专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储阵列-CN201780031440.5有效
  • C·J·河村;S·J·德尔纳 - 美光科技公司
  • 2017-07-31 - 2022-11-01 - G11C11/4097
  • 一些实施例包含具有一系列位线的存储阵列。所述位线中的每一者具有第一比较位线组件和第二比较位线组件。所述位线限定所述存储阵列的列。存储单元沿着所述存储阵列的所述列。电容单元沿着所述存储阵列的所述列,且散置在所述存储单元当中。所述电容单元在所述存储阵列的操作期间不用于数据存储,而是用于减小邻近位线之间的寄生电容。
  • 存储器阵列
  • [发明专利]存储阵列-CN201310386336.1在审
  • 顾靖 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2013-08-29 - 2013-12-18 - G11C16/06
  • 本发明提供了一种存储阵列,包括:若干个存储单元、若干条相互平行的位线、若干条与所述位线相互垂直且绝缘的字线、以及若干个接触孔;其中,所述若干个存储单元呈阵列设置,所述位线通过所述接触孔连接所述存储单元;每隔两列存储单元设置有一列虚拟单元,所述虚拟单元不与所述位线连接。在本发明提供的存储阵列中,每隔两列存储单元设置一列虚拟单元,所述位线与所述虚拟单元不连接,由此可见,所述虚拟列切断漏电的途径,因此,所述存储阵列中只需要一个源极跟随就能避免存储单元漏电,存储阵列进行读取操作时只需读取一个源极跟随,从而降低了存储阵列的功耗。
  • 存储器阵列
  • [发明专利]存储阵列-CN201980078563.3在审
  • S·D·唐;R·J·希尔;李宜芳;M·C·罗伯茨 - 美光科技公司
  • 2019-11-19 - 2021-07-23 - H01L27/11514
  • 一种存储阵列包括绝缘材料和存储单元的竖直交替层。所述存储单元个别地包括晶体管,所述晶体管包括其间具有沟道区的第一和第二源极/漏极区,以及以操作方式接近所述沟道区的栅极。所述个别存储单元包括电容器,所述电容器包括其间具有电容器绝缘体的第一和第二电极。所述第一电极电耦合到所述第一源极/漏极区。字线结构竖向地延伸穿过所述竖直交替层的所述绝缘材料和所述存储单元。所述存储单元层中的不同者的所述栅极的个别者直接电耦合到所述字线结构的个别者。感测线电耦合到所述晶体管的个别者的所述第二源极/漏极区中的多个。公开了其它实施例。
  • 存储器阵列
  • [发明专利]存储阵列-CN202210149566.5在审
  • 王宁;张可钢 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-02-18 - 2022-05-31 - G11C5/02
  • 本发明提供一种存储阵列,包括:多个存储单元、多条位线、多条选择管字线和多条选择管字线,其中,所述存储单元构成m行×n列的阵列,各所述存储单元均包括:串联的选择管和存储管;各所述选择管的源极和栅极相连接并且同一行的所述选择管的栅极均连接对应的一所述选择管字线本申请通过将选择管和存储管背靠背相邻设置,比传统的两管(选择管和存储管)分离结构的SONOS器件更加节省面积。进一步的,将各存储单元中的所述选择管的源极和栅极共接,从而省去了源线,在外接电路设计上更加简洁。
  • 存储器阵列
  • [发明专利]存储阵列-CN201410465834.X有效
  • 杨光军 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2014-09-12 - 2019-10-25 - G11C16/06
  • 本发明公开了一种存储阵列,该存储阵列包括多个基本单元阵、字线组及位线组,每个基本单元阵包括2×2个存储单元对,字线组包括字线WL、第一控制栅线CG0、第二控制栅线CG1,位线组包括位线BL<3k>、BL<3k+1>和BL<3k+2>,该多个基本单元阵在列行方向依次由该位线组和字线组级联,各列的基本单元阵和其他列没有关联,本发明列方向每一组存储单元和其他组存储单元没有关联,读出时只要处理本组存储单元的电流即可
