专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储控制存储系统-CN202211530997.2在审
  • 文英硕;朴在根;李钟仁;黃相默 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-01 - 2023-06-02 - G06F3/06
  • 提供存储控制存储系统。存储控制包括:缓冲存储,其包括存储体;一个或多个主机访问单元,其被配置为针对主机执行对缓冲存储的访问;一个或多个存储访问单元,其被配置为针对存储装置执行对缓冲存储的访问;以及处理,其被配置为控制存储控制的操作处理存储体分成用于与主机有关的外部操作的外部存储体组以及用于存储系统内的内部操作的内部存储体组。主机访问单元访问外部存储体组。存储访问单元访问外部存储体组以执行外部操作,并且访问内部存储体组以执行内部操作。
  • 存储器控制器系统
  • [发明专利]芯片存储功耗优化方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210265614.7在审
  • 段光生;许俊;师克龙 - 苏州盛科通信股份有限公司
  • 2022-03-17 - 2022-05-10 - G06F30/398
  • 本发明实施例提出一种芯片存储功耗优化方法、装置、电子设备及存储介质,属于电子技术领域,方法包括提取需求的逻辑存储的设计信息,根据与逻辑存储相同类型的物理存储的编译指标,以及设计信息,计算出至少一组预选指标,从符合各组预选指标的多个物理存储中,得到满足初选条件的预选存储,计算出预选存储所构成的逻辑存储的初选性能,基于初选性能,从符合各组预选指标的物理存储中,得到满足功耗最优条件的目标存储,基于目标存储设计需求的逻辑存储,以得到芯片存储功耗优化方案,使得芯片存储的设计方案能够实现在保证芯片存储的总面积尽可能最优的情况下,尽可能降低存储的功耗。
  • 芯片存储器功耗优化方法装置电子设备存储介质
  • [发明专利]一种空间非易失存储-CN200710175491.3有效
  • 李孝同;施思寒 - 航天东方红卫星有限公司
  • 2007-09-29 - 2008-02-27 - G11C7/10
  • 一种空间非易失存储,包括主存储、副存储和内部电源,主存储与副存储并联接在CPU接口总线上,主存储和内部电源均由外部电源供电,副存储由内部电源供电,设备正常启动工作时,CPU将副存储中的数据经CPU接口总线读取至主存储,主存储负责设备正常工作运行,副存储作为非易失存储,自动进行数据写入刷新和恢复控制,当设备非正常掉电,副存储利用内部电源维持数据写入刷新和恢复控制。本发明解决了抗单粒子锁定和抗单粒子翻转问题,提高了安全性和可靠性,采用低功耗SRAM存储作为主存储和副存储单元,加大了设备容量,缩小了体积,降低了成本,采用内部电源结构,实现了数据冗余存储
  • 一种空间非易失存储器
  • [发明专利]信息处理设备-CN201080046561.5无效
  • 藤川国雄;内海智英 - 松下电器产业株式会社
  • 2010-10-13 - 2012-10-03 - G06F12/08
  • 在给定区能够被用作局部存储或者高速缓冲存储的内置存储导致一些问题,原因在于,使用静态存储访问分析来确定存储配置的常规方法不检测另一总线主设备的操作、和电力节省状态和其它软件操作的存储利用效率的改变,因而妨碍了采取最佳形式的存储配置。公开的是信息处理设备,具有:测量部件,该测量部件检测内置存储和外部存储的使用的改变;和控制部件,该控制部件监视来自于测量部件的测量结果,改变内置存储的配置,移动存储在内置存储和外部存储中的数据,并且改变由CPU和其它总线主设备使用的外部存储区域和内置存储区域,其中可以检测通过静态分析不能够预测的存储利用效率的改变,并且维持最佳存储配置。
  • 信息处理设备
  • [发明专利]用以存取异质存储组件的存储虚拟化-CN201980011918.7在审
  • A·拉伊;P·R·玛哈拉纳;G·阿南德 - 美光科技公司
  • 2019-01-18 - 2020-09-18 - G06F9/455
  • 本发明涉及一种计算系统,其具有:至少一个总线;多个不同存储组件;及处理装置,其通过所述至少一个总线与所述多个存储组件可操作地耦合。所述不同存储组件包含具有不同存储存取速度的第一存储及第二存储。所述计算系统进一步包含存储虚拟,所述存储虚拟可操作地:存储由所述处理装置用于存取存储的第一地址与用于存取所述第一存储及所述第二存储的第二地址之间的地址映射;监测所述第一存储及第二存储的使用;基于所述使用调整所述地址映射以改进所述处理装置在涉及所述第一存储及所述第二存储存储存取时的速度;及根据对所述地址映射的调整交换所述第一存储及所述第二存储中的数据内容。
