“层间通孔”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7911714个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]金属层间通孔形成方法-CN202210057474.4在审
发明人：叶晓 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属层间通孔形成方法，在介质凹槽侧壁上保留一定厚度的绝缘层材料，在后续对介质凹槽及对应通孔实施金属层间介质一体化刻蚀时，由于介质凹槽侧壁有绝缘层材料残余的保护，介质凹槽的开口尺寸保持不变不会变大，同时也是介质凹槽侧壁的残余绝缘层材料的作用，通孔相对底层金属即使有移位也不会偏移出相应的位线的底层金属外面，不会因通孔移位造成的某一边的金属间距更小，避免相邻通孔之间出现金属短接风险，增加了底层金属的通孔区域的工艺窗口，增加了次工艺的窗口边距，从而提升了金属层间通孔形成工艺的健康度。
金属层间通孔形成方法

[发明专利]金属层间通孔的制备和填充方法-CN200710094107.7有效
发明人：陈福成;朱骏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属层间通孔的制备和填充方法，包括：下层金属刻蚀完成之后，淀积第一层金属间隔离电介质，并覆盖下层金属刻蚀时形成的台阶；用化学机械平坦化工艺去除所述下层金属上的金属间隔离电介质；淀积金属铝层；利用通孔光刻版和负性光刻胶光刻，定义出通孔图形的保护层；刻蚀金属铝层，制备出铝塞，作通孔填充；淀积第二层金属间隔离电介质，并覆盖铝塞形成的台阶；用化学机械平坦化工艺去除铝塞上的金属间隔离电介质。本发明的方法用铝塞填充通孔，使金属间的互联工艺的导电性得到较大的提高，同时解决了原有工艺中器件尺寸缩小后铝塞难以实现的问题，可广泛应用于半导体器件的制备过程中。
金属层间通孔制备填充方法

[实用新型]一种任意层间导通孔积层HDI面板-CN202220658428.5有效
发明人：姜其斌;沈金华;郑强 -专利权人：常州澳弘电子股份有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及HDI板技术领域，尤其为一种任意层间导通孔积层HDI面板，包括主体、固定架和连接件，所述固定架远离主体中心的一端外侧固定连接有扣板，所述扣板与主体滑动连接，所述固定架内侧中心位置滑动连接有固定杆
一种任意层间导通孔积层 hdi 面板

[发明专利]一种单片层间通孔的制备方法-CN202110661405.X在审
发明人：叶怀宇;王少刚;高宸山;杨荟茹;刘起鹏;张国旗 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出了一种单片层间通孔的制备方法。所述单片层间通孔的制备方法包括以下步骤：(1)掩膜图形的制备：将硅片依次进行旋涂、前烘、曝光、显影和坚膜；(2)去氧化层预处理：将形成掩膜图形的硅片置于酸溶液中浸泡，除去硅片表面氧化的SiO2薄膜；(3)生物化学变温刻蚀：将去氧化层的硅片置于生物化学刻蚀液中浸泡，进行生物化学变温刻蚀，形成单片层间通孔；其中，所述生物化学刻蚀液为含产碱厌氧菌的刻蚀液。本发明提出的基于生物化学方式制单片层间通孔的方法可以保证良好的刻蚀效果以及通孔刻蚀质量的前提下，有效的杜绝现有刻蚀方法中出现的各项问题。
一种单片层间通孔制备方法

[发明专利]层叠孔结构及其制作方法-CN202010943998.4在审
发明人：王小艳;王星杰;宗立超 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种层叠孔结构及其制作方法，涉及半导体制造领域。该方法包括形成第一金属层间介质层；在第一金属层间介质层中形成第一通孔，第一通孔由竖直结构和碗状结构构成，碗状结构位于竖直结构的上方，碗状结构的开口尺寸大于竖直结构的开口尺寸；填充第一通孔，并在第一通孔中的碗状结构的顶部形成Ti/TiN层；在第一金属层间介质层的表面形成第二金属层间介质层；在第二金属层间介质层中形成第二通孔，第二通孔连接第一通孔，且第二通孔的底部被第一通孔的碗状结构包围；填充第二通孔；解决了较厚的金属层间介质层中的通孔容易不符合要求的问题；达到了在较厚的金属层间介质层中形成符合要求的层叠结构通孔的效果。
层叠结构及其制作方法

