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[发明专利]功率器件-CN202310823581.8在审
发明人： 陶永洪;蔡文必;徐少东 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种功率器件，涉及半导体器件技术领域。该功率器件包括：宽带隙衬底；设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；设置于宽带隙漂移层中的终端区和有源区，有源区位于终端区之间；设置于有源区上的金属电极层，金属电极层与有源区之间为肖特基接触；金属电极层具有背离宽带隙漂移层的顶面和面向终端区的第一侧壁；设置于金属电极层的第一侧壁上的第一材料层；以及，覆盖第一材料层的钝化层，第一材料层将金属电极层与钝化层完全隔开。该功率器件能够提高器件可靠性。
功率器件

[发明专利]一种场效应管及其制备方法-CN202210132173.3在审
发明人：何志强;蔡文必;陶永洪;张中华;李立均;吴怡清 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种场效应管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，方法包括：第一器件结构包括衬底和设置在衬底上的外延层，先后形成第一介质层、多晶硅层和第二介质层；去除部分多晶硅层和第二介质层，在掺杂区上方界定出第一窗口，第一窗口的底部露出第一介质层；保留第一窗口侧壁的第三介质层，界定出第二窗口，第二窗口底部露出外延层；在第二窗口底部的表面形成欧姆金属层，形成第四器件结构；在第四器件结构远离衬底的表面形成正面金属层。
一种场效应及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅功率二极管器件及其制备方法-CN202310235688.0在审
发明人： 陶永洪;林志东;彭志高 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅功率二极管器件及其制备方法。所述的碳化硅功率二极管器件至少包括：SiC衬底、SiC外延层、肖特基金属层、第一电极层、第一欧姆接触金属层、第二电极层；有源区设置大致两种规格的P型区，表面面积较大、较宽裕的第一P型区表面覆盖欧姆接触金属，表面面积较小、较细狭的第二P型区表面不设欧姆接触金属。在小电流的条件下，电流从有源区的N型区通过；在大电流的条件下，二极管的正向电压升高，第一P型区表面覆盖欧姆接触形成的PiN二极管势垒开启，电流可以从该区域通过，从而提升二极管的浪涌电流能力。所述的制备方法用于制备所述的碳化硅功率二极管器件，提高工艺兼容性，简化工艺的复杂度。
一种碳化硅功率二极管器件及其制备方法

[发明专利]一种MOSFET器件及其制备方法-CN202310395484.3在审
发明人：何志强;陶永洪;刘佳维;史军;肖帅 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种MOSFET器件及其制备方法，其中，MOSFET器件包括：第一导电类型的半导体外延结构；在半导体外延结构内间隔设置的若干个第二导电类型的第一多边形区，第一多边形区从半导体外延结构的表面向半导体外延结构内延伸；若干个第一导电类型的第二多边形区，分别设置在对应的第一多边形区内，第二多边形区从半导体外延结构的表面向半导体外延结构内延伸；每一第二多边形区包括：与第一多边形区相连且从半导体外延结构的表面向半导体外延结构内延伸的多个第一侧壁，第二多边形区中相邻的两第一侧壁之间的拐角面为弧面上述方案，能够在减小晶体管的导通电阻的同时，提高晶体管的反向耐压能力。
一种 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]功率器件及其制备方法-CN202110725060.X有效
发明人： 陶永洪;蔡文必;徐少东 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种功率器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该功率器件包括：宽带隙衬底；设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；设置于宽带隙漂移层中的终端区和有源区，有源区位于终端区之间；设置于有源区上的金属电极层，金属电极层与有源区之间为肖特基接触；设置于金属电极层上的第一材料层；以及，全部或部分覆盖第一材料层并向终端区延伸的钝化层，第一材料层将钝化层与金属电极层完全或部分的隔开；第一材料层的材料的膨胀系数为a，金属电极层的材料的膨胀系数为b，钝化层的材料的膨胀系数为c，其中，abc。该功率器件能够提高器件可靠性。
功率器件及其制备方法

