介质层，其中单晶硅材料衬底层表面包裹二氧化硅薄膜介质层，二氧化硅薄膜介质层表面包裹掺杂多晶硅薄膜层，掺杂多晶硅薄膜层表面上包裹氮化硅薄膜介质层；所述单晶硅材料衬底层、二氧化硅薄膜介质层、掺杂多晶硅薄膜层和氮化硅薄膜介质层紧密包裹形成一个紧密整体。
多膜层复合包裹薄膜

[发明专利]具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法-CN201110256554.4无效
发明人：刘德伟;黄永光;朱小宁;王熙元;马丽;朱洪亮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：一种具有宽光谱响应的硅探测器结构，包括：一n型硅基衬底层，其表面有一圆形凹槽；一二氧化硅介质掩蔽层，形成于n型硅基衬底层表面圆形凹槽的周边，中间为环形结构；一p型参杂层，位于n型硅基衬底层的圆形凹槽内；一正面接触电极，制作在二氧化硅介质掩蔽层环形结构的内壁及覆盖部分环形结构表面的边缘，形成环状结构；一增透膜层，制作在正面接触电极的环状结构内，并覆盖p型参杂层的表面；一广谱吸收黑硅层，制作在n型硅基衬底层的背面；一介质钝化层，该介质钝化层为点状，形成在广谱吸收黑硅层的表面；一背面接触电极，制作在广谱吸收黑硅层的表面并覆盖点状的介质钝化层。
具有光谱响应探测器结构及其制作方法

[发明专利]一种远红外宽频带周期性吸波结构-CN201610093668.4有效
发明人：周佩珩;谢健;翁小龙;谢建良;邓龙江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-02-19 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明的吸波结构包括底层金属薄膜和吸波单元阵列。吸波单元阵列从底层至上依次为：第一介质层和圆形贴片阵列。圆形贴片阵列由圆形贴片横向和纵向等距设置于连续的第一介质层上。圆形贴片自底层至上依次为：第一金属层、第二介质层和第二金属层。底层金属薄膜和金属层的材质为Al，介质层为Al₂O₃。本发明采用2组金属‑介质夹层结构，在8‑11um内具有较大波段发射率，且具有宽频特性在8.7‑9.96um波段内的发射率大于80％，应用于航天热控系统中以解决卫星散热问题。
一种红外宽频周期性结构

[发明专利]一种四路毫米波具有隔离特性的无隔离电阻功分器-CN202110041106.6有效
发明人：宋开军;邹欣峻;李倩;陈宇璇;樊勇;程钰间 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种四路毫米波具有隔离特性的无隔离电阻功分器，包括：顶层介质板上部的金属层、顶层介质板、顶层介质板与底层介质板之间的金属地、底层介质板、底层介质板下部的金属层。顶层介质板上部的金属层用于实现4路等功率分配的功能，保证了所述功分器具有低损耗、输入阻抗匹配的优点。底层介质板下部的金属层用于实现输出端口之间的隔离功能，采用有耗LC网络代替隔离电阻，保证所述功分器具有高隔离、输出阻抗匹配的优点。
一种四路毫米波具有隔离特性电阻功分器

[实用新型]一种镀膜玻璃及中空玻璃-CN202320613774.6有效
发明人：林伯淳 -专利权人：台玻天津玻璃有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种镀膜玻璃及中空玻璃，属于玻璃技术领域，包括玻璃基板；其特征在于，在所述玻璃基板的上表面设置有底层电介质层；在所述底层电介质层的上表面设置有第一中间电介质层；在第一中间电介质层的上表面设置有导电功能层，在导电功能层的上表面设置有第二中间电介质层，在第二中间电介质层的上表面设置有顶层电介质层；其中：所述底层电介质层的厚度为50nm～100nm；所述第一中间电介质层、导电功能层和第二中间电介质层的厚度均为80nm～120nm；所述顶层电介质层的厚度为20nm～50nm。本申请通过合理的层状结构和不同层之间厚度的搭配，在保证可见光透射比的前提下，避免玻璃发生氧化。
一种镀膜玻璃中空玻璃

