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[发明专利]存储单元、存储单元装置及存储单元制造方法-CN200480003591.2有效
发明人： F·舒勒 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2004-02-04 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本案涉及一种存储单元、存储单元装置以及用以制造存储单元的方法。所述存储单元包含具第一传导形式电荷载子的基板、在所述基板的一第一表面区域中的第一源极/漏极区域，以及在所述基板的一第二表面区域中的第二源极/漏极区域。
存储单元装置制造方法

[发明专利]非易失性存储器结构-CN201810896154.1在审
发明人：陈明晖 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：一种非易失性存储器结构，包括基底与多个存储单元。多个存储单元至少包括第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元与第四存储单元。第二存储单元与第三存储单元位于第一存储单元的一侧，且第四存储单元位于第一存储单元的另一侧。每个存储单元包括彼此分离设置在基底中的第一阱区、第一掺杂区与第二掺杂区。第一存储单元与第二存储单元共享第一阱区。第一存储单元与第三存储单元共享第一掺杂区。第一存储单元与第四存储单元共享第二掺杂区。
非易失性存储器结构

[发明专利]存储单元阵列及存储单元-CN200610145144.1有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-11-13 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种存储单元阵列及存储单元，应用于分离字线型的存储单元改良电源栅格设计。一存储单元阵列包括一第一金属层以供局部连接用，一第二金属层以供一位线、一互补位线、以及一设置于该位线与该互补位线之间的第一电压线用，各自大体上为一第一走向，一第三金属层以供一第一多个的第二电压线以及一设置于该第一多个的第二电压线之间的字线用本发明所述的存储单元及存储单元阵列，能提供较低的RC延迟以及较佳的稳定性，此外，其能降低字线的电容。
存储单元阵列

[发明专利]缺陷存储单元的筛选方法-CN200610143372.5有效
发明人：李明昭;罗棋;李家庆 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-10-31 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：一种缺陷存储单元的筛选方法，用于一内存上。内存一般划分成许多区块，并以区块为单位作抹除的动作，一区块具有N个存储单元，N为大于1的正整数。N个存储单元系为一第1～N个存储单元。在此方法中，验证第i个存储单元是否抹除成功，i为小于或等于N的正整数。若第i个存储单元抹除成功时，检查第i个存储单元是否为第N个存储单元。若第i个存储单元抹除失败时，抹除N个存储单元一次，并检查第i个存储单元是否为第N个存储单元。若第i个存储单元不是第N个存储单元，验证第i+1个存储单元是否抹除成功。若第i个存储单元是第N个存储单元，表示正常存储单元已抹除完成，对该存储区块作第二次验证以筛除缺陷存储单元。验证第j个存储单元是否抹除成功，j为小于或等于N的正整数。若第j个存储单元抹除验证失败时，筛选第j个存储单元为一缺陷存储单元，并检查该第j个存储单元是否为该第N个存储单元。若第j个存储单元不是第N个存储单元，验证第j+1个存储单元是否抹除成功。
缺陷存储单元筛选方法

[发明专利]具有冗余结构的薄膜磁介质存储装置-CN03104399.2无效
发明人：日高秀人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-02-12 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：相对配置成行列状的多个正规存储单元(MC)，虚拟存储单元(DMC)配置成和正规存储单元(MC)共有存储单元列且形成虚拟存储单元行。当正规存储单元(MC)和虚拟存储单元(DMC)出现不良存储单元时，使用冗余列(11C)，以存储单元列为单位进行替换修复。冗余列(11C)不仅包含修复正规存储单元(MC)的备用存储单元(SMC)，还包含修复虚拟存储单元(DMC)的备用虚拟存储单元(SDMC)。
具有冗余结构薄膜介质存储装置

