专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]重建存储阵列的方法和装置-CN201310034811.9有效
  • 邹波;李川;钱海波;谢芳 - 国际商业机器公司
  • 2013-01-29 - 2017-03-01 - G06F3/06
  • 本发明公开了一种重建存储阵列的方法和装置。所述方法包括响应于在存储阵列中出现故障存储设备,用第一备用存储设备替换故障存储设备;利用存储阵列中除第一备用存储设备之外的其他存储设备进行部件重建,从而在第一备用存储设备中恢复故障存储设备中的数据;与此并行地,利用第二备用存储设备进行智能重建,从而将故障存储设备中的数据复制到第二备用存储设备;一旦智能重建完成,在存储阵列中用第二备用存储设备替换第一备用存储设备。利用本发明实施例的方法和装置,存储阵列并行地进行部件重建和智能重建,从而可以快速恢复数据,且避免智能重建不成功带来的影响。
  • 重建存储器阵列方法装置
  • [发明专利]存储的修复方法-CN201810613910.5有效
  • 黄志仁 - 珠海兴芯存储科技有限公司
  • 2018-06-14 - 2021-10-29 - G11C16/22
  • 本发明提供一种存储的修复方法,提供一组存储,每一存储均具有一存储字节,每一存储字节具有M个位,相对每一存储字节附加一修复字节,每一修复字节均具有N个修复位供修复,提供一组与存储字节加上修复字节具有相同或大于总位数量的非挥发性的对照存储字节,并检测存储中所有存储字节、修复字节与对照存储字节中是否具有不佳位,以完成修复。或是相对每一存储字节和修复字节提供具有Q个位的对照存储地址字节,以供标记存储字节和修复字节中的不佳位地址,并检测存储中所有存储字节、修复字节与对照存储地址字节中是否具有不佳位,以完成修复。
  • 存储器修复方法
  • [实用新型]一种存储写入设备-CN201720773827.5有效
  • 刘小兵 - 江西亿铂电子科技有限公司
  • 2017-06-29 - 2018-01-19 - G11C7/10
  • 本实用新型公开了一种存储写入设备,用于对放置于所述存储写入设备中的存储进行写入,存储相对于存储写入设备具有第一放置状态和第二放置状态,存储写入设备包括触点识别装置,所述触点识别装置可识别所述存储放置在所述存储写入设备的状态,当所述触点识别装置识别所述存储以第一放置状态放置于存储写入设备中时,所述触点识别装置控制所述存储写入设备以第一写入模式对所述存储进行写入,当所述触点识别装置识别所述存储以第二放置状态放置于存储写入设备中时,所述触点识别装置控制所述存储写入设备以第二写入模式对所述存储进行写入。解决了用户只能按固定姿态放置存储才能进行写入的问题。
  • 一种存储器写入设备
  • [实用新型]一种数据存储的连接头-CN202020640108.8有效
  • 骆旭文 - 骆旭文
  • 2020-04-24 - 2020-10-23 - H01R13/514
  • 本实用新型公开了一种数据存储的连接头,包括数据存储主接头、数据存储左接头、数据存储上接头和数据存储右接头;所述数据存储主接头包括USB公头接口,设置在数据存储主接头正面的USB母头接口,设置在数据存储主接头上的连接口;所述数据存储左接头包括设置左USB母头接口,设置在数据存储左接头右侧的左连接头,设置在数据存储左接头上的连接口;所述数据存储上接头包括的上USB母头接口,设置在数据存储上接头底部的下连接头,设置在数据存储上接头上的连接口;所述数据存储右接头包括的右USB母头接口,设置在数据存储右接头左侧的右连接头,设置在数据存储右接头上的连接口。
  • 一种数据存储器接头
  • [发明专利]数据存储装置与数据处理方法-CN201910609861.2有效
  • 柯冠宇 - 慧荣科技股份有限公司
  • 2019-07-08 - 2023-06-09 - G06F3/06