[发明专利]碳化硅半导体器件及其制备方法-CN202310348085.1在审
发明人：杨程;林科闯;陶永洪 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请的碳化硅半导体器件，包括衬底；外延层，设置于衬底上；p型碳化硅区和n型碳化硅区，分别设置在外延层内，p型碳化硅区和n型碳化硅区均从外延层远离衬底的一侧的表面延伸至外延层内；p型欧姆合金层，设置在p型碳化硅区上；n型欧姆合金层，设置在n型碳化硅区上，其中，p型欧姆合金层为镍钛铝合金，n型欧姆合金层为镍合金。本申请提供的碳化硅半导体器件及其制备方法，其在高温退火后，并不会降低n型与p型中一者的接触性能。
碳化硅半导体器件及其制备方法

[发明专利]碳化硅功率器件及其制作方法-CN202110865617.X有效
发明人：胡洪兴;蔡文必;郭飞;郭锦鹏;周永田;王勇;陶永洪 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅功率器件及其制作方法，碳化硅功率器件包括碳化硅衬底、碳化硅外延层、介质层、金属层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，金属层覆盖在介质层的边缘上方，并具有高于介质层的金属台阶；金属层远离碳化硅外延层的表面具有凹槽和位于凹槽边缘的第一端面，第一端面连接金属台阶朝向介质层的侧壁和凹槽，凹槽内设置有金属层窗口；第一钝化层设置在所述金属台阶的侧壁上，并从金属台阶的侧壁向介质层延伸；第二钝化层设置在凹槽内，覆盖金属层窗口以外的区域，因此可以有效减小钝化层与金属层之间的应力，避免因封装工艺对器件施加的压力导致钝化层产生裂纹，从而增强器件阻隔水汽侵入的能力，提高器件的稳定性和可靠性。
碳化硅功率器件及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法以及半导体器件-CN202310010351.X在审
发明人：张磊;柴亚玲;陶永洪 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件的制造方法以及半导体器件，方法包括提供带有p型掺杂区域的半导体外延结构；在半导体外延结构上形成掩膜层和隔离层；对隔离层和掩膜层进行光罩刻蚀，以形成开口，露出p型掺杂区域；在残留的隔离层和露出的p型掺杂区域上，形成欧姆金属层；执行高温回火处理，以使与p型掺杂区域接触的欧姆金属层的部分，形成欧姆金属接触层；去除残留的隔离层上的欧姆金属层的其它部分，和残留的隔离层以及掩膜层。本申请在欧姆金属层和掩膜层之间增加隔离层，再通过一步高温回火的方式形成欧姆接触，该工艺能够保证高温回火形成欧姆接触时含有铝组分，同时抑制金属穿刺掩膜层，确保形成低接触电阻和高可靠性的P型欧姆接触。
一种半导体器件制造方法以及

[发明专利]集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件-CN202310092700.7在审
发明人：李立均;林志东;彭志高;陶永洪;郭元旭;王敏 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件，涉及半导体技术领域。该器件包括若干元胞单元，该元胞单元由两个不对称但相互连接的第一元胞和第二元胞组成，第一元胞与第二元胞之间具有相互连接的第一结型场效应区和第二肖特基接触区，第一元胞的第一P阱区及第一P+区位于第一结型场效应区远离第二肖特基接触区所在一侧，第二元胞的第二P阱区和第二P+区位于第二肖特基接触区远离第一结型场效应区的一侧，其中，第一元胞和第二元胞的P阱区和P+区的排布方向一致。该集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件能够减小栅极电容，提高击穿电压，进而提高器件性能。
集成肖特基二极管碳化硅 mosfet 器件

[发明专利]一种碳化硅功率二极管器件及其制备方法-CN202010626798.6有效
发明人： 陶永洪;林志东;彭志高 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅功率二极管器件及其制备方法。所述的碳化硅功率二极管器件至少包括：SiC衬底、SiC外延层、肖特基金属层、第一电极层、第一欧姆接触金属层、第二电极层；有源区设置大致两种规格的P型区，表面面积较大、较宽裕的第一P型区表面覆盖欧姆接触金属，表面面积较小、较细狭的第二P型区表面不设欧姆接触金属。在小电流的条件下，电流从有源区的N型区通过；在大电流的条件下，二极管的正向电压升高，第一P型区表面覆盖欧姆接触形成的PiN二极管势垒开启，电流可以从该区域通过，从而提升二极管的浪涌电流能力。所述的制备方法用于制备所述的碳化硅功率二极管器件，提高工艺兼容性，简化工艺的复杂度。
一种碳化硅功率二极管器件及其制备方法