[发明专利]存储系统及其操作方法-CN201811203258.6有效
发明人：元炯植;金亨燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储系统及其操作方法。存储系统可以包括存储器件，该存储器件包括：存储单元阵列，其包括正常存储单元区域和冗余存储单元区域，所述冗余存储单元区域具有替换存储单元区域和留存存储单元区域；寄存器，其适用于产生指示存在留存存储单元区域的第一信号；以及熔丝单元，其适用于基于第一信号来激活留存存储单元区域；以及控制器，其适用于基于第一信号来分配用于访问留存存储单元区域的留存存储单元的地址，其中替换存储单元区域中的替换存储单元替换正常存储单元区域中的故障存储单元，以及留存存储单元区域中的留存存储单元未替换正常存储单元区域中的任何故障存储单元而被保留。
存储系统及其操作方法

[发明专利]闪存块管理方法、装置、设备和存储介质-CN202211326817.9在审
发明人：贾光俊;王斐;叶云杰 -专利权人：深圳市德明利技术股份有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及闪存技术领域，公开了一种闪存块管理方法、装置、设备和存储介质，该方法包括：在闪存的存储区中将第一预定数量的多层存储单元转化为单层存储单元；存储区包含多个多层存储单元；构建虚拟多层存储单元，并建立虚拟多层存储单元与单层存储区之间的映射关系；单层存储区包含至少一个单层存储单元；向单层存储区中的单层存储单元写入数据。本申请实施例在将多层存储单元转化为单层存储单元时，通过虚拟多层存储单元分别与单层存储单元和多层存储单元进行关联，从而无需将单层存储单元与多层存储单元进行关联，以使得单层存储单元的容量最大可达到多层存储单元容量的
闪存管理方法装置设备存储介质

[发明专利]安全再填充系统-CN201680058522.4有效
发明人： N·杜卡;A·布勒 -专利权人：锡克拜控股有限公司
申请日： 2016-10-05 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： B41J2/175 文献下载
摘要：用于存储流体的存储单元，存储单元包括限定室的至少一个壁和开口。存储单元包括存储单元阀，存储单元阀配置在开口处以选择性地密封室。存储单元阀能够被选择性地打开和关闭以允许流体流过存储单元阀。存储单元包括存储单元键机构，存储单元键机构被构造成允许存储单元仅连接到布置于用于接收存储单元的对接站的互补对接站键机构。存储单元阀被构造成仅当存储单元键机构与所述互补对接站键机构接合时能够选择性地打开和关闭。
安全填充系统

[发明专利]存储单元、存储单元阵列及操作存储单元的方法-CN202210431632.8在审
发明人：林弘璋;李嘉富;史毅骏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G06F7/523 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种存储单元，包括存储电路和乘法电路。乘法电路包括被配置为输出输出信号的输出节点、第一晶体管和初始化电路。第一晶体管连接输出节点与存储电路，并且被配置为接收至少第二信号。存储电路被配置为存储第一存储节点的第一信号的第一值。乘法电路连接存储电路。乘法电路被配置为响应于第一信号和第二信号产生输出信号。输出信号对应于第一信号和第二信号的乘积。本发明的实施例还提供了一种存储单元阵列。本发明的实施例还提供了一种操作存储单元的方法。
存储单元阵列操作方法

[发明专利]NOR型存储器位线故障的修复方法及装置-CN201710992665.9有效
发明人：张建军;张赛;许梦 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种NOR型存储器位线故障的修复方法及装置，包括：检测主阵列存储单元和功能阵列存储单元的位线是否有异常，找出与故障位线连接的存储单元，记为故障存储单元；存储故障存储单元的地址、故障存储单元的修复使能位和故障存储单元的类别标识位，设置故障存储单元的修复使能位为0或1；建立故障存储单元与冗余存储单元的映射关系；若要访问的存储单元对应的修复使能位为1，则要访问的存储单元为需要修复的故障存储单元；选择与故障存储单元对应的冗余存储单元替代故障存储单元本发明实施例的技术方案，通过增加类别标识位的方法，对故障存储单元进行修复，从而提高了产品良率以及对冗余存储单元的利用率。
nor 存储器故障修复方法装置

