专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储装置-CN200510104053.9无效
  • 佐藤知稔 - 夏普株式会社
  • 2005-09-14 - 2006-05-03 - G11C11/401
  • 第1存储芯片(10a~10d)具有作为用来存储数据的存储单元的存储单元,但不具有作为用来补救存储单元的错误位的冗余存储单元的冗余存储单元。进一步,只具有最低限度的逻辑,以便利用第2存储芯片的控制逻辑进行工作。第2存储芯片(20)既具有进行存储单元和冗余存储单元等存储控制的控制逻辑,也具有用来补救第1存储芯片(10a~10d)的错误位的冗余存储单元。存储装置1将第1存储芯片和第2存储芯片层叠而构成。
  • 存储器装置
  • [发明专利]半导体存储系统及控制其非易失性存储的操作的方法-CN200810095327.6有效
  • 徐熙权;孙汉求;金世振 - 三星电子株式会社
  • 2008-04-25 - 2008-11-26 - G11C7/10
  • 示例实施例涉及一种可以包括共享公共总线的易失性存储和非易失性存储的半导体存储系统以及用于控制非易失性存储的操作的方法。所述半导体存储系统可以包括非易失性存储存储控制。所述非易失性存储可以包括临时存储将被从存储单元阵列读取或将被写入存储单元阵列的数据的缓冲存储和内部控制。所述存储控制可以响应于控制信号将模式信号传输到非易失性存储,所述控制信号与将要施加到非易失性存储的读取模式或写入模式对应。响应于模式信号,如果将要施加读取模式,则内部处理可以控制将被读取的数据被存储在缓冲存储中,如果将要施加写入模式,则内部控制可以控制缓冲存储等待直到接收到写入命令。
  • 半导体存储器系统控制非易失性存储器操作方法
  • [发明专利]使用固件的存储装置策略执行-CN201911382733.5在审
  • G·卡列洛;J·S·帕里 - 美光科技公司
  • 2019-12-27 - 2020-08-14 - G06F13/16
  • 本申请涉及使用固件的存储装置策略执行。一种存储装置可包括非易失性存储单元阵列和经配置以控制对所述非易失性存储单元阵列的存取的存储控制。所述存储控制可包含经配置以控制存储装置性能来执行存储装置策略的固件。所述存储控制可包含经配置以存储指示所述存储装置策略的数据的至少一个硬件寄存。所述固件可经配置以读取指示所述存储装置策略的所述数据并通过控制存储装置性能来执行所述存储装置策略。
  • 使用存储器装置策略执行
  • [发明专利]用于收集冷页的装置、方法和系统-CN201980093104.2在审
  • 卓秋旭;A·勒克 - 英特尔公司
  • 2019-03-29 - 2021-10-08 - G06F12/02
  • 一种用于高效地标识并跟踪冷存储页的装置。装置包括:存储,用于存储存储页;一个或多个处理核,用于通过发布对存储的访问请求来访问存储存储中的存储页;以及页索引位映射,用于跟踪由一个或多个处理核作出的、对存储存储中的存储页的访问被跟踪的访问能够用于标识不频繁地被访问的存储页,其中,不频繁地被访问的存储页从存储移除,并被存储在次级存储中。
  • 用于收集装置方法系统
  • [发明专利]存储装置和计算机系统-CN202011008139.2在审
  • 金泰孝;边大锡;劝兑晎;金燦镐;李泰润 - 三星电子株式会社
  • 2020-09-23 - 2021-04-30 - G06F3/06
  • 公开了一种存储装置和计算机系统。所述存储装置包括:存储区域,存储区域包括第一存储区域和第二存储区域,第一存储区域包括存储N位数据的第一存储单元,第二存储区域包括存储M位数据的第二存储单元,其中,“M”和“N”是自然数,并且M大于N;以及控制,被配置为使用第一读取操作读取存储在第一存储区域中的数据,使用与第一读取操作不同的第二读取操作读取存储在第二存储区域中的数据,并且基于数据的使用频率(FOU)选择性地将数据存储在第一存储区域和第二存储区域中的一个中
  • 存储器装置计算机系统
  • [发明专利]动态多存储存储命令合并-CN202180041208.6在审
  • 乔纳森·奥尔索普;沙泽恩·迪拉瓦胡森·阿加 - 超威半导体公司
  • 2021-06-14 - 2023-02-14 - G06F13/16
  • 公开了用于动态地合并多存储存储命令以提高命令吞吐量的系统、设备和方法。一种系统包括处理,该处理经由存储控制耦接到存储。该存储还包括能够在该存储内执行计算的存储内处理(PIM)元件。该处理生成针对该存储存储请求,这些存储请求被发送到该存储控制。该存储控制将从该处理接收的命令存储在队列中,并且该存储控制确定是否有机会将多个命令一起合并为单个多存储体命令。在将多个命令合并为单个组合的多存储体命令之后,该存储控制存储总线将该单个多存储体命令和指定针对哪些存储体的多存储体代码传送到多个单独存储体。这些存储存储体并行地处理该命令,并且这些PIM元件处理接近每个相应存储体的数据。
  • 动态存储存储器命令合并
  • [发明专利]在多个阶段中实现存储装置的功能-CN201780073188.4有效
  • A.摩尔宁-史密斯;A.莫卡努;Z.祖潘奇 - 英特尔公司
  • 2017-11-28 - 2023-06-27 - G06F1/26
  • 提供一种存储装置,该存储装置包含:非易失性存储;耦合到非易失性存储的能量存储件;以及电力管理模块,该电力管理模块可配置成响应于能量存储件被充电到至少第一预确定的水平,将非易失性存储通电并且提供对非易失性存储的读取访问还提供包括存储装置的计算装置。还提供一种方法,其中,将耦合到存储装置的非易失性存储的能量存储件充电到至少第一预确定的水平。响应于将能量存储件充电到至少第一预确定的水平,将非易失性存储通电并且提供对非易失性存储的读取访问。
  • 阶段实现存储器装置功能
  • [发明专利]存储设备及其操作方法-CN202011006101.1在审
  • 李东旭;梁海昌 - 爱思开海力士有限公司
  • 2020-09-23 - 2021-09-28 - G11C16/14
  • 本公开的实施例涉及存储设备及其操作方法。一种存储设备及操作该存储设备的方法,包括存储块,该存储块被配置为包括多个存储单元,该多个存储单元被堆叠为在衬底上彼此隔开,并且包括耦合到多个存储单元的字线以及耦合到包括多个存储单元的串的两端的位线和源极线;以及外围电路,该外围电路被配置为对存储块执行擦除操作,其中外围电路被配置为对存储块中包括的多个存储单元执行擦除操作,然后依据多个存储单元的尺寸对选自多个存储单元的存储单元执行缺陷检测操作。
  • 存储器设备及其操作方法

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