[发明专利]碳化硅半导体器件及其制备方法-CN202310068076.7在审
发明人：李立均;郭元旭;王敏;周豪;陶永洪 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种碳化硅半导体器件及其制备方法，包括衬底、设置于衬底上的外延层，和若干元胞单元，该元胞单元由设置在外延层中的两个相互连接的第一元胞和第二元胞组成，且第一元胞的第一结型场效应区与第二元胞中的第二肖特基电场区相连，每个元胞单元通过在第一结型场效应区与第二肖特基电场区之间设置一个与第一导电类型的外延层的导电类型相反的第二导电类型的注入区，以此利用该注入区与外延层产生空间电荷耗尽区，实现对结型场效应区和肖特基电场区接触的边缘起到电场的屏蔽和保护作用，提高器件的击穿电压以及可靠性。
碳化硅半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202211485788.0在审
发明人：张磊;柴亚玲;陶永洪 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本披露公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件，包括：衬底；外延层，设置在衬底上；第一钝化介质层，设置在外延层上；第二钝化介质层，设置在外延层上且与第一钝化介质层并排设置，第一钝化介质层、第二钝化介质层和外延层之间被配置为用于容纳金属电极的第一凹陷区；金属电极，设置外延层上且在第一凹陷区内，金属电极的上表面与第一钝化介质层和第二钝化介质层的上表面平齐。该半导体器件的钝化介质层的弯折很小，分散了弯曲带来的剪切应力，从而有效降低了半导体器件在升温降温过程中开裂的概率，保障了半导体器件的质量，同时有效防止了钝化介质层开裂所导致的封装材料对芯片湿气保护能力丧失的问题。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体结构和半导体结构的制备方法-CN202211408804.6有效
发明人：彭志高;陶永洪 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构和半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构包括衬底、半导体外延层、场氧化层、阳极层和钝化层，阳极层被配置为从有源区上延伸设置在部分场氧化层上，阳极层的侧壁与顶壁之间通过一弧形的连接面连接，钝化层覆盖在阳极层的侧壁上并延伸覆盖至连接面上。通过将阳极层的侧壁上部拐角处设置成圆弧状，能够使得阳极层的侧壁与顶壁之间能够平滑过渡，避免了倾斜角度的急剧变化，从而避免了钝化层在侧壁上拐角处产生应力集中现象。本发明提供的半导体结构，其能够减小由于金属层陡直造成的拐角应力集中造成的裂痕问题，提升器件的抗湿气能力，并优化钝化层的爬坡问题，提升钝化层的成型质量。
半导体结构制备方法

[发明专利]氧化层的制备方法、金氧半场效晶体管及半导体器件-CN202211339219.5在审
发明人：彭志高;黄维;陶永洪 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种氧化层的制备方法、金氧半场效应晶体管及半导体器件，氧化层的制备方法包括：获取基底层；对基底层的表面进行氧化形成中间体氧化层；在中间体氧化层的表面沉积一层掺杂有磷元素的硅薄膜；对掺杂有磷元素的硅薄膜以及中间体氧化层进行退火。通过上述设置，由于采用了两层氧化层的方式，相比现有技术而言，本申请利用中间体氧化层过渡可以减少对基底层的表面的氧化时间，从而减少界面碳簇的生产量，进而降低界面态密度。
氧化制备方法半场晶体管半导体器件

[发明专利]集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法-CN202110215037.6有效
发明人：李立均;林志东;彭志高;陶永洪;郭元旭;王敏 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该器件的P阱区和P+区相邻，N+区位于P阱区内，P+区与N+区相邻；欧姆接触金属位于肖特基接触金属与栅氧化层之间，栅氧化层上形成有多晶硅栅电极，多晶硅栅电极和栅氧化层的外周包覆有层间介质；层间介质、欧姆接触金属和肖特基接触金属上方覆盖有源极；栅氧化层覆盖P阱区表面，且其两侧分别覆盖N+区和N‑外延层内的JFET区的部分表面，欧姆接触金属覆盖P+区和N+区的部分表面，肖特基接触金属位于远离N+区的P+区一侧。该集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，能够减小栅极电容，提高击穿电压，进而提高器件性能。
集成肖特基二极管碳化硅 mosfet 器件及其制备方法

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