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- [发明专利]金属层间通孔形成方法-CN202210057474.4在审
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叶晓
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普冉半导体（上海）股份有限公司
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2022-01-19
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2022-05-13
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H01L21/768
- 本发明公开了一种金属层间通孔形成方法，在介质凹槽侧壁上保留一定厚度的绝缘层材料，在后续对介质凹槽及对应通孔实施金属层间介质一体化刻蚀时，由于介质凹槽侧壁有绝缘层材料残余的保护，介质凹槽的开口尺寸保持不变不会变大，同时也是介质凹槽侧壁的残余绝缘层材料的作用，通孔相对底层金属即使有移位也不会偏移出相应的位线的底层金属外面，不会因通孔移位造成的某一边的金属间距更小，避免相邻通孔之间出现金属短接风险，增加了底层金属的通孔区域的工艺窗口，增加了次工艺的窗口边距，从而提升了金属层间通孔形成工艺的健康度。
- 金属层间通孔形成方法
- [发明专利]磁记录介质-CN201380051735.0有效
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内田真治
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富士电机株式会社
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2013-08-21
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2017-11-28
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G11B5/738
- 本发明提供一种能够在高密度的磁记录中实现良好的信号特性的具有粒状结构的磁记录层的磁记录介质。本发明的垂直磁记录介质至少包括非磁性基体、基底层、基底层上的磁记录层，基底层包括第一基底层和第二基底层，所述第一基底层含有选自Cr、V、Ti、Sc、Mo、Nb、Zr、Y、Al和B构成的组中的至少一种元素的氮化物且具有(001)取向的NaCl结构，所述第二基底层含有Mg、Ca、Co和Ni构成的组中的至少一种元素且包括形成在第一基底层之上的多个岛状区域，磁记录层包括由磁性晶粒和晶界部构成的粒状结构的层。
- 记录介质
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