  • 一种数据存储装置,包括存储装置及存储控制存储装置包括存储区块,存储区块包括物理数据页。存储控制耦接存储装置。存储控制选择既定存储区块用以接收数据,并于第一映射表格中记录逻辑地址。存储控制包括缓冲存储,第一映射表存储于缓冲存储。于既定存储区块被写满时,存储控制根据第一映射表格编辑第二映射表格与第三映射表格,并且将第二映射表格与第三映射表格存储存储装置。第二映射表格对应于逻辑数据页,用以记录各逻辑数据页的数据被存储于哪个存储区块的哪个物理数据页,第三映射表格对应于既定存储区块的该等物理数据页,用以指示各物理数据页为有效数据页或无效数据页。
  • 数据存储装置数据处理方法
  • [发明专利]用于存储装置的磁性高速缓存-CN202110675845.0在审
  • D·A·尤达诺夫 - 美光科技公司
  • 2021-06-18 - 2022-01-07 - G11C11/16
  • 本申请案是针对用于存储装置的磁性高速缓存。磁性存储元件(例如,磁性存储单元,例如自旋转移力矩STT存储单元或磁性穿隧结MTJ存储单元)可被配置成充当用于存储阵列的高速缓存,其中所述存储阵列包含不同类型的存储单元。所述磁性存储元件可以电感方式耦合到用于所述存储阵列的存取线。基于此电感耦合,当存储值写入到所述阵列的存储单元或从所述阵列的存储单元读取时,所述存储值可基于穿过用以写入或读取所述存储单元的存取线的相关联电流而并行地写入到磁性存储元件。可通过从所述磁性存储元件而非从所述阵列的所述存储单元读取所述存储值来执行后续读取请求。
  • 用于存储器装置磁性高速缓存
  • [发明专利]用于控制存储分配的方法和设备-CN201310044928.5有效
  • 维莱·哈利沃里;茱哈马蒂·库西萨里 - 特拉博斯股份有限公司
  • 2013-02-04 - 2017-11-28 - G06F12/02
  • 用于控制存储分配的方法和设备。本发明涉及对存储进行分配和释放,所述存储被组织成包含存储块组,所述存储块组中的每一个包含存储块。存在第一数据实体(101),其指示在每一个存储块组中的空闲存储块的数量。对于每一个存储块组,存在第二数据实体(102、103、......、105),其指示有关存储块组的哪些存储块是空闲的。当接收对分配存储块的请求时,基于第一数据实体,搜索包含空闲存储块的存储块组,并且基于与该存储块组有关的第二数据实体,从该存储块组搜索空闲存储块。第一数据实体和第二数据实体构成紧凑数据结构,因此可以有效利用高速缓冲存储
  • 用于控制存储器分配方法设备
  • [发明专利]具有降低的阈值电压偏移的三维存储器件编程-CN202180000115.9在审
  • 宋雅丽;赵向南;闵园园;游开开 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-01-04 - 2021-05-07 - G11C16/04
  • 一种三维(3D)存储器件,可以包括第一组存储层、在第一组存储层上方的第二组存储层、以及在第一组存储层与第二组存储层之间的第一虚设存储层。3D存储器件还可以包括NAND存储串,其均延伸穿过第一组存储层、第二组存储层和第一虚设存储层。3D存储器件还可以包括外围电路,其被配置为循序地对第一组存储层中的每一个存储层进行编程,并且然后循序地对第二组存储层中的每一个存储层进行编程。外围电路可以包括字线(WL)驱动电路,其被配置为:在对第一组存储层中的第一存储层进行编程时,在与第一存储层相关联的预充电周期期间,将第一预充电电压施加到第一虚设存储层;以及在对第一组存储层中的位于第一存储层上方的第二存储层进行编程时,在与第二存储层相关联的预充电周期期间,将第二预充电电压施加到第一虚设存储层。
  • 具有降低阈值电压偏移三维存储器器件编程

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