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[发明专利]一种具有宽带隙材料与硅材料复合垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201710157056.1有效
发明人：段宝兴;吕建梅;袁嵩;曹震;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有宽带隙材料与硅材料复合垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，该VDMOS器件主要特点是将宽带隙材料与硅材料相结合，在宽带隙N+型衬底材料上表面形成掺杂浓度较小的N型宽带隙外延层，再以该N型宽带隙外延层为基础异质外延生长(或利用键合技术形成)N型硅外延层，采用硅成熟工艺形成器件有源区。利用宽带隙材料的高临界击穿电场特性，将器件的高电场峰引入宽带隙材料中，抬高了器件的纵向电场峰，器件可承担更高的击穿电压，突破了器件击穿电压受单一硅材料临界击穿电场的限制，同时宽带隙材料的高热导率特性有利于器件散热
一种具有宽带材料复合垂直扩散金属氧化物半导体场效应

[发明专利]一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201710158895.5有效
发明人：段宝兴;吕建梅;曹震;袁嵩;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，该VDMOS器件主要特点是将宽带隙材料与硅材料相结合，在宽带隙N+型衬底材料上表面形成掺杂浓度较小的N型宽带隙外延层，再以该N型宽带隙外延层为基础异质外延生长(或利用键合技术形成)N型硅外延层，采用硅成熟工艺在硅外延层形成器件有源区。利用宽带隙材料中产生的纵向电场对硅外延层中产生的纵向电场的调制作用，使器件的击穿电压提高，同时宽带隙材料的高热导率特性有利于器件的散热，器件性能有效改善。
一种具有宽带衬底材料垂直扩散金属氧化物半导体场效应

[发明专利]具有宽带隙半导体衬底材料的绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201711436190.1有效
发明人：段宝兴;孙李诚;吕建梅;杨鑫;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有宽带隙半导体衬底材料的绝缘栅双极晶体管(IGBT)及其制作方法。该IGBT器件的主要特点是将宽带隙半导体材料与硅半导体材料相结合，使用宽带隙半导体材料作为IGBT器件的阳极和衬底。先在宽带隙半导体材料P+型衬底上形成掺杂浓度较高的N+型宽禁带半导体材料缓冲层，进而在N+型宽带隙缓冲层上形成掺杂浓度较低的N型宽带隙半导体材料外延层，再以该N型宽带隙半导体外延层为基础利用晶体键合技术与
具有宽带半导体衬底材料绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]具有宽带隙材料与硅材料复合的U‑MOSFET-CN201710157392.6在审
发明人：段宝兴;吕建梅;袁嵩;曹震;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有宽带隙材料与硅材料复合的U‑MOSFET，该U‑MOSFET器件主要特点是将宽带隙材料与硅材料相结合，通过异质外延技术或键合技术实现在宽带隙材料上生长硅材料，采用硅成熟工艺形成器件的沟道区利用宽带隙材料的高临界击穿电场特性，将器件槽栅拐角处栅氧的强电场引入宽带隙材料中，抬高了器件的纵向电场峰，U‑MOSFET可承担更高的击穿电压，突破了传统硅基U‑MOSFET受单一硅材料临界击穿电场的限制，同时宽带隙材料的高热导率特性有利于器件散热，提高了器件可靠性，此功率U‑MOSFET可应用于高压领域。
具有宽带材料复合 mosfet

[发明专利]氮化镓基多波段探测器及其制作方法-CN200810116416.4无效
发明人：刘文宝;孙苋;赵德刚;刘宗顺;张书明;朱建军;杨辉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-07-09 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：一种氮化镓基多波段探测器，包括：一衬底；一短波段探测单元，包括：一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括：一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处；一第二中间带隙材料层生长在第二宽带隙材料层上；一对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上；一长波段探测单元，包括：一第三宽带隙材料层生长在衬底上面另一侧的三分之一处；一第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上；一第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上；一对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。
氮化基多波段探测器及其制作方法

