专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]三维存储器及其控制方法-CN202110193612.7有效
  • 崔莹;贾建权;宋雅丽;游开开;李楷威 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-02-20 - 2023-09-29 - G11C8/08
  • 本发明涉及一种三维存储器的控制方法,三维存储器包括多个存储串和多条字线,每个存储串包括自上而下依次串联的多个存储单元,每条字线与每个存储串中相同位置的存储单元相连,控制方法包括:在编程操作的预充电阶段,同时对与每个存储串中位于底部的至少一个虚设存储单元相连的至少一条虚设字线、与每个存储串的至少一个底部选择管相连的底部选择栅以及与每个存储串的底部相连的阵列共源极进行预充电操作;其中,对至少一条虚设字线进行预充电操作的时间小于对底部选择栅或阵列共源极进行预充电操作的时间,预充电操作清除至少一个虚设存储单元中的沟道残留电子。
  • 三维存储器及其控制方法
  • [发明专利]存储器件的控制方法及装置-CN202110087413.8有效
  • 游开开;王均保 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-01-22 - 2022-10-11 - G11C5/14
  • 本发明提供一种存储器件的控制方法和装置,该存储器件包括位线、源极、位于该位线和该源极之间的堆叠层、以及沿垂直于该位线的方向贯穿该堆叠层的存储沟道结构,该堆叠层包括依次层叠设置的第一子堆叠层、第一虚设堆叠层和第二子堆叠层,该控制方法包括:在预充电阶段,对该位线施加第一预设电压,以使靠近该位线的该存储沟道结构产生空穴,并对该源极施加第二预设电压,该第一预设电压和该第二预设电压为正电压;将该第一虚设堆叠层对应的该存储沟道结构打开,并将该第二子堆叠层对应的该存储沟道结构与该源极导通,从而能使沟道中的残留电子从沟道底部较快抽出,尽可能地减少沟道中的残留电子数量,改善编程干扰现象。
  • 存储器件控制方法装置
  • [发明专利]非易失性存储器件和控制方法-CN202110850553.6有效
  • 贾建权;崔莹;游开开 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2019-10-22 - 2022-09-13 - G11C16/04
  • 公开了非易失性存储器件和控制方法。所述非易失性存储器件包括存储阵列、位线、多条字线、第一控制电路和第二控制电路。所述位线连接至存储阵列的第一存储串。所述多条字线连接至第一存储串的存储单元,每条字线连接至相应的存储单元。第一控制电路被配置为在预充电时间段期间向所述位线施加位线预脉冲信号。第二控制电路被配置为向被选择字线施加字线信号,并且向设置在选择栅极线和被选择字线之间的字线施加多个字线预脉冲信号。所述多个字线预脉冲信号的电压电平是递增的。
  • 非易失性存储器控制方法
  • [发明专利]一种半导体器件及用于半导体器件的控制方法-CN202210370104.6在审
  • 贾建权;李达;游开开;李楷威;罗哲;田瑶瑶;刘畅;李姗;张安;靳磊 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-01-06 - 2022-08-05 - G11C16/34
  • 本申请公开了一种半导体器件及用于半导体器件的擦除和验证方法,半导体器件包括多个存储块,多个存储块中的选定存储块包括多个存储单元串,每个存储单元串包括多个存储单元;擦除和验证方法包括:在擦除操作阶段,擦除每个存储单元串中的多个存储单元;在验证操作阶段,包括预导通阶段和验证阶段,多个存储单元串包括选定存储单元串和未选定存储单元串;在预导通阶段,将选定存储单元串和未选定存储单元串中的至少一种设定为沟道导通状态;在验证阶段,对选定存储单元串中的至少一个存储单元的阈值电压进行验证,且将未选定存储单元串设定为沟道截止状态。本申请可以避免热载流子注入风险,有利于提高半导体器件的擦除验证的准确性。
  • 一种半导体器件用于控制方法
  • [发明专利]存储器的编程操作方法及装置-CN202210432044.6在审
  • 李楷威;游开开;贾建权;李姗;张安 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-01-20 - 2022-07-29 - G11C5/14
  • 本发明涉及一种存储器的编程操作方法及装置,存储器包括在预设方向上依次设置的第一输入端、第一存储串和第二存储串和第二输入端,第一存储串包括串联的多个第一存储单元,第二存储串包括串联的多个第二存储单元,编程操作方法包括:进行编程操作的预充电,包括向第一输入端提供第一预设电压,并对第一存储单元的栅极层提供第二预设电压,以对第一存储串中的沟道进行预充电;进行编程操作,以对第二存储单元进行编程,从而在对第二存储串进行编程操作时,能够在该编程操作的预充电阶段有效降低沟道的电荷密度,进而减小编程干扰。
  • 存储器编程操作方法装置
  • [发明专利]存储系统、存储器及其编程方法-CN202210302607.X在审
  • 游开开;张安;王均保;靳磊 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2022-03-24 - 2022-07-22 - G11C16/10
  • 本公开实施例提供一种存储系统、存储器及其编程方法,所述存储器包括多条存储单元串,所述存储单元串包括多个存储单元;其中,待编程的所述存储单元的栅极连接选择字线,未编程的所述存储单元的栅极连接未选择字线;所述存储器的编程方法包括:将编程电压施加到所述选择字线,并在第一时间间隔内将第一通过电压施加到所述未选择字线;在所述第一时间间隔内的预设时刻,断开所述存储单元串与对应位线的电连接;在所述第一时间间隔后的第二时间间隔内,将小于所述第一通过电压的第二通过电压施加到所述未选择字线。
  • 存储系统存储器及其编程方法

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