[发明专利]硅通孔的形成方法-CN201110338908.X有效
发明人：蒋莉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅通孔的形成方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底上形成有层间介质层和贯穿所述层间介质层、且底部位于硅衬底中的通孔；形成覆盖所述通孔底部、侧壁及层间介质层的停止层；向所述通孔填充保护层，所述保护层填满通孔；平坦化所述覆盖层间介质层的停止层，直至剩余部分停止层；去除所述通孔中的保护层；向所述通孔中填充导电材料；通过CMP去除所述剩余部分停止层及剩余部分停止层中的导电材料，直至露出层间介质层。本发明硅通孔的形成方法可改善所形成的硅通孔的性能。
硅通孔形成方法

[发明专利]晶圆级封装方法-CN201310542070.5有效
发明人：倪梁;汪新学;伏广才 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种晶圆级封装方法，包括：提供基底，基底具有正面和背面，在正面中形成有层间介质层和位于层间介质层上的焊垫；在基底的背面形成第一通孔，第一通孔露出层间介质层；在基底的背面和第一通孔侧壁形成聚合物层；刻蚀层间介质层，在刻蚀层间介质层的过程还刻蚀去除聚合物层；重复在基底背面和第一通孔侧壁形成聚合物层，和刻蚀层间介质层，在刻蚀层间介质层的过程还刻蚀去除聚合物层的步骤，至焊垫露出停止，形成第二通孔。使用本技术方案，在刻蚀层间介质层过程中，聚合物层保护基底的背面和第一通孔侧壁，基底背面和第一通孔侧壁不会遭到损伤，基底背面和第一通孔侧壁表面光滑，保证后续第二通孔中的再布线的电信号良好，封装结构的性能较佳
晶圆级封装方法

[实用新型]一种沉铜通孔线路板-CN201520283747.2有效
发明人：管金林 -专利权人：昆山金鹏电子有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种线路板领域，具体涉及一种沉铜通孔线路板，包括上层线路板和下层线路板，其特征在于，还包括贯穿上层线路板的上通孔、贯穿下层线路板的下通孔，所述的上通孔和下通孔内沉积有铜层，且上层线路板的底部设有一个凹陷区，所述的凹陷区容纳垫层和层间导电铜层；所述的层间导电铜层同时与上通孔和下通孔连通。本实用新型的层间导电线路与上、下通孔内的铜层相互连通构成实现层间导电，亦设有层内导电线路实现层内导电；对可能不平整的层间导电线路与上层线路板之间设有垫层，对层间导电线路起到保护作用；使凸出部的长度大于通孔孔径，保证通孔边缘由铜层覆盖。
一种沉铜通孔线路板

[发明专利]电镀铜填充工艺方法-CN202310735987.0在审
发明人：孔为行;萧至廷;薛培堃 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种电镀铜填充工艺方法，方法包括：提供一半导体结构，其包括层间膜及形成于层间膜内的通孔；于通孔的底部及侧壁形成铜种子层，且铜种子层延伸至通孔以外区域的层间膜上；于通孔内填满牺牲层，且牺牲层延伸至通孔以外区域的层间膜上；对通孔内的牺牲层进行回刻以漏出预设深度的位于通孔侧壁的铜种子层；对漏出的铜种子层进行硫化处理以形成硫化铜层；去除通孔内剩余部分的牺牲层；采用电镀铜工艺于通孔内填充金属铜，且金属铜延伸至通孔以外区域的层间膜的表面上通过本发明解决了现有的通过电镀铜填充通孔的过程中易于通孔中产生孔洞缺陷的问题。
镀铜填充工艺方法

[发明专利]多层印刷电路板及其制造方法-CN200510108963.4有效
发明人：平田英二 -专利权人：日本CMK株式会社
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：提供具有平坦的导通孔的多层印刷电路板。多个金属箔和导体层交替层合形成的多层印刷电路板，其特征在于，设于第一绝缘层的层间连接导通孔垫片、布线电路和第二绝缘层的层间连接导通孔底部垫片设在同一表面层，而且至少该层间连接导通孔垫片和第二绝缘层的层间连接导通孔底部垫片的厚度是相同的
多层印刷电路板及其制造方法