[发明专利]具有宽带隙半导体材料/硅半导体材料异质结的绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201711436188.4有效
发明人：段宝兴;孙李诚;吕建梅;杨鑫;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有宽带隙半导体材料/硅半导体材料异质结的绝缘栅双极晶体管(IGBT)及其制作方法，该异质结IGBT器件主要是将宽带隙材料与硅材料相结合形成异质结，先在宽带隙半导体材料P+型衬底上外延生长形成掺杂浓度较高的N+型宽带隙半导体材料缓冲层，进而在N+型宽禁带缓冲层上形成掺杂浓度较低的N型宽带隙半导体材料外延层，再以该N型宽带隙半导体外延层为基础利用晶体键合技术与N型硅半导体层结合，采用硅成熟工艺形成IGBT器件的有源区
具有宽带半导体材料异质结绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]具有部分宽带隙半导体材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法-CN201910754063.9有效
发明人：段宝兴;王夏萌;杨鑫;孙李诚;张一攀;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有部分宽带隙半导体材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法。该异质结IGBT器件主要特点是将宽带隙半导体材料与硅材料相结合的异质结部分生长在外延层上，将掺杂浓度较低的N型宽带隙半导体材料外延生长在P+型宽带隙半导体材料衬底上，并形成外延层，通过刻蚀形成外延层中的沟槽，该沟槽刻蚀的深度到达P+型衬底表面，利用外延生长技术或者键合技术在该N型宽带隙半导体材料外延层表面异质生长N型硅半导体材料外延层。利用宽带隙半导体材料的高临界击穿电场，将器件的击穿点从高电场区域转移到低电场区域，使得器件可承担更高的击穿电压，突破了传统硅半导体材料临界击穿电场的限制。
具有部分宽带半导体材料材料异质结 igbt 及其制作方法

[发明专利]一种含有双边场助效应的异质结太阳电池-CN201610801790.2有效
发明人：张玮;陆宏波;李欣益;杨丞;张华辉;陈杰;张梦炎;张建琴;郑奕 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有双边场助效应的异质结太阳电池，该电池依次设置的宽带隙材料区、窄带隙材料区和窗口层区域。宽带隙材料区包含依次设置的宽带隙基区和未掺杂区。宽带隙基区采用AlyGa1‑yAs，0.24≤y≤0.3，厚度为10~3000nm。窄带隙材料区采用AlxGa1‑xAs，x≤0.2，厚度为10~40nm。宽带隙材料区和窄带隙材料区形成了第二异质结，在该异质结两侧存在i/p‑型场助和n+/n‑型场助结构。因此，该太阳电池第二异质结的载流子输运和跨越异质结势垒的能力均得到提高，从而提高了太阳电池的利用率。
一种含有双边效应异质结太阳电池

[发明专利]具有短路失效模式的功率半导体模块-CN201880009810.X有效
发明人：柳春雷;J.舒德雷尔;F.布雷姆;M.拉希莫;P.K.施泰默;F.杜加尔 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/051 文献下载
摘要：功率半导体模块（10）包括：基板（12）；包括Si衬底的Si芯片（16a），该Si芯片（16a）附接到基板（12）；利用第一压销（24a）紧压Si芯片（16a）的第一金属预制件（22a）；宽带隙材料芯片（16b），其包括宽带隙衬底和在该宽带隙衬底中提供的半导体开关（28b），该宽带隙材料芯片（16b）附接到基板（12）；以及利用第二压销（24b）紧压宽带隙材料芯片（16b）的第二金属预制件（22b）；其中Si芯片（16a）和宽带隙材料芯片（16b）经由基板（12）并且经由第一压销（24a）和第二压销（24b）并联连接；其中第一金属预制件（22a）适合于在被过电流加热时形成通过Si芯片（16a）的传导路径；并且其中第二金属预制件（22b）适合于在被过电流加热时形成通过宽带隙材料芯片（16b）的暂时的传导路径或开路。
具有短路失效模式功率半导体模块