[发明专利]基于ETHASH算法的数据存储方法、装置、设备及存储介质-CN202211225068.0有效
发明人：杨媛媛;刘明;李彦;石昊明 -专利权人：中科声龙科技发展（北京）有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于ETHASH算法的数据存储方法、装置、设备及存储介质，每个存储块包括多个存储单元，所述方法包括：对存储块的多个存储单元进行测试并得到测试结果；根据测试结果对多个存储单元进行分类处理，划分为第一存储单元和第二存储单元，其中，第一存储单元为通过测试的存储单元，第二存储单元为未通过测试的存储单元；获取缓存数据，并将缓存数据存储到第一存储单元；以及根据缓存数据获取有向无环图数据，并将有向无环图数据存储到第一存储单元和/或第二存储单元。本申请的缓存数据只存储到第一存储单元，有向无环图数据存储到第一存储单元和/或第二存储单元，提高了存储单元的利用率。
基于 ethash 算法数据存储方法装置设备介质

[发明专利]存储设备、非易失性存储设备以及存储设备的操作方法-CN201910009213.3在审
发明人：崔伸浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一种存储设备，包括控制器和具有存储单元和参考存储单元的非易失性存储设备。所述控制器访问所述存储单元的第一存储单元，当访问所述第一存储单元失败时，从所述参考存储单元中读取与第一存储单元相关联的第一参考存储单元，取决于所述第一参考存储单元的读取结果确定坏区，并且将所述存储单元中的属于坏区的第二存储单元设置为坏存储单元
存储单元参考存储单元存储设备非易失性存储设备坏区读取第二存储单元坏存储单元控制器访问读取结果控制器关联失败访问

[发明专利]存储方法和装置及其存储系统-CN201710046893.7在审
发明人：杨孝平 -专利权人：中国移动通信集团四川有限公司;中国移动通信集团公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储方法和装置及其存储系统。该方法包括：创建第一虚拟存储单元，第一虚拟存储单元与第一存储设备中的第一存储单元相对应；创建第二虚拟存储单元，第二虚拟存储单元与第二存储设备中的第二存储单元相对应；以及通过第一虚拟存储单元或第二虚拟存储单元访问对应的第一存储单元或第二存储单元，其中第一虚拟存储单元与第二虚拟存储单元具有相同的存储单元标识。该存储方法能够实现完全基于存储设备的底层存储数据双活并且零切换时间的技术效果。
虚拟存储单元存储单元存储设备第二存储单元方法和装置存储存储系统存储数据技术效果创建访问

[发明专利]存储单元检测方法及存储器检测方法-CN201910335924.X在审
发明人：杨正杰;蓝国维;孙力 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明涉及存储单元检测技术领域，提出一种存储单元检测方法及存储器检测方法，所述存储单元包括用于存储数据信号的存储单元，存储单元检测方法包括：对所述存储单元进行功能检测；以及当所述存储单元的存储功能合格时，再对所述存储单元进行至少一次所述功能检测。其中，所述功能检测包括：向所述存储单元写入高电平信号；在预设时长间隔后检查所述存储单元的电平状态；以及根据所述存储单元的电平状态判断所述存储单元的存储功能状态。本公开可以精确地检测出存储单元的储存功能状态。
存储单元检测方法存储器

[发明专利]一种适用于声纳系统的自解释的数据储存结构-CN201010140618.X无效
发明人：刘维;刘纪元;黄海宁;张春华 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： G01S7/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于声纳系统的自解释的数据储存结构，所述的数据储存结构包括：结构体数据块存储结构或声纳数据块存储结构；两种存储结构还包含数据描述存储单元和数据存储单元：所述的数据描述存储单元包含：数据头起始标志子存储单元、类型子存储单元、字节数子存储单元、数据说明子存储单元和数据头结束标志子存储单元；所述的声纳数据块存储结构的数据存储单元包含：维数子存储单元、各维大小子存储单元、数据子存储单元；所述的结构体数据块存储结构的数据存储单元包含：结构体域个数子存储单元、域名数组子存储单元、n个连续数据子存储单元。本发明提出的方法可提高各种声纳数据的交互性，降低声纳数据存储和读取的复杂性。
一种适用于声纳系统解释数据储存结构

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