  • 用以存取存储器组件虚拟
  • [发明专利]存储系统的存储管理的方法和装置-CN201210488249.2无效
  • 田口雄一 - 株式会社日立制作所
  • 2012-11-22 - 2013-10-23 - G06F3/06
  • 本申请涉及存储系统的存储管理的方法和装置。示例实施例在用于外部计算机的存储系统中提供诸如高速DRAM的高速存储设备资源。根据本发明的一个方面,一种计算机系统包括:计算机,包括内部存储和外部存储,外部存储由耦合到计算机的存储系统提供;以及控制,可操作以管理由内部存储和外部存储提供的虚拟存储空间。控制可操作以基于虚拟存储空间的使用程度向包括在虚拟存储空间中的外部存储添加由存储系统提供的逻辑单元。控制可操作以基于虚拟存储空间的使用程度而从包括在虚拟存储空间中的外部存储释放由存储系统提供的逻辑单元。
  • 存储系统存储器管理方法装置
  • [发明专利]存储系统及存储系统的操作方法-CN201910430177.8在审
  • 张雅闵 - 瑞昱半导体股份有限公司
  • 2019-05-22 - 2020-11-24 - G06F3/06
  • 本发明涉及一种存储系统及存储系统的操作方法。存储系统包含存储控制、第一存储及第二存储存储控制器具有指令地址端口、芯片选择端口、第一数据端口及第二数据端口。第一存储耦接于指令地址端口、芯片选择端口及第一数据端口。第二存储耦接于指令地址端口、芯片选择端口及第二数据端口。第二存储之容量大于第一存储之容量。存储控制经由指令地址端口及芯片选择端口对第一存储及第二存储进行同步操作。
  • 存储器系统操作方法
  • [发明专利]存储模块和存储系统-CN201910846662.3在审
  • 金大正;金成峻;申院济;庾庸准;李昌珉;崔仁寿 - 三星电子株式会社
  • 2019-09-09 - 2020-06-09 - G06F11/30
  • 公开存储模块和存储系统。一种存储系统包括:存储装置,其中具有多个易失性存储模块;以及存储控制,电结合到所述多个易失性存储模块。存储控制被配置为:响应于由所述多个易失性存储模块中的第一易失性存储模块生成报警信号,校正所述多个易失性存储模块中的第一易失性存储模块中的错误,并且在生成报警信号时并发地进行刷新所述多个易失性存储模块中的第二易失性存储模块的至少一部分的操作
  • 存储器模块系统
  • [发明专利]准易失性系统级存储-CN202180025127.7在审
  • R.D.诺曼;E.哈拉里;K.N.夸德;F.S.李;R.S.切尔尼科夫;Y.C.金;M.莫菲迪 - 日升存储公司
  • 2021-02-05 - 2022-11-18 - G06F12/0893
  • 一种高容量的系统存储,可以从准易失性(QV)存储电路、逻辑电路和静态随机存取存储(SRAM)电路构成。使用SRAM电路作为QV存储电路的缓冲或高速缓存,系统存储可以达到SRAM电路的访问延迟性能,并可以作为代码存储使用。系统存储还能够进行直接存储访问(DMA)操作,并包括用于执行计算存储任务的算术逻辑单元。系统存储可以包括一个或多个嵌入式处理。此外,系统存储可以被配置为由多个主机处理通过多个主机端口进行多通道存储访问。系统存储可以以双列直插存储模块(DIMM)的形式提供。
  • 准易失性系统存储器
  • [发明专利]存储感知预取和高速缓存旁路系统和方法-CN202080048396.0有效
  • D·A·罗伯茨 - 美光科技公司
  • 2020-06-30 - 2023-03-21 - G06F12/0811
  • 本公开涉及存储感知预取和高速缓存旁路系统和方法。描述了与存储管理相关的系统、设备和方法。举例来说,这些可包含:第一存储层级,其包含存储阵列(28)中的存储页;第二存储层级,其包含高速缓存(24)、预取缓冲(32)或这两者;以及存储控制(34),其确定与所述存储阵列(28)中由存储存取请求定为目标的存储页相关联的状态信息所述状态信息可包含指示所述存储页的当前激活状态的第一参数,以及指示后续存储存取请求将所述存储页定为目标的统计似然度(例如,置信度)的第二参数。当与所述存储页相关联的所述第一参数指示所述存储页被激活且与所述存储页相关联的所述第二参数大于或等于阈值时,所述存储控制(34)可停用与所述存储页相关联的数据在所述第二存储层级中的存储
  • 存储器感知高速缓存旁路系统方法

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