[发明专利]具有主动短路故障模式的功率半导体装置-CN201880009835.X在审
发明人：柳春雷;F.杜加尔;M.拉希莫;P.K.施泰默 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：功率半导体装置（10）包括提供Si开关（14）的Si芯片（12）以及提供宽带隙材料开关（18）的宽带隙材料芯片（16），其中Si开关（14）和宽带隙材料开关（18）被并联电连接。用于控制功率半导体装置（10）的方法包括：在正常操作模式期间，通过将对应栅极信号施加到至少宽带隙材料开关（18）来控制至少宽带隙材料开关（18）以用于切换经过功率半导体装置（10）的电流；感测功率半导体装置
宽带隙材料功率半导体装置芯片栅极信号感测施加正常操作模式半导体装置故障模式控制功率主动短路加热

[发明专利]功率器件-CN202310823581.8在审
发明人：陶永洪;蔡文必;徐少东 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：该功率器件包括：宽带隙衬底；设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；设置于宽带隙漂移层中的终端区和有源区，有源区位于终端区之间；设置于有源区上的金属电极层，金属电极层与有源区之间为肖特基接触；金属电极层具有背离宽带隙漂移层的顶面和面向终端区的第一侧壁；设置于金属电极层的第一侧壁上的第一材料层；以及，覆盖第一材料层的钝化层，第一材料层将金属电极层与钝化层完全隔开。
功率器件

[发明专利]功率器件及其制备方法-CN202110725060.X有效
发明人：陶永洪;蔡文必;徐少东 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：该功率器件包括：宽带隙衬底；设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；设置于宽带隙漂移层中的终端区和有源区，有源区位于终端区之间；设置于有源区上的金属电极层，金属电极层与有源区之间为肖特基接触；设置于金属电极层上的第一材料层；以及，全部或部分覆盖第一材料层并向终端区延伸的钝化层，第一材料层将钝化层与金属电极层完全或部分的隔开；第一材料层的材料的膨胀系数为a，金属电极层的材料的膨胀系数为b，钝化层的材料的膨胀系数为c，其中，
功率器件及其制备方法

[发明专利]功率器件及其制备方法-CN202110724386.0有效
发明人：郭锦鹏;蔡文必;郭飞;周永田;胡洪兴;陶永洪;王勇 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：该功率器件包括：宽带隙衬底；设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；设置于宽带隙漂移层中的有源区和边缘终端区；设置于宽带隙漂移层上，且被配置为从有源区边缘开始覆盖边缘终端区表面的第一钝化层；设置于有源区上且与有源区之间为肖特基接触的金属电极层；金属电极层具有高出第一钝化层的台阶，台阶具有朝向第一钝化层且与第一钝化层相接的第一侧面，在相接处形成有朝向边缘终端区的第一夹角a2；填充第一夹角a2的第一材料层；设置于第一材料层上的第二钝化层；第一材料层的材料的膨胀系数为a，金属电极层的材料的膨胀系数为b，第二钝化层的材料的膨胀系数为c，其中，abc。
功率器件及其制备方法

[发明专利]有机-无机混合整体组件和方法-CN201880079416.3在审
发明人： B·马;C·周;H·林;Y·田 -专利权人：佛罗里达州立大学研究基金会有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：所述整体组件可包括两种或更多种金属卤化物和宽带隙有机网络。所述宽带隙有机网络可包括有机阳离子。所述金属卤化物可设置在所述宽带隙有机网络中。还提供发光复合材料。
有机无机混合整体组件方法

[发明专利]一类卤代噻唑类宽带隙聚合物及其在光电器件中的应用-CN202211212137.4在审
发明人：刘治田;朱晓东;高建宏;何燕君;冯继宝;石东明 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一类卤代噻唑类宽带隙聚合物，它为以BDT为给电子单元和卤代噻唑为缺电子单元形成的宽带隙聚合物。本发明所述宽带隙聚合物具有较低的HOMO、与非富勒烯受体材料能级匹配、吸收互补，具有较小的能量损失、较高的电荷迁移率、较好的结晶性以及较强的π‑π堆积，在带隙为1.8～2.2eV范围内具有较好的吸收、较深的最高占有空轨道和更好的平面性；且涉及的制备方法较简单、成本较低，可大量制备；该宽带隙聚合物可用作电子给体材料或电子传输层材料，在有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池等光电器件领域具有良好的商业化应用前景。
一类噻唑宽带聚合物及其光电器件中的应用

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