  • 存储器阵列
  • [发明专利]存储阵列-CN201610373631.7有效
  • 张可钢;陈华伦 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2016-05-31 - 2019-10-11 - G11C16/10
  • 本申请公开了一种存储阵列,包括多个两管存储单元,多条相互平行的位线,与位线垂直且相互绝缘的多条字线,整个存储阵列上下相邻的两个存储管背靠背共用一个源端或漏端,左右相邻一行存储管共用栅极,存储管的栅极连接存储管字线,选择管的栅极连接选择管字线,整个一片存储阵列共用一个P阱,其特征在于,纵向相同列方向的位线共接,不同列的存储单元的位线分别接出;横向相同行的字线共接,其中存储字线分别接出,所有奇数行的选择管字线共接本发明的存储阵列在进行读操作时能降低非选中行的漏电,并且能加快读取速度。
  • 存储器阵列
  • [发明专利]存储阵列-CN201880025498.3有效
  • M·C·罗伯茨;S·D·唐;F·D·菲什伯恩 - 美光科技公司
  • 2018-05-08 - 2023-09-29 - H10B41/27
  • 本发明提供一种存储阵列,其包括绝缘材料及存储单元的垂直交替层级。所述存储单元个别地包含晶体管,所述晶体管包括中间具有沟道区的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区以及可操作地接近所述沟道区的栅极。所述存储单元个别地包含电容器,所述电容器包括中间具有电容器绝缘体的第一电极及第二电极。所述第一电极电耦合到所述第一源极/漏极区。所述阵列中的多个所述电容器的第二电容器电极彼此电耦合。不同存储单元层级中的所述晶体管中的个别者的所述第二源极/漏极区中的个别者电耦合到所述竖向延伸的感测线结构。
  • 存储器阵列
  • [发明专利]存储阵列-CN201110035558.X无效
  • 顾靖;张博;孔蔚然;胡剑 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2011-02-10 - 2012-08-15 - G11C16/02
  • 一种存储阵列,属于半导体技术领域,其包括若干存储单元、位线以及与位线垂直的字线、第一/第二控制线。存储阵列采用分栅式存储单元,两个存储位单元共享使用同一个字线,从而可通过对字线,两个控制栅以及源漏极区域施加不同的工作电压实现对存储位单元的读取、编程和擦除,共享字线的结构使得分栅式闪存其能够在保持芯片的电学隔离性能不变的情况下
  • 存储器阵列
  • [发明专利]存储阵列-CN201180027954.6有效
  • 刘增涛 - 美光科技公司
  • 2011-05-06 - 2013-02-20 - G11C7/18
  • 一些实施例包含存储阵列。所述存储阵列可具有沿第一水平方向延伸的全局位线、从所述全局位线垂直延伸的垂直局部位线及沿垂直于所述第一水平方向的第二水平方向延伸的字线。可存在直接在所述字线与所述垂直局部位线之间的存储胞材料。所述存储胞材料可形成通过字线/全局位线组合唯一寻址的多个存储胞。一些实施例包含具有约2F2的面积的交叉点存储胞单元。
  • 存储器阵列
  • [发明专利]存储装置及其错误检测方法-CN201910250297.X在审
  • 朴山河 - 华邦电子股份有限公司
  • 2019-03-29 - 2020-10-09 - G06F11/20
  • 本发明提供一种存储装置,包括具有至少一存储组的存储阵列,其中至少一存储组包括目标存储阵列以及克隆存储阵列。克隆存储阵列对应于目标存储阵列,且用以存储与目标存储阵列中的数据相同的数据。当应用于目标存储阵列的命令执行操作时,该命令同样应用于克隆存储阵列。一种错误检测方法亦被提出,其适用于具有至少一个存储组的存储装置,且所述存储组包括目标存储阵列和克隆存储阵列
  • 存储器装置及其错误检测方法

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