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201710924455.6有效
发明人：张城龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在通孔掩膜层中分别形成第一掩膜通孔和第二掩膜通孔；以通孔掩膜层为掩膜刻蚀第一介质层，在第一掩膜通孔和第二掩膜通孔底部的第一介质层中分别对应形成第一介质通孔和第二介质通孔；形成第一导电层和第二导电层，第一导电层包括位于第一介质通孔中的第一底层导电层及位于第一底层导电层上和部分第一介质层上的第一顶层导电层，第二导电层包括位于第二介质通孔中的第二底层导电层及位于第二底层导电层上和部分第一介质层上的第二顶层导电层；在第一介质层上形成覆盖第一顶导电层侧壁和第二顶导电层侧壁且暴露出第一顶导电层和第二顶导电层的顶部表面的第二介质层。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]低热阻硅基氮化镓微波毫米波器件材料结构及制备方法-CN202010864740.5有效
发明人：张进成;郝璐;刘志宏;刘俊伟;宋昆璐;周弘;赵胜雷;张雅超;张苇杭;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种低热阻硅基氮化镓微波毫米波器件材料结构及制备方法，该器件材料结构包括：硅衬底层(1)；高热导率介质层(2)，位于所述硅衬底层(1)的上表面，且与所述硅衬底层(1)之间形成凹凸不平的第一图案化界面；缓冲层(3)，位于所述高热导率介质层(2)的上表面，且与所述高热导率介质层(2)之间形成凹凸不平的第二图案化界面；沟道层(4)，位于所述缓冲层(3)的上表面；复合势垒层(5)，位于所述沟道层(4)的上表面该低热阻硅基氮化镓微波毫米波器件材料结构中，高热导率介质层与硅衬底层以及缓冲层之间均形成凹凸不平的图案化界面，增大了界面的接触面积，降低了界面热阻，从而减小了器件的热阻，提高了器件的散热性能。
低热阻硅基氮化微波毫米波器件材料结构制备方法

[发明专利]一种结构紧凑的可调三维电感器-CN202010255621.X在审
发明人：王凤娟;任睿楠;余宁梅 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开的一种结构紧凑的可调三维电感器，包括硅衬底层，硅衬底层的上表面设置有顶部介质层，硅衬底层的下表面设置有底部介质层，顶部介质层和底部介质层内均同心设置有两个环形磁芯，顶部介质层靠外的磁芯和底部介质层靠外的磁芯外共同绕合有第一螺旋电感器，顶部介质层靠内的磁芯和底部介质层靠内的磁芯外共同绕合有与第一螺旋电感器相互分离的第二螺旋电感器，第一螺旋电感器靠内的一端和第二螺旋电感器靠外的一端通过位于顶部介质层或底部介质层内的金属条相连接。
一种结构紧凑可调三维电感器

[发明专利]基于trans-diode模式的薄膜探测器及制备方法-CN202211399048.5在审
发明人：杨雷静;王孟演;忻向军;张琦;饶岚;王拥军;田清华;田凤 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明提供一种基于trans‑diode模式的薄膜探测器及制备方法，包括：第一衬底层；第二衬底层；薄膜层；源电极；漏电极；介质层和栅电极。第二衬底层设置在第一衬底层上方；薄膜层设置在第二衬底层上方；源电极和漏电极设置在薄膜层上方，与薄膜层实现肖特基接触或欧姆接触；在源电极和漏电极之间的薄膜层中形成导电沟道；介质层设置在源电极、导电沟道和漏电极上方；栅电极设置在介质层和源电极上方，栅电极和源电极导通。在基于本发明提供的光电探测器结构下，源电极和薄膜层之间形成固定的肖特基势垒，有效抑制暗电流，同时具备类似二极管的整流特性，极大提升光电探测性能和稳定性。
基于 trans diode 模式薄膜探测器制备方法

[发明专利]磁记录介质和磁存储装置-CN201410312115.4有效
发明人：神边哲也;丹羽和也;村上雄二;张磊 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明提供一种磁记录介质和磁存储装置。该磁记录介质具有基板；磁性层，包含具有L10结构的合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间。其中，所述多个底层中的至少1层为软磁性底层，该软磁性底层由(11·0)面被排列为与所述基板面平行的、具有以Co金属或Co为主成分的密排六方结构的合金所构成。
记录介质存储装置