[发明专利]采用牺牲金属氧化物层形成双镶嵌金属互连的方法-CN200410100189.8有效
发明人：金在鹤;文永俊;李敬雨;黄晸郁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明披露一种采用牺牲金属氧化物层形成双镶嵌金属互连的方法。该方法包括制备半导体衬底。层间绝缘层形成在半导体衬底上，预通孔是通过对层间绝缘层形成图案而形成的。牺牲通孔保护层形成在具有预通孔的半导体衬底上，以填充预通孔并覆盖层间绝缘层的上表面。牺牲金属氧化物层形成在牺牲通孔保护层上，对牺牲金属氧化物层形成图案，以形成具有开口的牺牲金属氧化物图案，该开口横过预通孔并暴露牺牲通孔保护层。使用牺牲金属氧化物图案作为蚀刻掩模，蚀刻牺牲通孔保护层和层间绝缘层，以形成位于层间绝缘层内的槽。
采用牺牲金属氧化物形成镶嵌互连方法

[发明专利]接触孔的形成方法-CN202210702759.9在审
发明人：施江;李刚;张亮 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种接触孔的形成方法，包括：在层间介质层中形成通孔，该通孔底部的衬底暴露，层间介质层形成于衬底上，该通孔是用于形成接触孔的通孔；对通孔底部的衬底区域进行非晶化处理，形成非晶态区域；在层间介质层和通孔表面形成第一阻挡层；通过热处理使非晶态区域中的硅元素和第一阻挡层中的金属元素反应生成金属硅化物层；去除第一阻挡层；在层间介质层和通孔表面形成第二阻挡层；去除通孔底部的第二阻挡层，使金属硅化物层暴露；在通孔中填充金属层，形成接触孔本申请通过在形成接触孔的通孔后，先对通孔底部进行非晶化处理，再形成第一阻挡层通过热处理形成金属硅化物层，然后打开第二阻挡层形成接触孔，从而增加了金属硅化物层的宽度。
接触形成方法

[发明专利]通孔的形成方法-CN201310401307.8有效
发明人：张城龙;黄敬勇;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种通孔的形成方法，包括提供基底；在所述基底上形成层间介质层；在所述层间介质层上形成平行分布的条状结构，所述条状结构作为刻蚀所述层间介质层的掩膜，所述条状结构定义通孔在长度方向的位置；在所述层间介质层和所述条状结构上形成第一填充层，所述第一填充层的上表面平坦；在所述第一填充层上表面形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层定义通孔在宽度方向的位置；以所述图形化的掩膜层和条状结构为掩膜，刻蚀所述第一填充层和所述层间介质层，在所述层间介质层中形成通孔本发明提供的通孔的形成方法简化了形成通孔的复杂度。
形成方法

[发明专利]半导体装置-CN201811442707.2在审
发明人：颜智洋;吕芳谅;刘致为 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体装置包括非绝缘体结构、第一层间介电质层、第一热通孔及第一电通孔。第一层间介电质在非绝缘体结构上方。第一热通孔穿过第一层间介电质层并且与非绝缘体结构接触。第一电通孔穿过第一层间介电质层并且与非绝缘体结构接触。第一热通孔及第一电通孔具有不同材料及相同高度。
第一层介电质层电通孔热通孔半导体装置绝缘体结构非绝缘体与非穿过介电质

[发明专利]互连结构的制作方法-CN201110068919.0有效
发明人：童立峰;汪武平;张春庆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例提供互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有通孔，所述通孔露出所述半导体衬底；在所述通孔内形成固态的有机保护层，所述固态的有机保护层的厚度小于所述通孔的深度；刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层内形成沟槽，所述沟槽与所述通孔相连通；在所述沟槽形成后，去除所述有机保护层，露出所述半导体衬底；在所述沟槽和通孔内形成互连结构。本发明实施例避免刻蚀所述层间介质层形成沟槽时对所述半导体衬底造成损伤，提高了工艺的稳定性。
互连结构制作方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条